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  • 2024，美國(guó)“科技鐵幕”重傷歐美芯片大廠
    2024，美國(guó)“科技鐵幕”重傷歐美芯片大廠
    12月2日，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局（BIS）發(fā)布半導(dǎo)體出口管制新規(guī)，事無(wú)巨細(xì)的新增了140個(gè)實(shí)體清單，涵蓋中國(guó)的設(shè)備廠、晶圓廠甚至是投資公司。本輪限制的重點(diǎn)針對(duì)的是國(guó)產(chǎn)設(shè)備和HBM領(lǐng)域，新增的關(guān)鍵規(guī)則包括：
  • 突發(fā)！三星又換HBM封裝負(fù)責(zé)人
    突發(fā)！三星又換HBM封裝負(fù)責(zé)人
    三星電子通過(guò)年末人事調(diào)整和組織改編，對(duì)HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）制造核心工序封裝（Packaging）組織進(jìn)行了變化，從臺(tái)積電聘請(qǐng)的副社長(zhǎng)林俊成下臺(tái)，組織名稱也改為“系統(tǒng)封裝實(shí)驗(yàn)室”，繼續(xù)開發(fā)新一代HBM——HBM4封裝技術(shù)。
  • 三星正開發(fā)移動(dòng)HBM，能效提高70%
    三星正開發(fā)移動(dòng)HBM，能效提高70%
    三星電子正致力于下一代半導(dǎo)體市場(chǎng)，重點(diǎn)開發(fā)被稱為DRAM市場(chǎng)新星的“LLW（Low Latency Wide IO）DRAM”。LLW具有數(shù)據(jù)處理速度快、功耗低的特點(diǎn)，是比現(xiàn)有低功耗DRAM性能更高的產(chǎn)品。它被認(rèn)為是針對(duì)設(shè)備上人工智能市場(chǎng)的未來(lái)技術(shù)，因此被稱為“移動(dòng)HBM（高帶寬內(nèi)存）”。
  • 存儲(chǔ)廠商沒有笑出雙十一
    存儲(chǔ)廠商沒有笑出雙十一
    國(guó)內(nèi)市場(chǎng)DRAM現(xiàn)貨價(jià)格在整個(gè)11月份持續(xù)走低，尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴(yán)重。相比之下，NAND閃存價(jià)格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內(nèi)估計(jì)，雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%，平均售價(jià)下降約 9%。在產(chǎn)品價(jià)格貢獻(xiàn)方面，2024年雙十一期間，SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一，長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼，在京東實(shí)現(xiàn)了SSD品類交易總額（GMV）和銷量的雙料第一，超過(guò)了三星。
  • 外企可在中國(guó)封裝HBM2
    外企可在中國(guó)封裝HBM2
    美國(guó)政府計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備出口的限制，該措施預(yù)計(jì)將包括高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）,引發(fā)人們對(duì)韓國(guó)半導(dǎo)體公司受到負(fù)面影響的擔(dān)憂。路透社12月2日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)報(bào)道稱，美國(guó)政府計(jì)劃于今日宣布對(duì)140家中國(guó)企業(yè)實(shí)施新的出口限制。據(jù)悉，來(lái)自日本和荷蘭公司的產(chǎn)品將獲得豁免。
  • 老美繼續(xù)切割對(duì)華芯片行業(yè)聯(lián)系，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備與零部件何去何從？
    老美繼續(xù)切割對(duì)華芯片行業(yè)聯(lián)系，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備與零部件何去何從？
    事情大家都知道，老美BIS，再發(fā)新規(guī)則，對(duì)出口條例進(jìn)行大修改，涉及新名單企業(yè)，維護(hù)所謂的他們的“國(guó)家安全和外交利益”。生效日期為12月2日，許可的合規(guī)要求日為12月31日。目前又新添加了140個(gè)名單企業(yè)，包括130個(gè)中國(guó)企業(yè)，1個(gè)日本企業(yè)，1個(gè)新加坡企業(yè)，以及8個(gè)韓國(guó)企業(yè)。
  • HBM在風(fēng)口，也在浪尖
    HBM在風(fēng)口，也在浪尖
    據(jù)悉，美國(guó)商務(wù)部BIS將于本周四（11月28日）“感恩節(jié)假期前”公布限制中國(guó)科技發(fā)展的新出口管制措施，預(yù)計(jì)將有約200家中國(guó)芯片公司納入貿(mào)易限制名單，無(wú)法獲取美國(guó)公司的產(chǎn)品。截至發(fā)文，未有出口管制措施發(fā)布。緊接著，另一套限制高帶寬存儲(chǔ)(HBM)出口到中國(guó)的規(guī)定，也預(yù)計(jì)在12月間對(duì)外公布。該規(guī)定是更廣泛限制中國(guó)人工智能(AI)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一環(huán)。
  • 研報(bào) | 服務(wù)器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增13.6%
    研報(bào) | 服務(wù)器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增13.6%
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2024年第三季DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為260.2億美元，季增13.6%。受到大陸手機(jī)制造商去化庫(kù)存及部分DRAM供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)影響，盡管前三大DRAM原廠LPDDR4及DDR4出貨量下降，但供應(yīng)數(shù)據(jù)中心的DDR5及HBM（高帶寬內(nèi)存）需求上升。
  • 傳美國(guó)HBM禁令12月6月發(fā)布，明年1月2日生效
    傳美國(guó)HBM禁令12月6月發(fā)布，明年1月2日生效
    消息人士向芯片說(shuō)IC TIME透露，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局（BIS）計(jì)劃于12月6日發(fā)布HBM禁令，包含HBM2E、HBM3、HBM3E，2025年1月2日生效。
  • HBM設(shè)備大廠扭虧為盈！
    HBM設(shè)備大廠扭虧為盈！
    韓美半導(dǎo)體的臺(tái)灣子公司去年因半導(dǎo)體行業(yè)狀況惡化而遭受凈虧損，但一年內(nèi)就成功扭虧為盈。分析認(rèn)為，這是本土化策略的結(jié)果，例如招募本地人員、確保銷售網(wǎng)絡(luò)以軟著陸中國(guó)臺(tái)灣市場(chǎng)。韓美半導(dǎo)體計(jì)劃通過(guò)與中國(guó)臺(tái)灣當(dāng)?shù)乜蛻艚⒚芮嘘P(guān)系來(lái)加強(qiáng)本地化戰(zhàn)略并增加訂單。
  • 美光HBM又挖角SK海力士、三星員工
    美光HBM又挖角SK海力士、三星員工
    SK海力士的一名工程師最近收到了美光科技 (Micron Technology) 的邀請(qǐng)，要在中國(guó)臺(tái)灣的一家晶圓廠工作。一位專業(yè)的獵頭建議了一個(gè)職位，當(dāng)他回答說(shuō)我沒有做過(guò)任何相關(guān)工作時(shí)，他立即被告知還有20個(gè)職位可以選擇。
  • 加碼HBM！SK海力士Q3借款超1100億！
    加碼HBM！SK海力士Q3借款超1100億！
    在內(nèi)存半導(dǎo)體市場(chǎng)存在不確定性的情況下，SK海力士通過(guò)主導(dǎo)高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)提升了業(yè)績(jī)，該公司正基于其現(xiàn)金生成能力的增強(qiáng)而專注于債務(wù)管理。今年，值得注意的是現(xiàn)金持有量穩(wěn)步增加，而借款也大幅減少。為了應(yīng)對(duì)人工智能（AI）存儲(chǔ)器市場(chǎng)，今明兩年的設(shè)備投資較去年大幅擴(kuò)大的可能性很大，而且還計(jì)劃投資建立新的生產(chǎn)基地，看來(lái)公司正在先發(fā)制人地加快改善財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)。
  • 需求展望疲弱、庫(kù)存和供給上升，預(yù)計(jì)2025年DRAM價(jià)格將下跌
    第四季為DRAM產(chǎn)業(yè)議定合約價(jià)的關(guān)鍵時(shí)期，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應(yīng)充足、需求減弱，目前價(jià)格已呈現(xiàn)跌勢(shì)。DDR5與LPDDR5X等先進(jìn)制程產(chǎn)品的需求展望尚不明確，加上部分買賣方庫(kù)存水位偏高，價(jià)格不排除于今年第四季底開始下跌。 TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，先前受三大供應(yīng)商積極建置HBM產(chǎn)能，加上預(yù)計(jì)新廠到2026年才會(huì)
  • SK hynix率先推出HBM3e 16hi產(chǎn)品，推升位元容量上限
    SK hynix（SK海力士）近日在SK AI Summit 2024活動(dòng)透露其正在開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品，每顆HBM芯片容量為48GB，預(yù)計(jì)在2025年上半年送樣。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，這款新產(chǎn)品的潛在應(yīng)用包括CSP（云端服務(wù)業(yè)者）自行研發(fā)的ASIC和general purpose GPU（通用型GPU），有望在HBM4世代量產(chǎn)前，提早于HBM3e世代推升位元容量上限。
  • 產(chǎn)業(yè)丨AI半導(dǎo)體熱潮中升溫，SK海力士年度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)或超三星
    產(chǎn)業(yè)丨AI半導(dǎo)體熱潮中升溫，SK海力士年度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)或超三星
    當(dāng)前，英偉達(dá)的GPU終于確立了HBM技術(shù)的領(lǐng)先地位，整個(gè)行業(yè)正緊隨其后，加速HBM技術(shù)的發(fā)展。在AI硬件競(jìng)爭(zhēng)的激烈角逐中，時(shí)間等同于生命，任何落后都可能導(dǎo)致被淘汰的命運(yùn)。在HBM技術(shù)發(fā)展的道路上，一場(chǎng)無(wú)形的較量正在激烈進(jìn)行，同時(shí)也標(biāo)志著芯片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局的重新塑造。
  • 在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長(zhǎng)下，供應(yīng)商需謹(jǐn)慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利
    在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長(zhǎng)下，供應(yīng)商需謹(jǐn)慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利
    DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫(kù)存去化和價(jià)格回升，價(jià)格動(dòng)能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應(yīng)商在今年獲利后展開新增產(chǎn)能規(guī)劃，預(yù)估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%，成長(zhǎng)幅度較2024年大。 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)越趨復(fù)雜，除現(xiàn)有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer
  • 研報(bào) | HBM5 20hi后產(chǎn)品將采用Hybrid Bonding技術(shù)，或引發(fā)商業(yè)模式變革
    研報(bào) | HBM5 20hi后產(chǎn)品將采用Hybrid Bonding技術(shù)，或引發(fā)商業(yè)模式變革
    HBM產(chǎn)品已成為DRAM產(chǎn)業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)，這使得Hybrid Bonding (混合鍵合)等先進(jìn)封裝技術(shù)發(fā)展備受矚目。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，三大HBM原廠正在考慮是否于HBM4 16hi采用Hybrid Bonding，并已確定將在HBM5 20hi世代中使用這項(xiàng)技術(shù)。
  • HBM5 20hi后產(chǎn)品將采用Hybrid Bonding技術(shù)，或引發(fā)商業(yè)模式變革
    HBM5 20hi后產(chǎn)品將采用Hybrid Bonding技術(shù)，或引發(fā)商業(yè)模式變革
    HBM產(chǎn)品已成為DRAM產(chǎn)業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)，這使得Hybrid Bonding (混合鍵合)等先進(jìn)封裝技術(shù)發(fā)展備受矚目。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，三大HBM原廠正在考慮是否于HBM4 16hi采用Hybrid Bonding，并已確定將在HBM5 20hi世代中使用這項(xiàng)技術(shù)。 與已廣泛使用的Micro Bump (微凸塊)堆疊技術(shù)相比，Hybrid Bonding由于不配置凸塊，可容納較
  • SK海力士Q3業(yè)績(jī)又創(chuàng)新高，HBM銷額暴漲330%
    SK海力士Q3業(yè)績(jī)又創(chuàng)新高，HBM銷額暴漲330%
    受高帶寬內(nèi)存和HBM的影響，SK海力士今年第三季度的銷售額、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)和凈利潤(rùn)均創(chuàng)歷史新高。預(yù)計(jì)將消除人們對(duì)最近一些人提出的“半導(dǎo)體冬天論”引發(fā)的存儲(chǔ)器行業(yè)可能再次衰退的擔(dān)憂。
  • 英偉達(dá)將Blackwell Ultra產(chǎn)品更名為B300系列，預(yù)計(jì)2025年將推動(dòng)CoWoS-L增長(zhǎng)
    英偉達(dá)將Blackwell Ultra產(chǎn)品更名為B300系列，預(yù)計(jì)2025年將推動(dòng)CoWoS-L增長(zhǎng)
    NVIDIA（英偉達(dá)）近期將其所有Blackwell Ultra產(chǎn)品更名為B300系列，預(yù)估明年將策略性主推B300和GB300等采用CoWoS-L的GPU產(chǎn)品，這將提升對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的需求量。 英偉達(dá)將原B200 Ultra更名為B300、GB200 Ultra更名為GB300，B200A Ultra和GB200A Ultra則分別調(diào)整為B300A和GB300A。B300系列產(chǎn)品按原規(guī)劃將于20

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