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  • 晶圓刻蝕工藝中的Qtime管控
    晶圓刻蝕工藝中的Qtime管控
    Qtime管控(Queue Time Control)是半導(dǎo)體制造過(guò)程中一個(gè)重要的和效率管理環(huán)節(jié),尤其在刻蝕工藝(ETCH)中顯得尤為重要。
  • AI浪潮下,高端MLCC如何國(guó)產(chǎn)替代?
    AI浪潮下,高端MLCC如何國(guó)產(chǎn)替代?
    MLCC需求增長(zhǎng)主要依賴于新技術(shù)革新下,終端電子產(chǎn)品市場(chǎng)的發(fā)展。2024年,AI技術(shù)正被視為電子產(chǎn)品下一輪革新驅(qū)動(dòng)力,在AI服務(wù)器、AI PC等AI終端市場(chǎng)的強(qiáng)勁拉動(dòng)下,MLCC行業(yè)需求量正經(jīng)歷爆發(fā)。
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    1小時(shí)前
  • 芯華章推出新一代高性能FPGA原型驗(yàn)證系統(tǒng)
    芯華章推出新一代高性能FPGA原型驗(yàn)證系統(tǒng)
    新品發(fā)布 XEPIC 不斷發(fā)展的SoC和Chiplet芯片創(chuàng)新,特別是基于RISC-V等多種異構(gòu)處理器架構(gòu)的定制化高性能應(yīng)用芯片,對(duì)硬件驗(yàn)證平臺(tái)的性能、容量、高速接口、調(diào)試能力都提出了更高要求,因此作為國(guó)產(chǎn)EDA公司的芯華章科技,也在不斷提升硬件驗(yàn)證的對(duì)應(yīng)方案和產(chǎn)品能力。 HuaPro P3作為芯華章第三代FPGA驗(yàn)證系統(tǒng)產(chǎn)品,采用最新一代可編程SoC芯片,結(jié)合自研的HPE Compiler工具鏈
  • 涉嫌壟斷!英偉達(dá)被中國(guó)立案調(diào)查:罰金最高可達(dá)78億美元
    涉嫌壟斷!英偉達(dá)被中國(guó)立案調(diào)查:罰金最高可達(dá)78億美元
    12月9日晚間,據(jù)中國(guó)市場(chǎng)監(jiān)管總局消息,近日,因英偉達(dá)(NVIDIA)公司涉嫌違反《中華人民共和國(guó)反壟斷法》及《市場(chǎng)監(jiān)管總局關(guān)于附加限制性條件批準(zhǔn)英偉達(dá)公司收購(gòu)邁絡(luò)思科技有限公司股權(quán)案反壟斷審查決定的公告》(市場(chǎng)監(jiān)管總局公告〔2020〕第16號(hào)),市場(chǎng)監(jiān)管總局依法對(duì)英偉達(dá)公司開(kāi)展立案調(diào)查。
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    1小時(shí)前
  • 三星晶圓代工2025年策略曝光
    三星晶圓代工2025年策略曝光
    被任命為三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部門(mén)新任負(fù)責(zé)人的韓鎮(zhèn)萬(wàn)(Jinman Han)社長(zhǎng)在首次演講中宣布,他將重點(diǎn)關(guān)注“2納米工藝良率的顯著提高”和“擴(kuò)大成熟工藝業(yè)務(wù)”。
  • 1500億晶圓大廠開(kāi)始訂購(gòu)設(shè)備
    1500億晶圓大廠開(kāi)始訂購(gòu)設(shè)備
    三星電子開(kāi)始投資可大規(guī)模生產(chǎn)的“1c” DRAM。據(jù)了解,近期已向相關(guān)合作伙伴訂購(gòu)了生產(chǎn)設(shè)備,安裝工作將于明年2月左右開(kāi)始。由于1c DRAM是決定三星電子下一代HBM4競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵要素,因此看來(lái)正在為及時(shí)量產(chǎn)該產(chǎn)品做好準(zhǔn)備。
  • 匯頂科技擬收購(gòu)估值85億元的OLED驅(qū)動(dòng)芯片公司
    匯頂科技擬收購(gòu)估值85億元的OLED驅(qū)動(dòng)芯片公司
    12月7日,深圳市匯頂科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“匯頂科技”)發(fā)布公告稱,擬通過(guò)發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式購(gòu)買云英谷科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“云英谷”)100%股份并募集配套資金。匯頂科技于12月9日開(kāi)市起復(fù)牌,截至發(fā)稿之時(shí),股價(jià)上漲10%。
  • 聚焦SiC大面積銀燒結(jié),該企業(yè)透露“關(guān)鍵一招”
    聚焦SiC大面積銀燒結(jié),該企業(yè)透露“關(guān)鍵一招”
    近日,聚礪新材料透露,他們聚焦碳化硅功率模塊廠商的大面積銀燒結(jié)工藝需求,發(fā)布了具有高可靠性和穩(wěn)定性的有壓燒結(jié)銀膏 FC-325LA,樣品經(jīng)1000次循環(huán)測(cè)試后無(wú)空洞、裂紋或分層,性能表現(xiàn)卓越。
  • 商湯拒絕“身材走樣”
    商湯拒絕“身材走樣”
    科技互聯(lián)網(wǎng)語(yǔ)境里,“分拆”似乎正在成為某種集體潛意識(shí)。2024年12月3日,商湯科技董事長(zhǎng)兼CEO徐立發(fā)布全員信,宣布集團(tuán)完成組織架構(gòu)調(diào)整,隨即推出全新的“1+X”架構(gòu)。其中,所謂的“1”指的是商湯集團(tuán)核心業(yè)務(wù),圍繞AI云打造,旨在實(shí)現(xiàn)大裝置、基礎(chǔ)模型和AI應(yīng)用的無(wú)縫集成,老本行CV(計(jì)算機(jī)視覺(jué))亦被算作在內(nèi)。顯然,這一部分作為商湯的戰(zhàn)略重心,擔(dān)負(fù)著其盈利的期許。
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    4小時(shí)前
  • 先進(jìn)邏輯和3D存儲(chǔ)的希望,PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
    先進(jìn)邏輯和3D存儲(chǔ)的希望,PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
    隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展,單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò)大, 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜,所需要的薄膜層數(shù)越來(lái)越多,對(duì)絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝,大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線,需要超過(guò) 100 道薄膜沉積工序,涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種,對(duì)于薄膜顆粒的要求也由微米級(jí)提高到納
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    4小時(shí)前
  • 涉嫌違反反壟斷法,英偉達(dá)被中國(guó)立案調(diào)查!
    涉嫌違反反壟斷法,英偉達(dá)被中國(guó)立案調(diào)查!
    英偉達(dá)涉嫌違反反壟斷法,國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)管總局依法決定立案調(diào)查。12月9日,國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局官方微信“市說(shuō)新語(yǔ)”發(fā)布消息稱,因英偉達(dá)公司涉嫌違反《中華人民共和國(guó)反壟斷法》及《市場(chǎng)監(jiān)管總局關(guān)于附加限制性條件批準(zhǔn)英偉達(dá)公司收購(gòu)邁絡(luò)思科技有限公司股權(quán)案反壟斷審查決定的公告》(市場(chǎng)監(jiān)管總局公告〔2020〕第16號(hào)),市場(chǎng)監(jiān)管總局依法對(duì)英偉達(dá)公司開(kāi)展立案調(diào)查。
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    4小時(shí)前
  • 英偉達(dá)違規(guī),被中國(guó)反壟斷調(diào)查!萬(wàn)字超硬核長(zhǎng)文!
    英偉達(dá)違規(guī),被中國(guó)反壟斷調(diào)查!萬(wàn)字超硬核長(zhǎng)文!
    英偉達(dá)因?yàn)樯嫦訅艛?,被中?guó)有關(guān)部門(mén)立案調(diào)查!這種無(wú)異于核彈級(jí)別爆炸消息,自然引起各種自媒體的關(guān)注,然后各位都懂的,就網(wǎng)上這幫90%自媒體的水準(zhǔn),一個(gè)比一個(gè)菜,都不看內(nèi)容開(kāi)始瞎猜了,什么制裁英偉達(dá)高算力的,什么不準(zhǔn)英偉達(dá)Orin上車的,反正胡說(shuō)八道,什么論調(diào),什么結(jié)論都有,各種陰謀論甚囂塵上。
  • FIB為什么要用液態(tài)鎵來(lái)做離子源?
    FIB為什么要用液態(tài)鎵來(lái)做離子源?
    學(xué)員問(wèn):聚焦離子束顯微鏡是運(yùn)用鎵(Ga)金屬來(lái)做為離子源,為什么?什么是FIB?FIB,全名Focused Ion Beam,聚焦離子束,在芯片制造中十分重要。主要有四大功能:結(jié)構(gòu)切割,線路修改,觀察,TEM制樣等。
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    5小時(shí)前
  • 11家半導(dǎo)體等企業(yè)披露IPO最新進(jìn)展
    11家半導(dǎo)體等企業(yè)披露IPO最新進(jìn)展
    近日,吉姆西、西安奕材、勝科納米、頂立科技、杰理科技、嘉德利、開(kāi)發(fā)科技等11家半導(dǎo)體等企業(yè)接連披露了IPO最近進(jìn)展。另外,在“并購(gòu)六條”等政策推動(dòng)下,近期欣諾通信等多家半導(dǎo)體企業(yè)在IPO終止后,紛紛轉(zhuǎn)向開(kāi)啟了并購(gòu)重組之路。
  • SK海力士人事地震:3位高管離職!
    SK海力士人事地震:3位高管離職!
    SK海力士正在尋求新的LiDAR(激光雷達(dá))業(yè)務(wù)。SPAD(單光子雪崩光電二極管,Single photon avalanche diode,SPAD)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)由負(fù)責(zé)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器(CIS)業(yè)務(wù)的CIS開(kāi)發(fā)組織進(jìn)行。
  • 全球半導(dǎo)體器件市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)(2024-10):未來(lái)有明顯過(guò)熱跡象
    全球半導(dǎo)體器件市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)(2024-10):未來(lái)有明顯過(guò)熱跡象
    最近,美國(guó)SIA又公布了最新的10月份全球半導(dǎo)體器件數(shù)據(jù),我第一時(shí)間下載數(shù)據(jù),并進(jìn)行了整理根據(jù)SIA的數(shù)據(jù)(三個(gè)月連續(xù)平均值),今年十月份全球的器件銷售額為569億美金,環(huán)比增加2.2%,同比增加22.0%
  • 半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)涌現(xiàn)!
    半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)涌現(xiàn)!
    AI、HPC等技術(shù)迅速發(fā)展,對(duì)半導(dǎo)體性能與功耗提出了更高要求,而傳統(tǒng)封裝技術(shù)難以滿足AI時(shí)代的需求,半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)迎來(lái)大顯身手的時(shí)刻,吸引多家半導(dǎo)體大廠積極布局。最新消息顯示,博通宣布先進(jìn)封裝技術(shù)取得新進(jìn)展。
  • 從SoC 到 SoIC 到 CIC
    從SoC 到 SoIC 到 CIC
    SoC(System on Chip)片上系統(tǒng),SoIC(System on Integrated Chip)集成片上系統(tǒng),CIC(Cubic Integrated Circuit)立方體集成電路,三者有什么異同,今天,我們將其放在一起進(jìn)行比較解讀。
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    23小時(shí)前
  • MOSFET規(guī)格書(shū)寫(xiě)的體二極管正向電流175A靠譜嗎?如何計(jì)算真實(shí)的通流能力?-電路易錯(cuò)點(diǎn)
    MOSFET規(guī)格書(shū)寫(xiě)的體二極管正向電流175A靠譜嗎?如何計(jì)算真實(shí)的通流能力?-電路易錯(cuò)點(diǎn)
    上一篇文章我們介紹了MOSFET體二極管的關(guān)鍵參數(shù)以及電路設(shè)計(jì)關(guān)注點(diǎn),其中Diode continuous forward current:體二極管連續(xù)正向電流這一參數(shù),最大高達(dá)175A,如果是真的,那這個(gè)數(shù)據(jù)已經(jīng)很牛了,但是規(guī)格書(shū)這個(gè)參數(shù)有個(gè)角標(biāo)2):
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    23小時(shí)前
  • 什么是惠斯通電橋?為什么用惠斯通電橋測(cè)量應(yīng)變片?
    什么是惠斯通電橋?為什么用惠斯通電橋測(cè)量應(yīng)變片?
    在我的上一篇文章中,我記錄了關(guān)于應(yīng)變片的很多原理和參數(shù),但是,對(duì)于應(yīng)變片如何使用,如何測(cè)量并沒(méi)有了深入的探究,今天先來(lái)看一看,對(duì)于應(yīng)變片,我們應(yīng)當(dāng)如何使用。

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