765
絕大多數(shù)半導體細分市場，都是由海外巨頭主導，然而氮化鎵功率半導體卻例外。
根據弗若斯特沙利文的數(shù)據，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（下文簡稱“英諾賽科”）2023年的收入為5.93億元，市場份額達33.7%，在全球氮化鎵功率半導體企業(yè)中排名第一。按折算氮化鎵分立器件出貨量計，2023年英諾賽科的市場份額為42.4%，同樣在全球氮化鎵功率半導體公司中排名第一。
英諾賽科作為IDM廠商，設計、開發(fā)及制造氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件及集成電路、氮化鎵模組等產品，適用于各種低中高壓應用場景，產品研發(fā)范圍覆蓋15V至1200V。
那么，身負全球第一，英諾賽科做對了，或者說核心優(yōu)勢是什么？
?
踏準了氮化鎵產業(yè)的快車道
2018年，隨著安克創(chuàng)新（Anker Innovation）推出其USB PD氮化鎵充電器，氮化鎵正式進入消費電子領域，也被視為開始了一定規(guī)模的商業(yè)化。隨后氮化鎵技術和工藝不斷得到優(yōu)化，其應用場景逐漸擴展至手機、筆記本電腦、電視等更多消費電子產品。根據弗若斯特沙利文的數(shù)據，2023年全球氮化鎵功率半導體的市場規(guī)模為17.6億元，2023年更被視為氮化鎵行業(yè)錄得指數(shù)級增長的開局之年，氮化鎵在電動汽車、數(shù)據中心、儲能等多個應用領域實現(xiàn)快速發(fā)展。
氮化鎵在各個領域的快速普及，與其高禁帶寬度、飽和電子漂移速率高、擊穿場強高等特點密不可分。
而英諾賽科的快速發(fā)展與踏準了氮化鎵的產業(yè)節(jié)奏不無關系。
駱微微博士是英諾賽科的創(chuàng)始人，從新西蘭梅西大學應用數(shù)學專業(yè)畢業(yè)后，在美國宇航局工作了15年，先后擔任高級項目經理、首席科學家等職務。2015年，駱微微選擇回國創(chuàng)業(yè)。
2015年12月，英諾賽科（珠海）科技有限公司（英諾賽科的子公司，以下簡稱“英諾珠?！保┏闪?。作為小規(guī)模生產基地運營，具備英諾賽科產品核心技術要素的基礎研發(fā)功能。
而隨后，2016年被稱之為“第三代半導體發(fā)展元年”，國務院國家新產業(yè)發(fā)展小組將第三半導體產業(yè)列為發(fā)展重點，國內企業(yè)擴大第三半導體研發(fā)項目投資，行業(yè)進入快速發(fā)展期。
盡管英諾珠海在研發(fā)及小規(guī)模生產方面取得了一定進展和成果，但產能已經不再能滿足生產需求。2017年7月，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司成立，鄰近大量第三代半導體公司及供應商所在地，促進了公司產品及研發(fā)成果轉向大規(guī)模產業(yè)化及商業(yè)化。
同年12月，英諾珠海的制造工廠建成投產。建成中國首條完整的8英寸硅基氮化鎵晶圓與功率器件量產生產線，主要產品包括8英寸硅基氮化鎵晶圓及100V-650V氮化鎵功率器件。
而彼時，氮化鎵產業(yè)已經到了爆發(fā)前夜，英諾賽科率先在8英寸硅基氮化鎵晶圓產業(yè)化上取得重大突破，先機已備，為今后的成功奠定了良好基礎。
2018年，安克創(chuàng)新（Anker Innovation）推出其USB PD氮化鎵充電器，氮化鎵正式進入消費電子領域，也被視為開始了一定規(guī)模的商業(yè)化。
2020年8月，以折算氮化鎵分立器件計，英諾賽科累計出貨達一百萬顆。一年后，英諾賽科累計出貨達一千萬顆。
2021年10月，蘇州的制造廠建成投產，根據弗若斯特沙利文的數(shù)據，該制造工廠是全球最大8英寸硅基氮化鎵晶圓制造廠。
2022年10月，以折算氮化鎵分立器件計，英諾賽科累計出貨達一億顆。
2023年12月，以折算氮化鎵分立器件計，英諾賽科累計出貨量超過五億顆。
截至2024年6月30日，英諾賽科的累計出貨量超過8.50億顆。
持續(xù)擴張的產能
2021年至今，英諾賽科的產量突飛猛進。2021年蘇州和珠海兩個工廠的晶圓產量合計為34865片，2023年的晶圓產量已然增至66559片，兩年合計增長91%。而2024年上半年晶圓產量達到53147片，相比去年同期的29588片，同比增長79.6%，呈現(xiàn)持續(xù)加速的態(tài)勢。
穩(wěn)定且持續(xù)擴張的產能支撐了英諾賽科的快速增長，是公司成功的關鍵。英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體產能，確保客戶的供應鏈穩(wěn)定。其蘇州生產基地的產能從2021年的18000片增加至2022年的36000片，并進一步增長至2023年的48000片。盡管期間蘇州生產基地的產能利用率有所波動，但是結合蘇州基地的產量持續(xù)增長可知，利用率的波動主要受產能基數(shù)持續(xù)擴大而出現(xiàn)短暫的回落。
珠海生產基地的產能從2021年的30200片增加至2022年的37700片，并進一步增加至2023年的44700片，主要是由于英諾賽科的生產流程逐步優(yōu)化。珠海生產基地的利用率穩(wěn)中有升，2023年的產能利用率輕微下降至56.5%，主要是由于蘇州生產基地的產能增強，逐步承接英諾珠海的大部分低壓硅基氮化鎵晶圓的生產。而2024年6月30日止六個月，隨著氮化鎵晶圓產品需求增加，珠?；氐漠a能利用率大幅升至74.8%。
截至2024年6月30日，英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產能為每月12500片晶圓，已為抓住蓬勃發(fā)展的功率半導體市場的機遇做好充分準備。
高良品率、低成本
成熟的8英寸量產技術。根據弗若斯特沙利文數(shù)據，2023年全球氮化鎵功率半導體市場中，6英寸及8英寸氮化鎵的市占率分別為66.3%及33.7%。英諾賽科是全球首家實現(xiàn)量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè)，蘇州的制造工廠是全球最大8英寸硅基氮化鎵晶圓制造廠。全球其他主要的氮化鎵功率半導體公司如EPC、英飛凌、Navitas、Power Integrations等公司提供6英寸產品為主。
95%的良品率。英諾賽科的制造工藝的持續(xù)改進，通過完善硅基氮化鎵外延生長工藝，能夠持續(xù)生產出高均勻、無裂紋、低晶格錯配密度及低缺陷的晶圓。英諾賽科的生產工藝技術已經實現(xiàn)了超過95%的晶圓良率，這極大的強化了自身的競爭優(yōu)勢。
更低的成本。英諾賽科憑借著在8英寸硅基氮化鎵先進的工藝技術，其8英寸硅基氮化鎵晶圓具有更多的有效面積、更高的生產效率及低成本等優(yōu)勢，與傳統(tǒng)的6英寸晶圓相比，每晶圓的晶粒產出數(shù)提升80%，單顆芯片成本降低30%。
上市融資，加速全球化
考慮到氮化鎵生產工藝成熟和規(guī)?；a推廣已達爆發(fā)臨界點，作為行業(yè)引領者，英諾賽科的全球化箭在弦上。
英諾賽科本次計劃全球發(fā)售4536.40萬股H股，扣除全球發(fā)售應付的包銷費、費用及開支后，募資凈額約13.64億港元（按發(fā)售價范圍中位數(shù)32.26港元計）：
約60%將用于擴大8英寸氮化鎵晶圓產能，從截至2024年6月30日的每月12500片晶圓增加至未來五年的每月70000片晶圓；
約20%將用于研發(fā)及擴大產品組合，用來提高終端市場中氮化鎵產品的滲透率；
約10%將用于擴大氮化鎵產品的全球分銷網絡，其中7.0%用于擴大在中國及海外（包括韓國及美國）的銷售及營銷團隊，計劃在日本設立區(qū)域辦事處，全球分銷網絡的擴大有助于英諾賽科與全球知名客戶探索進一步合作；
約10%將用于營運資金及其他一般企業(yè)用途。
根據公告，英諾賽科將于2024年12月30日在港股上市交易。
值得一提的是，據英諾賽科的招股書披露，公司本次上市的基石投資者包括STMicroelectronics Limited（“STHK”），為意法半導體的全資附屬公司，認購金額為5000萬美元。憑借意法半導體在半導體行業(yè)的經驗和全球市場地位，有助于英諾賽科未來全球化進程。
結尾
英諾賽科在氮化鎵領域的成功，源于對產業(yè)節(jié)奏的精準把握、產能的持續(xù)擴張、高良品率與低成本的優(yōu)勢，未來將借助上市融資加速全球化布局。隨著其產能進一步擴大、產品組合豐富、分銷網絡拓展，英諾賽科有望在全球氮化鎵市場持續(xù)領航，推動氮化鎵技術更廣泛應用。
