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本土MOSFET銷售額第七，打破外企壟斷。
芯東西2月10日報道，今天，國產(chǎn)功率半導(dǎo)體廠商東微半導(dǎo)（股票代碼：688261）以發(fā)行價130元/股登陸科創(chuàng)板。開市后，東微半導(dǎo)股價有所上漲，最高漲至148元/股，之后有所回落。截至芯東西成文，東微半導(dǎo)報138元/股，漲幅6%，總市值92億元。
東微半導(dǎo)的產(chǎn)品主要應(yīng)用于工業(yè)及汽車等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域，是國內(nèi)少數(shù)具備從專利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗的高性能功率器件設(shè)計公司之一，曾打破外國廠商充電樁用高壓超級結(jié)MOSFET器件壟斷，被《人民日報》所報道。
根據(jù)市場咨詢公司Omdia數(shù)據(jù)，以2019年MOSFET功率器件銷售額計算，東微半導(dǎo)在中國本土廠商中排名第七。報告期內(nèi)，東微半導(dǎo)營收持續(xù)增長，2018年-2021年上半年各期營收分別為1.53億元、1.96億元、3.09億元和3.21億元。由于東微半導(dǎo)股權(quán)較為分散，不存在控股股東，其實際控制人為公司聯(lián)合創(chuàng)始人王鵬飛和龔軼。
▲東微半導(dǎo)股權(quán)結(jié)構(gòu)
本次IPO，東微半導(dǎo)計劃募集資金9.39億元，將分別用于“超級結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級及產(chǎn)業(yè)化”、“新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”、“研發(fā)工程中心建設(shè)”和“科技與發(fā)展儲備資金”4個項目。
▲東微半導(dǎo)募集資金投資情況
01.創(chuàng)始人研究登Science直流充電樁產(chǎn)品打破國外廠商壟斷
東微半導(dǎo)的前身東微有限設(shè)立于2008年9月，注冊資本10萬元，兩位聯(lián)合創(chuàng)始人王鵬飛、龔軼分別認繳5.5萬元和4.5萬元。王鵬飛和龔軼兩人均曾在國外留學(xué)，并就職于AMD、英飛凌等國際芯片巨頭。王鵬飛為德國慕尼黑工業(yè)大學(xué)博士，曾在英飛凌存儲器研發(fā)中心擔任研發(fā)工程師，2006年5月?lián)纹鎵暨_技術(shù)創(chuàng)新和集成部門研發(fā)工程師。
2008年9月，王鵬飛和龔軼聯(lián)合創(chuàng)辦了東微有限；2009年6月，王鵬飛成為復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授，并于2013年研制出全球首個半浮柵晶體管（SFGT，Semi-FloatingGate Transistor），文章發(fā)表在頂級學(xué)術(shù)期刊Science上，這是我國微電子領(lǐng)域研究首次登上Science，新聞聯(lián)播和人民日報、青年報等都對此有所報道。2021年4月至今，王鵬飛任東微半導(dǎo)首席技術(shù)官。
龔軼則為英國紐卡斯爾大學(xué)碩士，曾先后在AMD、英飛凌任工程師和技術(shù)專家；2020年11月至今，龔軼任東微半導(dǎo)董事長兼總經(jīng)理。
▲東微半導(dǎo)董事長、總經(jīng)理龔軼
2016年4月，東微半導(dǎo)自主研發(fā)的650V、80A快恢復(fù)GreenMOS產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)，并進入直流充電樁領(lǐng)域，打破了這一領(lǐng)域國外廠商的壟斷。
02.半年收入破3億產(chǎn)品性能比擬氮化鎵器件
報告期內(nèi)，東微半導(dǎo)營收持續(xù)增長，2018年-2020年其營收分別為1.53億元、1.96億元和3.09億元，復(fù)合增長率為42.11%。2021年上半年，東微半導(dǎo)營收為3.21億元，超過2020年全年營收。利潤方面，東微半導(dǎo)2018年-2020年凈利潤分別為1297.43萬元、911.01萬元和2768.32萬元。2021年上半年，東微半導(dǎo)凈利潤達5180.53萬元。
▲東微半導(dǎo)2018年-2021年上半年營收與凈利潤變化
主營業(yè)務(wù)上，東微半導(dǎo)的主要收入來源為高壓超級結(jié)MOSFET器件，2018年-2020年該產(chǎn)品收入占比均超過80%。其產(chǎn)品主要分為MOSFET和IGBT兩類，其中MOSFET產(chǎn)品分為高壓超級結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET和超級硅MOSFET三類，其IGBT產(chǎn)品則采用了不同于國際主流自研的TGBT器件結(jié)構(gòu)。2020年，東微半導(dǎo)IGBT產(chǎn)品尚未實現(xiàn)營收。
▲2020年東微半導(dǎo)主營業(yè)務(wù)收入占比
具體來說，東微半導(dǎo)的高壓超級結(jié)MOSFET工作電壓在400V以上，可用于工業(yè)LED照明、新能源汽車充電樁等，具有高頻、驅(qū)動簡單、抗擊穿性好等特點；其中低壓屏蔽柵MOSFET器件一般工作電壓覆蓋25V-150V，主要應(yīng)用于電池保護、電機驅(qū)動器等；東微半導(dǎo)的IGBT產(chǎn)品工作電壓包括600V-1350V，適用于新能源汽車充電樁、變頻器、逆變器、電機驅(qū)動、電焊機、太陽能等領(lǐng)域。
▲東微半導(dǎo)產(chǎn)品與應(yīng)用范圍
東微半導(dǎo)的超級硅MOSFET則是其自主研發(fā)，對標氮化鎵功率器件的產(chǎn)品。招股書稱，通過調(diào)整器件結(jié)構(gòu)、優(yōu)化制造工藝，其超級硅MOSFET產(chǎn)品突破了傳統(tǒng)硅基功率器件的速度瓶頸，在電源應(yīng)用中達到了接近氮化鎵功率器件開關(guān)速度的水平。相比氮化鎵功率器件，該產(chǎn)品具有工藝成熟度高、成本低、可靠性高等優(yōu)勢，且東微半導(dǎo)正在推進超級硅系列產(chǎn)品在12英寸產(chǎn)線上的量產(chǎn)。
▲東微超級硅65W PD快充DEMO與蘋果30W充電器體積對比（來源：東微半導(dǎo)）
報告期內(nèi)，東微半導(dǎo)的前五大客戶包括凱新達電子、睿創(chuàng)電子等，主要以經(jīng)銷商為主，其主要終端客戶包括客戶A、高斯寶電氣、永聯(lián)科技、柏怡電子、明緯電子等。
▲東微半導(dǎo)2018年-2021年上半年前五大客戶
由于東微半導(dǎo)采用Fabless（無晶圓廠）模式，不直接從事芯片的生產(chǎn)和加工環(huán)節(jié)，其主要采購內(nèi)容為晶圓與封測服務(wù)。報告期內(nèi)，華虹半導(dǎo)體為其主要的晶圓供應(yīng)商，2018年-2020年東微半導(dǎo)對華虹半導(dǎo)體的晶圓采購金額占總采購金額比例均在80%以上。東微半導(dǎo)的主要封測服務(wù)供應(yīng)商則為天水華天，報告期內(nèi)其采購金額占比在10%以上。
▲東微半導(dǎo)2018年-2021年上半年前五大供應(yīng)商
03.本土MOSFET廠商銷售額第七研發(fā)人員占比46%
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，國際廠商優(yōu)勢明顯，全球前十大功率半導(dǎo)體公司均為海外廠商，包括英飛凌、德州儀器、安森美、意法半導(dǎo)體、亞德諾、高通、瑞薩電子等。當前東微半導(dǎo)的主要收入來源為硅基MOSFET產(chǎn)品，單一產(chǎn)品類別收入的占比較高。在和行業(yè)龍頭競爭時，東微半導(dǎo)在IGBT、功率器件模塊等方面的技術(shù)儲備不足，品牌知名度和影響力均存在劣勢。
▲全球前十大功率半導(dǎo)體廠商及銷售額
同時，功率器件正不斷朝第三代半導(dǎo)體材料方向發(fā)展，雖然東微半導(dǎo)已有碳化硅功率器件的樣品，但在第三代半導(dǎo)體材料的研發(fā)布局上落后于國際巨頭，未來存在競爭風(fēng)險。
而在國內(nèi)，東微半導(dǎo)是少數(shù)專注工業(yè)級高壓超級結(jié)MOSFET領(lǐng)域的半導(dǎo)體廠商，其高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品在TO247封裝體內(nèi)同時實現(xiàn)了650V耐壓平臺以及最低14mohm導(dǎo)通電阻的規(guī)格，在性能方面已接近國際先進水平。
2016年4月，東微半導(dǎo)推出的GreenMOS系列超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品打破了國外廠商在充電樁功率器件領(lǐng)域的壟斷地位。根據(jù)Omdia統(tǒng)計，2019年全球MOSFET銷售額為84.20億美元，東微半導(dǎo)MOSFET產(chǎn)品銷售額為2843萬美元，在本土廠商中排名第七，占全球0.34%的市場份額。
▲2019年中國本土領(lǐng)先功率半導(dǎo)體廠商MOSFET功率器件全球銷售收入
報告期內(nèi)，東微半導(dǎo)的各期毛利率分別為26.38%、14.93%、17.85%和26.75%。相比新潔能、華微電子、華潤微、揚杰科技、士蘭微等國內(nèi)同行業(yè)可比公司，東微半導(dǎo)的毛利率變化趨勢一致，但整體毛利率水平存在差異。
▲東微半導(dǎo)與同行業(yè)可比公司毛利率對比
招股書稱，這主要是因為主營業(yè)務(wù)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)經(jīng)營模式不同，如華微電子、華潤微和士蘭微等可比公司采用IDM模式，不涉及晶圓的外部采購，毛利率受外部影響較低；而華微電子、華潤微、揚杰科技和士蘭微等可比公司產(chǎn)品種類相對較多，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜，和東微半導(dǎo)專注MOSFET產(chǎn)品的經(jīng)營策略有所不同。
值得注意的是，雖然東微半導(dǎo)研發(fā)人員占員工總數(shù)的比例達46%，但由于公司規(guī)模較小，其研發(fā)人員人數(shù)為31人，低于很多國內(nèi)同行業(yè)上市公司。除首席技術(shù)官王鵬飛外，東微半導(dǎo)核心技術(shù)人員還包括研發(fā)總監(jiān)劉磊、資深研發(fā)工程師劉偉和資深研發(fā)工程師毛振東。劉磊碩士畢業(yè)于安徽大學(xué)電路與系統(tǒng)學(xué)院，2007年9月至2009年7月，擔任華潤上華半導(dǎo)體科技有限公司技術(shù)轉(zhuǎn)移部工藝整合工程師；2009年7月加入東微有限。劉偉本科畢業(yè)于南京郵電大學(xué)微電子學(xué)專業(yè)，曾在東莞奇力新電子有限公司、蘇州可勝科技有限公司任工程師職務(wù)；2009年8月，劉偉加入東微有限。毛振東則為中國科學(xué)院大學(xué)集成電路設(shè)計學(xué)院碩士學(xué)歷，曾在華晶電子集團、華潤上華科技有限公司、蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司任職，2015年3月加入東微有限。
報告期內(nèi)，東微半導(dǎo)研發(fā)投入分別為1603萬元、1202萬元、1599萬元和1650萬元，占營收比例分別為10.49%、6.13%、5.18%和5.14%。截至2021年6月30日，東微半導(dǎo)已獲授權(quán)的專利有53項，包括境內(nèi)發(fā)明專利37項、實用新型專利1項，以及境外專利15項。
▲東微半導(dǎo)研發(fā)投入與占比情況
04.聯(lián)合創(chuàng)始人為實際控制人曾獲華為哈勃投資
由于股權(quán)較為分散，東微半導(dǎo)無控股股東，其實際控制人為聯(lián)合創(chuàng)始人王鵬飛和龔軼，通過直接或間接持股及通過一致行動安排合計共同控制了43.51%的股份。自200年創(chuàng)建以來，東微半導(dǎo)已獲得多輪融資，投資者包括元禾資本、國中創(chuàng)投、中興創(chuàng)投、中芯聚源、華為哈勃投資等行業(yè)知名投資機構(gòu)。本次IPO發(fā)行前，持有東微半導(dǎo)5%以上的非個人股東有原點創(chuàng)投、聚源聚芯、中新創(chuàng)投和哈勃投資4家，分別持有15.18%、9.95%、7.12%和6.59%的股份。
▲東微半導(dǎo)股本情況
05.結(jié)語：東微半導(dǎo)上市或彌補經(jīng)營規(guī)模缺陷
東微半導(dǎo)聯(lián)合創(chuàng)始人王鵬飛曾在英飛凌、奇夢達和復(fù)旦大學(xué)等國內(nèi)外企業(yè)和學(xué)校任職，有著較強的研發(fā)實力。同時，東微半導(dǎo)的自研MOSFET產(chǎn)品性能較為出色。但相比國內(nèi)外行業(yè)龍頭，東微半導(dǎo)經(jīng)營規(guī)模較小，在研發(fā)投入和人員數(shù)量上都存在不足。本次上市后，東微半導(dǎo)或?qū)浹a這一缺陷，加強研發(fā)投入和經(jīng)營規(guī)模上，擴大國產(chǎn)功率半導(dǎo)體的市場份額。
作者 | 高歌
編輯 | Panken
