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前述文章，我們連續(xù)分析了4家功率半導(dǎo)體頭部企業(yè)如：《功率半導(dǎo)體企業(yè)分析——華潤微》，《捷捷微電——打破進(jìn)口壁壘的功率半導(dǎo)體先驅(qū)，能否引領(lǐng)行業(yè)復(fù)蘇？》，《時(shí)代電氣——始于軌交、興于功率半導(dǎo)體》，《斯達(dá)半導(dǎo)——國產(chǎn)IGBT龍頭，持續(xù)助力新能源發(fā)展》。
本文篩選了功率半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)12家上市公司，對12家公司和產(chǎn)品進(jìn)行了介紹，對功率半導(dǎo)體相關(guān)的營收、毛利率情況進(jìn)行了拆分對比，對扣非凈利潤、研發(fā)投入、研發(fā)占營收比例等進(jìn)行了對比分析，以便大家對功率半導(dǎo)體及行業(yè)內(nèi)各公司發(fā)展情況有更加深入的了解。
一、功率半導(dǎo)體簡介
1.1、功率半導(dǎo)體簡介
功率半導(dǎo)體主要是以電能為處理對象， 通過電力電子技術(shù)對電能的變壓、變流和變頻，實(shí)現(xiàn)高效率和高品質(zhì)用電。從發(fā)電、輸電、變電、配電到用電，電力經(jīng)過電力電子技術(shù)處理才能使用。功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件和“CPU”。
圖|功率半導(dǎo)體主要應(yīng)用
來源：宏微科技招股書
1.2、功率半導(dǎo)體應(yīng)用和分類
功率器件通過調(diào)節(jié)改變電子元器件的功率來實(shí)現(xiàn)電源開關(guān)和電能轉(zhuǎn)換的功能，主要體現(xiàn)在變頻、整流、變壓、開關(guān)等方面。其應(yīng)用范圍廣泛，包括工控、風(fēng)電、光伏、電動汽車與充電樁、軌交、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。
普通晶閘管最基本的用途就是可控整流，一般的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。
IGBT屬于其中偏向高電壓、中低頻率應(yīng)用場景的一類產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)。一般低壓IGBT常用于變頻白色家電、新能源汽車零部件等領(lǐng)域；中壓IGBT常用于工業(yè)控制、新能源汽車等領(lǐng)域；高壓IGBT常用于軌道交通、電網(wǎng)等領(lǐng)域。
MOSFET具有開關(guān)速度快、輸入阻抗高、導(dǎo)通內(nèi)阻小、易于驅(qū)動、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，既可在低電流和低電壓條件下工作，也可用于大電流開關(guān)電路和高頻高速電路，應(yīng)用場景廣泛。
第三代寬禁帶MOSFET（碳化硅、氮化鎵）正成為重點(diǎn)發(fā)展方向。碳化硅（SiC）器件具有耐高壓、大電流、耐高溫、高頻、高功率和低損耗等優(yōu)點(diǎn)。氮化鎵（GaN）器件具有高電子遷移率、寬頻帶、高擊穿場強(qiáng)、耐高溫等特點(diǎn)。
1.3、國內(nèi)12家功率半導(dǎo)體情況統(tǒng)計(jì)
圖|國內(nèi)12家功率半導(dǎo)體企業(yè)情況
來源：與非研究院整理
中國功率半導(dǎo)體企業(yè)仍處于起步階段，市場集中度較低，F(xiàn)abless和IDM廠商并存，近幾年隨著風(fēng)光儲車新能源、5G通信等行業(yè)的快速發(fā)展，正在快速成長。
經(jīng)筆者統(tǒng)計(jì)，國內(nèi)IDM廠商有時(shí)代電氣、士蘭微、華潤微、捷捷微電、臺基股份、派瑞股份，占比50%。國內(nèi)Fabless廠商有新潔能、宏微科技、東微半導(dǎo)、芯導(dǎo)科技，占比33%。
國內(nèi)部分功率廠商如揚(yáng)杰科技采取IDM+Fabless，在MOSFET、 IGBT、第三代半導(dǎo)體等新興高端領(lǐng)域委外代工保障良率，在成熟產(chǎn)品領(lǐng)域自建產(chǎn)線保障產(chǎn)能。斯達(dá)半導(dǎo)由Fabless轉(zhuǎn)IDM，在高壓大功率產(chǎn)品方面自建產(chǎn)線以滿足工藝和產(chǎn)能需求，保障下游客戶訂單供應(yīng)穩(wěn)定。也有部分前身是Foundry的晶圓代工廠，如華潤微借助自身產(chǎn)線優(yōu)勢切入功率賽道占據(jù)市場份額前列?？梢奆abless、Foundry和IDM的生產(chǎn)模式并不是固定的，企業(yè)會根據(jù)市場需求進(jìn)行不斷的調(diào)整。
二、企業(yè)介紹
2.1、時(shí)代電氣
株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司是中國中車旗下股份制企業(yè)，其前身及母公司——中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司創(chuàng)立于1959年。公司在 2008 年后收購 Dynex 后，依靠子公司的先進(jìn)技術(shù)，加緊對功率半導(dǎo)體技術(shù)的自主研發(fā)。2017 年，公司進(jìn)入電網(wǎng)領(lǐng)域，逐步斬獲高壓電網(wǎng) IGBT 訂單，后續(xù)憑借在高壓 IGBT 的布局，逐步切入風(fēng)電、光伏、工控和新能源車等領(lǐng)域。
根據(jù)NE 時(shí)代數(shù)據(jù)，公司乘用車功率模塊裝機(jī)量 2024 年上半年位居行業(yè)前二，市場占有率達(dá) 13.4%；光伏逆變器 2024 年上半年中標(biāo) 8.35 GW，位居國內(nèi)前五。新能源汽車電驅(qū)動系統(tǒng)裝機(jī)量持續(xù)增加，國內(nèi)市場排名行業(yè)前九，新能源汽車電控裝機(jī)量同比增加 57%，穩(wěn)居國內(nèi)行業(yè)前六。傳感器件穩(wěn)居軌道交通領(lǐng)域國內(nèi)市場占有率第一，在新能源汽車、風(fēng) 電、光伏領(lǐng)域位居行業(yè)前列。
24年下半年，公司第三期8英寸IGBT工廠(宜興)將會投產(chǎn)，將年產(chǎn)36萬片，重點(diǎn)滿足新能源汽車、新能源發(fā)電等下游需求。新產(chǎn)能有望進(jìn)一步幫助公司擴(kuò)大市場份額，優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。
圖|公司功率半導(dǎo)體主要產(chǎn)品
來源：時(shí)代電氣官網(wǎng)
2.2、士蘭微
杭州士蘭微電子股份有限公司坐落于杭州高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，是專業(yè)從事集成電路芯片設(shè)計(jì)以及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)的高新技術(shù)企業(yè)。公司成立于1997年9月，總部在中國杭州。2003年3月公司股票在上海證券交易所掛牌交易，是第一家在中國境內(nèi)上市的集成電路芯片設(shè)計(jì)企業(yè)。
士蘭微電子建在杭州錢塘新區(qū)的集成電路芯片生產(chǎn)線目前實(shí)際月產(chǎn)出達(dá)到23萬片，在小于和等于6英寸的芯片制造產(chǎn)能中排在全球第二位。公司8英寸生產(chǎn)線于2017年投產(chǎn)，成為國內(nèi)第一家擁有8英寸生產(chǎn)線的民營IDM產(chǎn)品公司，8英寸線月產(chǎn)能已達(dá)6萬片。2023年底，公司12吋特色工藝晶圓生產(chǎn)線月產(chǎn)能已達(dá)6萬片，先進(jìn)化合物半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線月產(chǎn)能已達(dá)14萬片。
公司目前的產(chǎn)品和研發(fā)投入主要集中在以下五個(gè)領(lǐng)域：
功率半導(dǎo)體、半導(dǎo)體化合物器件：包括各類功率器件、PIM模塊、Si基GaN功率器件、SiC器件等
功率驅(qū)動與控制系統(tǒng)：包括AC-DC（適用于各種拓?fù)涞某?次側(cè)控制器，及功率因數(shù)控制），DC-DC（PoE/PD/PSE, PoL, VRM/DrMOS, eFuse, PMIC)、LED驅(qū)動芯片（車用照明、通用照明、智能照明），IPM模塊、柵驅(qū)動、隔離驅(qū)動、電機(jī)驅(qū)動芯片，SoC及MCU芯片(變頻驅(qū)動、系統(tǒng)主控、人機(jī)接口)，數(shù)字電源芯片(含快充) 等。
MEMS傳感器：包括消費(fèi)級傳感器（三軸加速度計(jì)、六軸IMU單元、骨傳導(dǎo)加速度計(jì)），車用傳感器（碰撞、IMU單元、震動檢測傳感器），心率、血氧、ALS/RGB/PS傳感器，麥克風(fēng)、溫濕度、電流、MEMS微鏡傳感器等。
ASIC產(chǎn)品：包括信號鏈（邏輯&電平轉(zhuǎn)換、開關(guān)電路、放大器&比較器、隔離電路、接口），電源管理（線性穩(wěn)壓電路、雙極DCDC穩(wěn)壓電路、雙極PWM控制器、達(dá)林頓驅(qū)動電路、基準(zhǔn)電路）等。
光電產(chǎn)品：包括特色照明（植物照明、紅外補(bǔ)光燈珠、陶瓷大功率燈珠），車用照明（前照燈、信號燈、內(nèi)飾燈），高端光耦（高速光耦、驅(qū)動光耦、光繼電器），顯示屏芯片及模組（戶內(nèi)TOP燈珠、戶外TOP燈珠、戶內(nèi)CHIP燈珠）等。
圖|士蘭微主要產(chǎn)品
來源：士蘭微官網(wǎng)
2.3、華潤微
華潤微電子有限公司1983年成立，建立國內(nèi)首條四英寸晶圓產(chǎn)線，先后整合華科電子、中國華晶、上華科技等中國半導(dǎo)體企業(yè)，公司于 2004 年在聯(lián)交所上市，2011 年私有化退市，2020 年于科創(chuàng)板上市，成為境內(nèi)紅籌第一股。
華潤微是中國領(lǐng)先的擁有芯片設(shè)計(jì)、掩模制造、晶圓制造、封裝測試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化經(jīng)營能力的半導(dǎo)體企業(yè)，產(chǎn)品聚焦于功率半導(dǎo)體、數(shù)模混合、智能傳感器與智能控制等領(lǐng)域。公司是以 IDM 模式為主經(jīng)營，同時(shí)也是中國最大的功率半導(dǎo)體企業(yè)之一。
公司合計(jì)擁有 1,100 余項(xiàng)分立器件產(chǎn)品與 500 余項(xiàng) IC 產(chǎn)品，擁有CRMICRO、華晶等多個(gè)功率器件自主品牌，自主開發(fā)的中低壓溝槽 MOS、SJMOS、SBD、FRD、 IGBT 工藝平臺及相應(yīng)模塊和系統(tǒng)應(yīng)用方案技術(shù)水平處于國內(nèi)領(lǐng)先。
公司產(chǎn)品與方案板塊下游終端應(yīng)用主要圍繞四大領(lǐng)域，其中泛新能源領(lǐng)域（車類及新能源）占比 39%，消費(fèi)電子領(lǐng)域占比 36%，工業(yè)設(shè)備占比 16%，通信設(shè)備占比 9%。
圖|華潤微產(chǎn)品下游應(yīng)用占比
來源：華潤微公告
2.4、揚(yáng)杰科技
揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司是國內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測試、終端銷售與服務(wù)等一體化的杰出廠商。
在 MOSFET、IGBT、第三代半導(dǎo)體等高端領(lǐng)域采用 IDM+Fabless 相結(jié)合的模式。公司產(chǎn)品已在多個(gè)新興細(xì)分市場具有領(lǐng)先的市場地位及較高的市場占有率，整流橋、光伏二極管產(chǎn)品市場全球領(lǐng)先。
公司主營產(chǎn)品主要分為三大板塊，具體包括材料板塊（單晶硅棒、硅片、外延片）、晶圓板塊（5 寸、6 寸、8 寸等各類電力電子器件芯片）及封裝器件板塊（MOSFET、IGBT、SiC 系列產(chǎn)品、整流器件、保護(hù)器件、小信號及其他產(chǎn)品系列等）。
產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、清潔能源、5G 通訊、安防、工業(yè)、消費(fèi)類電子等諸多領(lǐng)域，為客戶提供一站式產(chǎn)品、技術(shù)、服務(wù)解決方案。
2024H1公司不斷加大 MOSFET、IGBT、SiC 等產(chǎn)品在工業(yè)、光伏儲能、新能源汽車、人工智能等市場的推廣力度，整體訂單和出貨量較去年同期提升，上半年?duì)I收同比增長 9.16%。
圖|揚(yáng)杰科技主要產(chǎn)品
來源：揚(yáng)杰科技官網(wǎng)
2.5、斯達(dá)半導(dǎo)
斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年4月，專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務(wù)，是目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興，在上海、重慶、浙江和歐洲均設(shè)有子公司，并在國內(nèi)和歐洲德國及瑞士設(shè)有研發(fā)中心，2020年在上海交易所主板上市。根據(jù)Omdia最新報(bào)告，2022年在全球IGBT模塊市場排名第五，是唯一進(jìn)入全球前五的中國企業(yè)。
公司芯片生產(chǎn)采取 Fabless 的模式，減小了投資風(fēng)險(xiǎn)，并加快了產(chǎn)品推向市場的速度。21年進(jìn)行了非公開發(fā)行，拓展高壓功率/SiC器件，轉(zhuǎn)向Fabless+IDM模式。
公司產(chǎn)品分功率芯片和功率模塊兩大類，主要包括IGBT、FRD、SiC芯片和模塊。其中IGBT模塊產(chǎn)品超過600種，電壓等級涵蓋100V～3300V，電流等級涵蓋10A～3600A。產(chǎn)品已被成功應(yīng)用于新能源汽車、新能源、工業(yè)控制、機(jī)車牽引、輸變電、白色家電等領(lǐng)域。公司是國內(nèi)新能源汽車市場主電機(jī)控制器用大功率車規(guī)級IGBT/SiC模塊的主要供應(yīng)商，2023年車規(guī)級IGBT模塊配套超過200萬套新能源汽車主電機(jī)控制器。
IGBT 模塊在新能源汽車領(lǐng)域中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，被廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制器、車載空調(diào)、充電樁等設(shè)備。IGBT 模塊的作用是交流電和直流電的轉(zhuǎn)換，同時(shí) IGBT 模塊還承擔(dān)電壓的高低轉(zhuǎn)換的功能。新能源汽車外界充電的時(shí)候是交流電，需要通過 IGBT 模塊轉(zhuǎn)變成直流電然后給電池，同時(shí)要把交流電壓轉(zhuǎn)換成適當(dāng)?shù)碾妷阂陨喜拍芙o電池組充電。新能源汽車電池放電的時(shí)候，把通過 IGBT 模塊直流電轉(zhuǎn)變成交流電機(jī)使用的交流電，同時(shí)起到對交流電機(jī)的變頻控制。
圖|斯達(dá)半導(dǎo)主要產(chǎn)品
來源：斯達(dá)半導(dǎo)官網(wǎng)
2.6、捷捷微電
江蘇捷捷微電子股份有限公司創(chuàng)建于1995年，是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件、電力電子元器件研發(fā)、制造和銷售的江蘇省高新技術(shù)企業(yè)。
公司晶閘管系列產(chǎn)品、二極管及防護(hù)系列產(chǎn)品采用垂直整合（IDM）一體化的經(jīng)營模式。公司MOSFET采用垂直整合（IDM）一體化的經(jīng)營模式和部分產(chǎn)品的委外流片相結(jié)合的業(yè)務(wù)模式。目前，芯片8英寸部分為委外流片，部分器件封測代工。
圖|捷捷微電產(chǎn)品系列
來源：捷捷微電公告
公司主營產(chǎn)品為各類電力電子器件和芯片，分別為：晶閘管器件和芯片、防護(hù)類器件和芯片（包括：TVS、放電管、ESD、集成放電管、貼片Y電容、壓敏電阻等）、二極管器件和芯片（包括：整流二極管、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管等）、厚膜組件、晶體管器件和芯片、MOSFET器件和芯片、 IGBT器件及組件、碳化硅器件等。
2.7、新潔能
無錫新潔能股份有限公司成立于2013年1月，擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導(dǎo)體、國硅集成電路四家子公司以及深圳分公司、寧波分公司。目前公司員工總共360余人，其中研發(fā)人員100余人。
公司的主營業(yè)務(wù)為 MOSFET、IGBT 等半導(dǎo)體功率器件及功率模塊的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售。公司憑借多年技術(shù)積累及持續(xù)自主創(chuàng)新，在國內(nèi)率先構(gòu)建了IGBT、屏蔽柵MOSFET （SGT MOSFET）、 超結(jié) MOSFET（SJ MOSFET）、溝槽型 MOSFET（Trench MOSFET）四大產(chǎn)品工藝平臺，并已陸續(xù)推出車規(guī)級功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模塊、柵極驅(qū)動 IC、電源管理 IC 等產(chǎn)品，可全面對標(biāo)國際一線大廠主流產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)大量替代。
公司結(jié)合大尺寸晶圓芯片（8英寸、12英寸）先進(jìn)工藝技術(shù)，開拓國際先進(jìn)功率器件封裝制造技術(shù)，全力推進(jìn)高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，持續(xù)布局半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)前沿的技術(shù)領(lǐng)域，并投入對SiC/GaN寬禁帶半導(dǎo)體、智能功率器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，提升公司核心產(chǎn)品競爭力和國內(nèi)外市場地位。
公司產(chǎn)品技術(shù)先進(jìn)且系列齊全，目前產(chǎn)品型號 3000 余款，電壓覆蓋 12V~1700V 全系列，重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域包括新能源汽車及充電樁、光伏儲能、AI 算力服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心、工控自動化、消費(fèi)電子、5G 通訊、機(jī)器人、智能家居、安防、醫(yī)療設(shè)備、鋰電保護(hù)等十余個(gè)長期被歐美日功率半導(dǎo)體壟斷供應(yīng)的行業(yè)。
圖|新潔能下游產(chǎn)品應(yīng)用占比
來源：新潔能公告
2.8、宏微科技
江蘇宏微科技股份有限公司（英文名MACMIC）成立于2006年，主營業(yè)務(wù)為電力半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造及銷售，主要產(chǎn)品：IGBT、VDMOS、FRED等芯片、分立器件、模塊等功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。公司自產(chǎn)IGBT、FRED芯片技術(shù)已達(dá)國際先進(jìn)、國內(nèi)領(lǐng)先水平，打破國外壟斷，填補(bǔ)了多項(xiàng)國內(nèi)的空白。公司采取 Fabless 模式，對于芯片及單管產(chǎn)品生產(chǎn)采用委托加工模式。
公司產(chǎn)品已涵蓋 IGBT、FRD、MOSFET 芯片及單管產(chǎn)品 300 余種，IGBT、FRD、MOSFET、 整流二極管及晶閘管等灌封和塑封模塊產(chǎn)品 600 余種，公司產(chǎn)品應(yīng)用于工業(yè)控制（變頻器、伺服 電機(jī)、UPS 及各種開關(guān)電源等），新能源發(fā)電（光伏逆變器、風(fēng)能變流器和電能質(zhì)量管理）、新能 源汽車（電控系統(tǒng)、充電樁和 OBC、DC 電源）等多元化應(yīng)用領(lǐng)域，公司產(chǎn)品性能與工藝技術(shù)處于 行業(yè)先進(jìn)水平。
圖|宏微科技部分產(chǎn)品
來源：宏微科技公告
2.9、東微半導(dǎo)
東微半導(dǎo)體成立于2008年，公司是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動型半導(dǎo)體企業(yè)，產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域。
在超級結(jié) MOSFET 領(lǐng)域，公司在高壓超級結(jié)技術(shù)領(lǐng)域積累了包括優(yōu)化電荷平衡技術(shù)、優(yōu)化柵極設(shè)計(jì)及緩變電容核心原胞結(jié)構(gòu)等行業(yè)領(lǐng)先的專利技術(shù)，產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了與國際領(lǐng)先廠商可比的水平。
在中低壓屏蔽柵 MOSFET 領(lǐng)域，公司亦積累了包括優(yōu)化電荷平衡、自對準(zhǔn)加工等核心技術(shù)，產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了國內(nèi)領(lǐng)先水平。
在 IGBT 領(lǐng)域，公司的 TGBT 產(chǎn)品是基于新型的 Trident Gate Bipolar Transistor(簡稱 Trigate IGBT)器件結(jié)構(gòu)的重大原始創(chuàng)新，基于此基礎(chǔ)器件專利，具備了趕超目前國際最為先進(jìn)的第七代 IGBT 芯片的技術(shù)實(shí)力。
在 SiC 領(lǐng)域，公司的 SiC 二極管、SiC MOSFET 均已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
圖|東微半導(dǎo)部分產(chǎn)品
來源：東微半導(dǎo)公告
2.10、臺基股份
湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司自2004年成立以來，一直專注于大功率晶閘管及模塊的研發(fā)、制造、銷售及相關(guān)服務(wù)。目前，公司已形成年產(chǎn)280萬只大功率晶閘管及模塊的生產(chǎn)能力，是我國銷量領(lǐng)先的大功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)商。
廣泛應(yīng)用于電氣控制系統(tǒng)和工業(yè)電源設(shè)備，包括冶金鑄造、電機(jī)驅(qū)動、電機(jī)節(jié)能、大功率電源、網(wǎng)絡(luò)能源、智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源等行業(yè)和領(lǐng)域。
公司采用垂直整合（IDM）一體化的經(jīng)營模式，具備自主技術(shù)的芯片設(shè)計(jì)、制程、封裝、測試完整產(chǎn)業(yè)鏈及研發(fā)中心。
主要產(chǎn)品有：大功率晶閘管（KK系列、KP系列、KS系列等，直徑范圍:0.5-5英寸，電流范圍200A-4000A，電壓范圍400V-7200V）；大功率半導(dǎo)體模塊（MTC系列、MFC系列、MDS系列、MTG系列等，電流范圍:26A-1500A，電壓范圍:400V-4500V）；功率半導(dǎo)體組件；電力半導(dǎo)體用散熱器等。
圖|臺基股份部分產(chǎn)品
來源：臺基股份官網(wǎng)
2.11、芯導(dǎo)科技
芯導(dǎo)科技(Prisemi)成立于2009年，專注于高品質(zhì)、高性能的模擬集成電路和功率器件的開發(fā)及銷售，總部位于上海市張江科學(xué)城。
公司產(chǎn)品主要包括功率器件和功率 IC,功率器件產(chǎn)品主要為 TVS（包括 ESD 保護(hù)器件）、 MOSFET、肖特基等；功率 IC 產(chǎn)品主要為電源管理 IC。
公司產(chǎn)品具有高性能、低損耗、低漏電、小型化的特點(diǎn)，可應(yīng)用于消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通訊、安防、工業(yè)、汽車、儲能等領(lǐng)域。公司在繼續(xù)深耕消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通訊、安防、工業(yè)等領(lǐng)域的同時(shí)，也在積極將產(chǎn)品向汽車電子、光伏儲能等領(lǐng)域拓展。
圖|芯導(dǎo)科技主要產(chǎn)品
來源：芯導(dǎo)科技官網(wǎng)
2.12、派瑞股份
西安派瑞功率半導(dǎo)體變流技術(shù)有限公司，是西安電力電子技術(shù)研究所的全資子公司，成立于2010年。派瑞公司承載著研究所40多年的技術(shù)傳承和積淀，掌握了世界上先進(jìn)的5英寸電控、光控閘管制造技術(shù);前瞻性地開發(fā)研制出更大容量的電力電子器件，其技術(shù)達(dá)到國際領(lǐng)先水平;建成了世界先進(jìn)水平的功率半導(dǎo)體器件研發(fā)生產(chǎn)基地，并擁有一流的工藝生產(chǎn)和測試試驗(yàn)設(shè)備以及完整的質(zhì)量管理體系;承擔(dān)了我國乃至世界諸多高壓直流輸電工程核心器件的研發(fā)和制造任務(wù)。
產(chǎn)品可分為高壓直流閥用晶閘管、普通元器件、電力電子裝置三大類。
圖|派瑞股份主要產(chǎn)品
來源：派瑞股份官網(wǎng)
公司高壓直流閥用晶閘管產(chǎn)品主要應(yīng)用于國家級超高壓、特高壓 輸電項(xiàng)目，技術(shù)含量較高，產(chǎn)品的應(yīng)用電壓區(qū)間為 6,500~10,000V，電流區(qū)間為 3,000~7,000A。
圖|派瑞股份主要產(chǎn)品
來源：公司官網(wǎng)
三、財(cái)務(wù)對比
因時(shí)代電氣有軌交業(yè)務(wù)，士蘭微有集成電路業(yè)務(wù)、華潤微有代工業(yè)務(wù)，本文對時(shí)代電氣新興產(chǎn)業(yè)、士蘭微功率器件、華潤微設(shè)計(jì)相關(guān)的營收、毛利率進(jìn)行拆分對比。因凈利潤、研發(fā)費(fèi)用、研發(fā)占營收比例等無單獨(dú)列示數(shù)據(jù)，按公司整體進(jìn)行對比分析。
3.1、功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收變化
圖|12家功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收/億元
來源：與非研究院整理
通過對比，時(shí)代電氣半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)2020-2024H1增長最快，2023年成為行業(yè)第一，營收由2020年19億元提升至2023年87億元，2024H1為41億元。
揚(yáng)杰科技2020-2022年?duì)I收持續(xù)增長，由2020年26億增長至2022年54億元，2022年排名第一，2023年?duì)I收維持54億元，2023-2024H1排名第二位。
士蘭微2020-2024H1持續(xù)增長，由2020年32億元增長至2023年48億元，2024H1為24億元，排名第三位。
華潤微2020年31億排名第一，2021年44億與揚(yáng)杰科技并列第一，2023年?duì)I收49億元排名降至第三，2023-2024H1營收略由下降，排名降至第四位，金額分別為47億元、23億元。
思達(dá)半導(dǎo)與捷捷微電2020-2021年并列五、六位，斯達(dá)半導(dǎo)2022-2024H1年?duì)I收增長加速，快速超過捷捷微電，維持排名第五，捷捷微電排名第六。
新潔能2020-2024H1長期排名第七，營收增長相對較慢。宏偉科技2020-2024H1營收由3億元增至15億元，相對排名第八。東微半導(dǎo)2023年后增長不大，排名第九。
臺基股份、芯導(dǎo)科技、派瑞股份2020-2024H1營收增長不明顯，分別排名第十、十一、十二。
3.2、扣非凈利潤變化
圖|扣非凈利潤/億元
來源：與非研究院整理
扣非凈利潤來看，時(shí)代電氣、華潤微和揚(yáng)杰科技表現(xiàn)出色，位居前列。時(shí)代電氣有軌交業(yè)務(wù)支撐，在凈利潤表現(xiàn)上，相對更為穩(wěn)定。華潤微、士蘭微等扣非凈利潤跟隨行業(yè)周期性變化比較明顯。
時(shí)代電氣2020-2021凈利潤不斷下降，分別為18.7億元、15.3億元，增速分別為-19.74%、-18.56%；2022-2024H1持續(xù)增長，分別為20億元、26億元、11.6億元，增速分別為31.02%、29.89%、24.77%。
華潤微有代工業(yè)務(wù)支撐，2020-2021年扣非凈利潤高速增長分別為8.5億、21億、25億、增速分別為313.52%、145.98%、7.30%，2023-2024H1扣非凈利潤大幅下降，分別為11.3億、2.9億，增速分別為-49.97%、-61.11%。
士蘭微2020-2021年凈利大幅增長，分別為-0.2億、9.0億，增速分別為80.48%、3907.82%，2022-2024H1凈利開始大幅下滑，分別為6.3億、0.6億、1.3億，增速分別為-29.49%、-90.67%、-22.39%。
揚(yáng)杰科技2020-2022年持續(xù)3年持續(xù)增長，分別為3.7億、7.1億、9.8億，增速分別為75.71%、92.48%、38.43%；2023年為7.0億，增速為-28.22%；2024H1為4.2億，增速為3.04%。
斯達(dá)半導(dǎo)2020-2023年持續(xù)4年增長，分別為1.6億、3.8億、7.6億、8.9億，增速分別為29.64%、143.27%、101.64%、16.25%；2024H1為2.7億，增速為-34.70%。
捷捷微電2020-2021年持續(xù)增長，分別為2.5億、4.6億，增速分別為35.91%、84.89%；2022-2023年出現(xiàn)一定下滑，分別為3.0億、2.0億，增速分別為-34.54%、-31.98%；但2024H1反轉(zhuǎn)為1.7億，增速為118%。
新潔能2020-2022年分別為1.4億、4.0億、4.1億，增速分別為53.82%、198.12%、0.97%、2023-2024H1為3.0億、2.1億，分別為-26.08%、55.21%
宏微科技、東微半導(dǎo)、臺基股份、芯導(dǎo)科技、派瑞股份凈利潤長期較小。
?3.3、研發(fā)投入變化
圖|研發(fā)費(fèi)用/億元
來源：與非研究院整理
時(shí)代電氣因?yàn)橛熊壗粯I(yè)務(wù)，研發(fā)投入排名第一，2020-2024H1分別為16.87億、16.90億、17.62億、20.21億、9.45億。
華潤微研發(fā)投入排名第二，2020-2024H1分別為5.66億、7.13億、9.21億、11.54億、5.74億。
士蘭微研發(fā)投入排名第三，2020-2024H1分別為4.29億、5.87億、7.13億、8.64億、4.87億。
揚(yáng)杰科技排名第四，2020-2024H1分別為1.81億、2.42億、2.93億、3.56億、1.97億。
斯達(dá)半導(dǎo)排名第五，2020-2024H1分別為0.77億、1.1億、1.89億、2.87億、1.51億
捷捷微電排名第六，2020-2024H1分別0.74億、1.32億、2.13億、2.57億、1.34億。
新潔能、宏微科技、東微半導(dǎo)、臺基股份、芯導(dǎo)科技、派瑞股份研發(fā)投入受限于營收，常年在1億元以下。
圖|研發(fā)占營收比例/%
來源：與非研究院整理
士蘭微、華潤微、斯達(dá)半導(dǎo)、宏微科技研發(fā)投入占營收比例大多維持在10%附近。
時(shí)代電氣2020-2021在10%以上，分別為10.52%、11.18%；2022-2024H1在10%以上，分別為9.77%、9.29%、9.19%。
捷捷微電2020-2021分別為7.36%、7.42%；2022年后維持在10%以上，2022-2024H1分別為11.68%、12.21%、10.61%。
芯導(dǎo)科技2020-2021分別為6.4%、6.19%；2022-2024H1增長至10%以上，分別為10.35%、13.47%、11.05%。
揚(yáng)杰科技、新潔能、東微半導(dǎo)、臺基股份、派瑞股份基本維持在3%-6%水平。
3.4、產(chǎn)品毛利率情況
圖|產(chǎn)品毛利率/%
來源：與非研究院整理
派瑞股份毛利率第一，2020-2024H1先降后升高，分別為53%、45%、50%、45%、69%。
捷捷微電毛利率第二，2020-2024H1分別為47%、48%、40%、34%、37%。
華潤微、斯達(dá)半導(dǎo)、新潔能、揚(yáng)杰科技、華潤微、士蘭微、芯導(dǎo)科技排在中游，宏微科技、東微半導(dǎo)、臺基股份毛利率相對偏低。
四、總結(jié)
通過以上對比分析，國內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)各具特色。時(shí)代電氣、士蘭微、華潤微、揚(yáng)杰科技綜合實(shí)力位于第一梯隊(duì)，斯達(dá)半導(dǎo)、捷捷微電、新潔能位于第二梯隊(duì)，宏微科技、東微半導(dǎo)、臺基股份、芯導(dǎo)科技、派瑞股份位于第三梯隊(duì)。
國內(nèi)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)模式中，IDM廠商占比50%， Fabless廠商占比33%，其余17%為Fabless+IDM并存。
國內(nèi)主要產(chǎn)品在晶閘管、IGBT、MOSFET，隨著營收和利潤的增長，國產(chǎn)替代不斷加速。第三代寬禁帶MOSFET碳化硅、氮化鎵正成為重點(diǎn)發(fā)展方向。
