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前述文章我們對國內(nèi)6家存儲企業(yè)的情況進(jìn)行了對比分析，對國內(nèi)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)在有了一定的了解。但是國內(nèi)企業(yè)發(fā)展晚，營收和利潤相對國際大廠來看還比較弱??；成熟制程占比多，先進(jìn)制程占比少；產(chǎn)品也存在很大的代差，先進(jìn)HBM3和LDDR5面臨較大挑戰(zhàn)。因當(dāng)前面臨各種限制，光刻機(jī)方向還未突破先進(jìn)制程，國內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)品選擇方向上比較偏傳統(tǒng)，且多是海外大廠逐步退出的小眾市場。但是從全球和國內(nèi)存儲市場空間來看，行業(yè)空間比較廣闊，國產(chǎn)替代大有可為。
本文對存儲器主要細(xì)分品類的存儲原理、全球和國內(nèi)市場空間、下游應(yīng)用市場空間等細(xì)分進(jìn)行了整理，以便大家對存儲行業(yè)有更深層的認(rèn)識。
一、存儲器分類
1.1、存儲主要分類
半導(dǎo)體存儲器市場主要包括DRAM、NAND Flash和NOR Flash 三種產(chǎn)品，DRAM和NAND Flash構(gòu)成半導(dǎo)體存儲器最主要的組成部分。
圖|存儲主要分類和對比
來源：與非研究院整理
其中，DRAM占存儲市場規(guī)模的比例高達(dá)61%，NAND Flash約占36%左右的市場份額，NOR Flash占據(jù)2%市場份額。
圖|存儲主要分類及占比
來源：與非研究院整理
根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告，2022 年，我國存儲芯片市場規(guī)模約5170 億元，同比下降5.9%，2023年市場規(guī)模約為5400 億元。當(dāng)前新一輪人工智能浪潮爆發(fā)，由AI 服務(wù)器帶來存儲芯片新的增量需求，有分析師預(yù)測，2024 年市場規(guī)模將恢復(fù)增長至5513 億元。
2019-2024中國存儲市場規(guī)模/億元
來源：與非研究院整理
1.2、利基型存儲市場
2024 年全球存儲市場總規(guī)模約 1500 億美元，其中，利基型存儲占存儲總市場約 10%。
利基型存儲的三大主要品類為例，NOR Flash 方面，據(jù) Mordor Intelligence 預(yù)測，2024 年全球市場規(guī)模 26.9 億美元，并預(yù)計(jì) 2029 年增長至 36 億美元；SLC NAND 方面，2024 年全球市場規(guī)模為 23 億美元；利基型 DRAM 方面，2024 年全球市場規(guī)模約為 95.7 億美元。
據(jù)臺媒報(bào)道，三星、SK 海力士及美光將產(chǎn)能切換至 HBM 與 DDR5 產(chǎn)品，并在 2024 年下半年停止供應(yīng)利基型 DRAM。其中三星計(jì)劃在二季度末停產(chǎn) DDR3；海力士已在 2023 年年底將大陸無錫廠 DDR3 產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn) DDR4；而美光計(jì)劃大幅減少 DDR3 供應(yīng)量。
隨著數(shù)據(jù)中心和 PC 對標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 容量和帶寬提出更高需求，疊加 AI 手機(jī)、AI PC 概念發(fā)酵，主流存儲廠商將產(chǎn)能大規(guī)模轉(zhuǎn)移至 HBM 和 DDR5 等高性能產(chǎn)品，DDR4 及 DDR3 庫存水位相對下降。
國內(nèi)諸多廠商主要側(cè)重于中小容量存儲產(chǎn)品：SRAM、利基型 DRAM、SLC NAND、NOR Flash、EEPROM 等品類均有國產(chǎn)存儲廠商切入，在各自市場鋪開產(chǎn)品線。
圖|國內(nèi)廠商產(chǎn)品線布局
來源：與非研究院整理
二、存儲工作原理
2.1、DRAM
DRAM存儲元內(nèi)包含MOS管和電容單元，MOS管是有電壓閾值的電控開關(guān)，達(dá)到一定電壓就會成為導(dǎo)體，否則就是絕緣體。當(dāng)為MOS管輸入高電平（即電壓達(dá)到閾值），電容內(nèi)保存的電荷就會往外流，此時(shí)外部如果接收到電信號，則此時(shí)為“輸出1”；同理，若是此時(shí)外部施加的高電平信號，則會讓電荷流進(jìn)存儲元內(nèi)的電容單元，此時(shí)為“輸入1”。
一條字選線產(chǎn)生的同一個(gè)電信號可以控制8個(gè)存儲單元，每次可以同時(shí)讀出或?qū)懭胍徽写鎯υ鎯Φ亩M(jìn)制信息，稱為一個(gè)存儲字。多個(gè)存儲字稱為存儲體。
2.2、NAND Flash
Flash 可按照位線架構(gòu)不同，分為 NAND Flash 和 NOR Flash。NAND 和 NOR Flash 的存儲單元工作原理相同，但排列方式不同。
NAND 型 Flash 各存儲單元之間是串聯(lián)的，全部存儲單元分為若干個(gè)塊，每個(gè)塊又分為若干個(gè)頁，每個(gè)頁是 512 字節(jié)。這種串聯(lián)結(jié)構(gòu)決定了 NAND 無法進(jìn)行位讀取，也就無法實(shí)現(xiàn)存儲單元的獨(dú)立尋址，因此程序不可以直接在 NAND 中運(yùn)行。NAND 是以頁為讀取單位和寫入單位，以塊為擦除單位?；敬鎯卧拇?lián)結(jié)構(gòu)減少了金屬導(dǎo)線占用的面積，因此 NAND 的存儲密度更高，適用于需要大容量存儲的應(yīng)用場合。NAND 的寫入采用 F-N 隧道效應(yīng)方式，效率較高，適用于頻繁擦除/寫入場合。
2.3、NOR Flash
NOR Flash 的結(jié)構(gòu)中每個(gè)存儲單元是并聯(lián)的，可以實(shí)現(xiàn)按位讀取。這種并聯(lián)結(jié)構(gòu)決定了其具有存儲單元可獨(dú)立尋址，因此適合儲存代碼，且程序可以直接在 NOR 中運(yùn)行。存儲單元的并聯(lián)結(jié)構(gòu)還決定了金屬導(dǎo)線占用很大的面積，因此 NOR Flash 的存儲密度較低，無法適用于需要大容量存儲的應(yīng)用場合。NOR Flash 的寫入采用了熱電子注入方式，效率較低，因此 NOR 寫入速率較低，不適用于頻繁擦除/寫入場合。
三、DRAM
3.1、DRAM分類
根據(jù)產(chǎn)品規(guī)格不同，DRAM 可分為主流 DRAM 和利基型 DRAM。
?利基型DRAM的特點(diǎn)包括?：定制化?：利基型DRAM多為定制化產(chǎn)品，根據(jù)特定應(yīng)用需求設(shè)計(jì)，因此價(jià)格相對穩(wěn)定。小容量?：通常應(yīng)用于小容量設(shè)備，如游戲機(jī)、機(jī)頂盒等。市場小?：市場規(guī)模較小，競爭不如普通型DRAM激烈。
?普通型DRAM的特點(diǎn)包括?：廣泛應(yīng)用?：普通型DRAM應(yīng)用范圍廣泛，市場需求大。價(jià)格波動大?：價(jià)格受市場供需影響較大，波動較為明顯。
總體而言，利基型DRAM更適合特定應(yīng)用場景，而普通型DRAM則適用于更廣泛的市場需求和更高的市場競爭環(huán)境。
3.2、按技術(shù)及應(yīng)用分類
DRAM 根據(jù)內(nèi)存技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域，主要劃分為 DDR、LPDDR、GDDR 和 HBM 系列產(chǎn)品。 其中利基型 DRAM 品類主要集中于 DDR 和 LPDDR。
目前主流 DRAM 產(chǎn)品下游應(yīng)用為數(shù)據(jù)中心、PC、手機(jī)和圖形顯示卡，而利基型產(chǎn)品為 DDR2 及以下產(chǎn)品、4Gb 以下的 DDR3、 8Gb 以下的 DDR4。
從 2009 年發(fā)布的第一代 LPDDR 發(fā)展至 2022 年最新發(fā)布的 LPDDR5X 產(chǎn)品，利基型 LPDDR 主要集中在 LPDDR4 及之前代際的產(chǎn)品，適用于可穿戴/遙控設(shè)備等便攜式產(chǎn)品。 終端客戶多追求成本效益，或產(chǎn)品生命周期較長。
利基型 DRAM 廠商下游客戶包含主控芯片廠商和模組廠商，終端應(yīng)用涵蓋消費(fèi)電子、通信、物聯(lián)網(wǎng)、工控、車規(guī)等廣泛領(lǐng)域。
當(dāng)主流 DRAM 廠商推出新一代產(chǎn)品時(shí)，存儲容量升級的同時(shí)售價(jià)也會更高，而 TV、電子游戲機(jī)等消費(fèi)電子終端產(chǎn)品面臨消費(fèi)者的價(jià)格壓力，會采用較為便宜但功能符合需求的材料，因此在 DRAM 的選擇上不會傾向使用最新一代的產(chǎn)品。對于工控和車規(guī)客戶來說，一些產(chǎn)品的生命周期長達(dá)十年左右，長久且穩(wěn)定的 DRAM 供貨是利基型廠商的制勝關(guān)鍵。
3.3、全球DRAM規(guī)模和市場格局
圖|全球DRAM市場規(guī)模
來源：與非研究院整理
2024三季度全球DRAM市場規(guī)模258.50億美元，環(huán)比增長10.4%，同比增長96.5%。其中，三星三季度DRAM銷售收入達(dá)102.12億美元，環(huán)比增長5.4%，市場份額39.5%；SK海力士三季度DRAM銷售收入達(dá)89.76億美元，環(huán)比增長13.6%，市場份額34.7%；美光三季度（6-8月）DRAM銷售收入達(dá)53.26億美元，環(huán)比增長13.5%，市場份額20.6%；南亞科技三季度DRAM銷售收入達(dá)2.53億美元，環(huán)比減少17.4%，市場份額1.0%；華邦電子三季度DRAM銷售收入達(dá)1.54億美元，環(huán)比減少8.1%，市場份額0.6%。
圖|2024三季度全球DRAM市場份額占比
來源：與非研究院整理
3.4、國內(nèi)DRAM市場規(guī)模及細(xì)分領(lǐng)域
得益于智能手機(jī)、電腦等消費(fèi)電子設(shè)備的持續(xù)發(fā)展，尤其是高性能智能手機(jī)和電腦的應(yīng)用程序對內(nèi)存容量的要求日益提高，我國DRAM需求快速增長。到目前我國已是全球最大的DRAM市場，需求占全球三分之一。
據(jù)統(tǒng)計(jì)，2023年我國DRAM存儲器市場規(guī)模為2580.1億元，其中電腦領(lǐng)域DRAM存儲器規(guī)模為332.1億元，手機(jī)領(lǐng)域DRAM存儲器規(guī)模為997.2億元，服務(wù)器領(lǐng)域DRAM存儲器規(guī)模為387億元，消費(fèi)電子領(lǐng)域DRAM存儲器規(guī)模為241.2億元，顯卡領(lǐng)域DRAM存儲器規(guī)模為191.2億元，其他領(lǐng)域DRAM存儲器規(guī)模為431.4億元。這一組數(shù)據(jù)說明，當(dāng)前手機(jī)領(lǐng)域是我國DRAM主要應(yīng)用領(lǐng)域，占比38.65%。
圖|2023年國內(nèi)DRAM市場及占比
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3.5、利基 DRAM 市場空間
據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，2021 年利基型 DRAM 的市場規(guī)模約 90 億美元，在總 DRAM 市場中占比約 9.5%。短期來看，三大原廠的存貨需要一段時(shí)間出清，臺灣產(chǎn)商如華邦、南亞科在 DRAM 領(lǐng)域深耕多年，市場份額較高，能夠率先接替三大原廠的市場份額。長期來看，國產(chǎn)廠商的利基型 DRAM 制程逐漸成熟，能夠通過國產(chǎn)替代獲得市場份額。
圖|利基型DRAM和非利基型DRAM占比
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四、NAND Flash
4.1、NAND Flash分類
NAND 是目前主流的閃存技術(shù)，屬于非易失性存儲芯片，在計(jì)算機(jī)、服務(wù)器和智能手機(jī)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。按單位存儲比特?cái)?shù)的不同，NAND 又可細(xì)分為 SLC、MLC、TLC 及 QLC 四種顆粒類型。
根據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用劃分，NAND Flash 顆粒廣泛應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲產(chǎn)品（eMMC）、存儲卡（SD 卡）、U 盤中。
第一代SLC（Single-Level Cell）每單元可存儲1比特?cái)?shù)據(jù)(1bit/cell)，性能好、壽命長，可經(jīng)受10萬次編程/擦寫循環(huán)，但容量低、成本高。
第二代MLC（Multi-Level Cell）每單元可存儲2比特?cái)?shù)據(jù)(2bits/cell)，性能、壽命、容量、成各方面比較均衡，可經(jīng)受1萬次編程/擦寫循環(huán)。
第三代TLC（Trinary-Level Cell）每單元可存儲3比特?cái)?shù)據(jù)(3bits/cell)，性能、壽命變差，只能經(jīng)受3千次編程/擦寫循環(huán)，但是容量可以做得更大，成本也可以更低，是當(dāng)前最普及的。
TLC又有2D-TLC與3D-TLC兩種，目前市面上以3D-TLC居多。3D-TLC又再細(xì)分為32層3D-TLC、64層3D-TLC、96層3D-TLC以及最新的128層3D-TLC。三星、SK海力士等大廠紛紛向更具競爭力的超過300層、400層堆疊的3D NAND Flash邁進(jìn)
第四代QLC（Quad-Level Cell）每單元可存儲4比特?cái)?shù)據(jù)(4bits/cell)，性能、壽命進(jìn)一步變差，只能經(jīng)受1000次編程/擦寫循環(huán)，但是容量更容易提升，成本也繼續(xù)降低。
來源：與非研究院整理
目前在SLC、MLC、TLC、QLC閃存顆粒中，TLC已經(jīng)是主角，QLC是未來發(fā)展趨勢。
4.2、全球 NAND FLASH 市場規(guī)模
根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù)，2023 年全球 NAND FLASH 市場規(guī)模約為 397.6 億美元，預(yù)計(jì) 2024 年達(dá)到 656.1 億美元水平，同比增長 65%，2019-2024 年期間 CAGR 為 7.4%。
圖|NAND全球市場規(guī)模
來源：與非研究院整理
全球 NAND Flash 廠商主要有三星電子、鎧俠、SK 海力士、西部數(shù)據(jù)、美光科技等，行業(yè)集中度較高，競爭格局較為穩(wěn)定。
4.3、2024三季度全球規(guī)模和市場格局
據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2024年三季度全球NAND Flash市場規(guī)模環(huán)比增長5.7%至190.21億美元，同比增長93.9%。DRAM市場規(guī)模環(huán)比增加10.4%至258.5億美元。全球存儲市場規(guī)模三季度環(huán)比增長8.3%至448.71億美元。2024年前三季度，全球存儲市場規(guī)模累計(jì)達(dá)1202.25億美元，同比增長96.8%。
圖|2024三季度全球NAND Flash銷售額及占比
來源：與非研究院整理
三星三季度NAND Flash銷售收入達(dá)62.60億美元，環(huán)比增長1.9%，市場份額32.9%；SK海力士三季度NAND Flash銷售收入達(dá)36.41億美元，環(huán)比減少1.9%，市場份額19.1%；鎧俠三季度NAND Flash銷售收入達(dá)32.35億美元，環(huán)比增長17.5%，市場份額17.0%；美光三季度（6-8月）NAND Flash銷售收入達(dá)23.65億美元，環(huán)比增長14.5%，市場份額12.4%；西部數(shù)據(jù)三季度NAND Flash銷售收入達(dá)18.84億美元，環(huán)比增長7.0%，市場份額9.9%。
4.4、SLC細(xì)分市場空間
SLC NAND 市場競爭格局分散，海外大廠騰出 SLC NAND 市場份額。高堆疊層數(shù)、大容量的 3D NAND 是閃存行業(yè)的發(fā)展趨勢，未來三星、海力士、鎧俠、美光等海外存儲芯片巨頭將逐步退出中小容量的 SLC NAND 市場，專注在 3D TLC NAND 和 3D QLC NAND 領(lǐng)域展開角逐，因此全球 SLC NAND 市場競爭者減員，市場空間將逐漸釋放。
目前國內(nèi)廠商中，SLC NAND 市場份額以中國臺灣的華邦和旺宏為主，并涌現(xiàn)出兆易創(chuàng)新、東芯股份等大陸廠商占據(jù)一定的份額。隨著海外巨頭轉(zhuǎn)戰(zhàn)主流 NAND 市場，國內(nèi)公司聚焦于中小容量通用型存儲芯片的優(yōu)勢開始展現(xiàn)，未來增長空間可觀。
根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，在物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子和汽車電子等下游新興應(yīng)用場景不斷豐富的帶動下，2019-2024 年 SLC NAND 全球市場規(guī)模 CAGR 達(dá)到 6.8%，2024 年將達(dá)到 23.2 億美元。由于存在不可替代的特性，未來 SLC NAND 將繼續(xù)在全球 NAND 市場中占據(jù)固定份額。
不同于消費(fèi)類產(chǎn)品，5G 通訊設(shè)備需要能實(shí)現(xiàn)高速且穩(wěn)定可靠工作的存儲芯片作為數(shù)據(jù)站點(diǎn)，要適應(yīng)室外環(huán)境溫度的多變以保持不間斷工作，因此中高容量的寬溫 SLC NAND 是一個(gè)理想的解決方案。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院對 5G 新增基站的預(yù)測，2024 年 SLC NAND 通信市場規(guī)模為 4591 萬美元，預(yù)計(jì) 2025/2026 年達(dá) 6294.2/7757.9 萬美元，2022-2026 年 CAGR 達(dá) 57.7%。
根據(jù)美光數(shù)據(jù)，假設(shè) L0/L1/L2/L3/L4/L5 單車的 SLC NAND 容量需求范圍為 8Gb-128Gb。結(jié)合全球汽車銷量及各等級車滲透率預(yù)測，2024 年車規(guī) SLC NAND 市場規(guī)模為 4.6 億美元，預(yù)計(jì) 2025/2027 年達(dá) 5.0/3.8 億美元，2022-2027 年 CAGR 達(dá) 8.6%。
五、NOR Flash
NOR Flash 的應(yīng)用范圍很廣，包括手機(jī)，PC，可穿戴電子設(shè)備，以及汽車、安防、工控、基站、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等。由于其產(chǎn)品特性和汽車中很多應(yīng)用場景十分契合，例如中控顯示屏和后視攝像頭等對響應(yīng)性的需求，以及汽車對零部件耐高溫的需求，NOR Flash 在車規(guī)閃存中仍處于主導(dǎo)地位。
5.1、NOR Flash市場規(guī)模
中商產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告顯示，2023年全球NOR Flash市場規(guī)模22.54億美元。且預(yù)測NOR Flash總體市場規(guī)模將在持續(xù)增長，預(yù)計(jì)2024年全球NOR Flash市場規(guī)模將達(dá)到26.99億美元，2025年將達(dá)到34.57億美元。
圖|NOR Flash全球市場規(guī)模
來源：中金企信、與非研究院整理
根據(jù)中金企信預(yù)測，NOR Flash總體市場規(guī)模將在未來5年持續(xù)增長，2024年，全球NOR Flash市場規(guī)模將達(dá)到26.99億美元，同比增長19.74%，2023-2028年的年均復(fù)合增長率為9.17%。
據(jù)統(tǒng)計(jì)，截至2022年我國NOR FLASH產(chǎn)量約為36.61億片，需求量約為37.11億片。
圖|NOR中國市場規(guī)模
來源：與非研究院整理
5.2、NOR Flash 應(yīng)用市場
（1）消費(fèi)電子
隨著蘋果推出 AirPods 產(chǎn)品并取消有線耳機(jī)的插口，自 2019 年開始 TWS 耳機(jī)迎來了爆發(fā)增長。TWS 耳機(jī)擺脫了連接線的束縛，便攜性大大提升，同時(shí)增加了各類功能（如主動降噪、手勢控制等）。TWS 耳機(jī)一般采用 2Mb-256Mb 容量的 NOR Flash，中高端 TWS 耳機(jī)采用低功耗（主要為 1.8V）NOR Flash。
（2）汽車電子
NOR Flash 在汽車電子中被廣泛應(yīng)用，如 ADAS 系統(tǒng)、車載娛樂系統(tǒng)、智能駕駛系統(tǒng)及導(dǎo)航系統(tǒng)等。汽車電子對于 NOR Flash 的容量、壽命和可靠性均有極高的要求。容量方面，汽車電子中所使用的 NOR Flash 主要涵蓋 128Mb～2Gb的存儲范疇。使用壽命達(dá) 10 年以上，工作環(huán)境溫度可達(dá)-40℃～125℃。汽車顯示系統(tǒng)和 ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)）是汽車電子中 NOR Flash 應(yīng)用較多的系統(tǒng)。
2023年全球車用NOR Flash市場規(guī)模大約為6.93億美元，預(yù)計(jì)2030年將達(dá)到15.58億美元，2024-2030期間年復(fù)合增長率（CAGR）為11.5%。
全球車用NOR Flash核心廠商有英飛凌、旺宏電子、美光科技、華邦電子和兆易創(chuàng)新等，前五大廠商占有全球大約84%的份額。中國是最大的車用NOR Flash市場，占有大約32%份額，之后是北美和歐洲，分別占有25%和21%的市場份額。產(chǎn)品類型而言，1.8V是最大的細(xì)分，占有大約39%的份額。就下游來說，ADAS是最大的下游領(lǐng)域，占有51%份額。
（3）工業(yè)控制
智能電表具備綜合的電能數(shù)據(jù)采集能力，包括電壓、電流、有功電量、無功電量、功率等關(guān)鍵數(shù)據(jù)。它不僅支持預(yù)付費(fèi)和遠(yuǎn)程管理，還支持遠(yuǎn)程負(fù)荷控制功能。同時(shí)，智能電表通過雙向通信功能，為未來家庭自動化網(wǎng)絡(luò)提供數(shù)據(jù)網(wǎng)關(guān)支持。
如國內(nèi)三表市場（外加北方熱表）對NOR Flash需求上升，其中基于國內(nèi)最新規(guī)范的IR46智能電表，對NOR Flash的采購量會很快出現(xiàn)。
（4）5G 基站
NOR Flash 可在 5G 設(shè)備初始響應(yīng)和啟動時(shí)提供更高可靠性和更低延時(shí)的啟動配置支撐。由于 5G 基站運(yùn)行環(huán)境的特殊性（運(yùn)行溫度-40℃～105℃，至少保證 10 年以上壽命），應(yīng)用在 5G 基站設(shè)備中的 NOR Flash 通常至少需滿足工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)，對 NOR Flash 的要求需滿足“高容量+高性能+高可靠性”。
（5）物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備
物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的特點(diǎn)是具備網(wǎng)絡(luò)連接功能與簡單的計(jì)算能力，與手機(jī)、計(jì)算機(jī)等設(shè)備相比，一般的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備對存儲空間要求較低，一般在幾兆（Mb）至幾百兆之間。NOR Flash 主要用來存儲代碼及部分?jǐn)?shù)據(jù)，具備隨機(jī)存儲、可靠性強(qiáng)、讀取速度快及芯片內(nèi)執(zhí)行等特性，被認(rèn)為是物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備代碼閃存應(yīng)用的首選。
5.3、市場格局
國外廠商淡出 NOR Flash 市場，本土廠商涌現(xiàn)搶占市場份額。根據(jù) IC Insights 的數(shù)據(jù)，2020 年 NOR Flash 市場前四大企業(yè)占據(jù)了近 75%的市場份額。隨著賽普拉斯、美光等國外企業(yè) NOR Flash 技術(shù)接近極限，更專注于投入于車規(guī)和工控用高容量 NAND Flash 的生產(chǎn)，頭部海外廠商將逐步放棄 NOR Flash 市場。
根據(jù) IC Insights 的數(shù)據(jù)，2021 年，華邦電子（臺）、旺宏電子（臺）、兆易創(chuàng)新三家企業(yè)在 NOR Flash 市場的市占率合計(jì)超過 90%，此外，中國廠商中還涌現(xiàn)出普冉股份和恒爍股份等一批新玩家。
隨著通訊、物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子和汽車電子相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品在功能上的不斷豐富，下游應(yīng)用產(chǎn)品對 NOR Flash 的容量需求逐漸提升，例如 TWS 耳機(jī)的降噪新功能和智能手表的生物識別新功能均對 NOR Flash 的容量提出了更高要求。例如，東芯股份專注于中大容量 NOR Flash，采用了主流的 ETOX 工藝，容量從 64Mb 覆蓋到 1Gb，產(chǎn)品具有低功耗、編程速度快、適應(yīng)極端溫度環(huán)境、耐久性出色和數(shù)據(jù)保持時(shí)間長等性能。
由于下游新興應(yīng)用的帶動，大容量 NOR Flash 正在成為新的發(fā)展趨勢，根據(jù)預(yù)測 2022-2027 年 NOR Flash 在 5G 基站、 車載電子、AMOLED 和 TWS 耳機(jī)上的市場規(guī)模 CAGR 分別為 48.2%14.7%/5.7%/35.3%， 2027 年市場規(guī)模分別達(dá)到 2.8/39.4/17.6/24.2 億元。
六、EEPROM
EEPROM 是一類通用型的非易失性存儲芯片，主要用于各類設(shè)備中存儲小規(guī)模、經(jīng)常需要 修改的數(shù)據(jù)，通?？纱_保 100 年 100 萬次擦寫，容量范圍介于 1Kb-2Mb 之間。EEPROM是在斷電后仍能保留所存儲的數(shù)據(jù)信息，相比Flash具有更高的可靠性。
EEPROM通常用于保存開發(fā)者信息、生產(chǎn)時(shí)間、內(nèi)存信息、通信協(xié)議、既定內(nèi)存頻率、供電電壓、供電電流、物理信息等信息，被廣泛應(yīng)用于家用電器、智能電表、智能家居、汽車電子等領(lǐng)域中。
EEPROM 按照應(yīng)用領(lǐng)域可劃分為工業(yè)級 EEPROM 和汽車級 EEPROM，其中工業(yè)級 EEPROM 主要應(yīng)用于智能手機(jī)攝像頭模組、液晶面板、工業(yè)控制、通訊、藍(lán)牙模塊、計(jì)算機(jī)及周邊、白色家電、醫(yī)療儀器等 領(lǐng)域；汽車級 EEPROM 則具備更可靠的性能、更強(qiáng)的溫度適應(yīng)能力和抗干擾能力，在汽車智能 座艙、視覺感知、底盤與車身以及新能源汽車的三電系統(tǒng)等領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。
2023年全球電可擦除可編程只讀存儲器EEPROM市場規(guī)模大約為9.22億美元，預(yù)計(jì)2030年將達(dá)到13.95億美元，2024-2030期間年復(fù)合增長率（CAGR）為6.0%。
全球電可擦除可編程只讀存儲器EEPROM主要廠商包括STMicroelectronics、Microchip、聚辰半導(dǎo)體、ON Semiconductor、普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司等，前五名廠商占有率約76%。亞太地區(qū)是最大的市場，份額約為78%，其次是北美和歐洲，份額分別為11%和8%。從產(chǎn)品類型來看，≤16Kbit是最大的細(xì)分市場，占據(jù)29%的份額。從應(yīng)用來看，消費(fèi)電子是最大的細(xì)分領(lǐng)域，占比約65%。
七、存儲發(fā)展趨勢
國際廠商聚焦HBM和DDR5
隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對高性能存儲的需求大幅增加。特別是 AI 服務(wù)器對芯片內(nèi)存容量和傳輸帶寬的更高要求，促使 HBM 成為 AI GPU 存儲單元的理想方案和關(guān)鍵部件，HBM 的需求呈現(xiàn)井噴式增長。
DDR5 的帶寬更高，能夠支持更快的數(shù)據(jù)傳輸速度，滿足現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)對內(nèi)存性能的更高要求；同時(shí)，DDR5 在功耗管理方面也進(jìn)行了優(yōu)化，降低了功耗，提高了能源效率。這些優(yōu)勢使得 DDR5 在服務(wù)器、PC 等市場中具有很強(qiáng)的競爭力。
國內(nèi)廠商發(fā)力中小容量
因?yàn)橹瞥滔拗?，國?nèi)廠商只能聚焦于國外大廠退出的中小容量的存儲領(lǐng)域，在NOR領(lǐng)域兆易創(chuàng)新進(jìn)入全球前二；在EEPROM領(lǐng)域，聚辰半導(dǎo)體和普冉半導(dǎo)體進(jìn)入全球前五；NAND和利基型DRAM領(lǐng)域都有一定的突破，但發(fā)展歷程會相對艱難。面對5513億的國內(nèi)存儲市場，未來國產(chǎn)替代空間非常廣闊。
