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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊是一種與MOSFET類(lèi)似的功率電子器件，主要用于控制和放大電力。它具有低開(kāi)關(guān)損耗、高開(kāi)關(guān)速度和高輸入阻抗等優(yōu)點(diǎn)，可用于直流至交流轉(zhuǎn)換器、逆變器、PWM（Pulse Width Modulation）控制以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。
1.什么是IGBT模塊
IGBT模塊是由IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路、散熱結(jié)構(gòu)等組成的集成模塊化器件。IGBT芯片本質(zhì)上是一個(gè)雙極晶體管和一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的復(fù)合器件，在工作時(shí)既有MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，又有雙極晶體管的開(kāi)關(guān)能力和飽和壓降小的優(yōu)點(diǎn)。
2.IGBT模塊工作原理
對(duì)于NPT-IGBT（Non-Punch Through IGBT）模塊，當(dāng)VGE（Gate-Emitter Voltage）大于門(mén)極閾值電壓時(shí)，導(dǎo)通區(qū)會(huì)形成一條溝道，使得漂移區(qū)中電子濃度減小，進(jìn)而導(dǎo)致P區(qū)殼中陽(yáng)極電子擴(kuò)散區(qū)的電荷密度增加，PN結(jié)反向偏壓也會(huì)增大，導(dǎo)通區(qū)域會(huì)通過(guò)MOSFET漂移區(qū)引起P-N結(jié)管中的導(dǎo)通。
3.IGBT模塊應(yīng)用
IGBT模塊廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如變頻空調(diào)、電動(dòng)汽車(chē)、UPS（Uninterrupted Power Supply）系統(tǒng)、太陽(yáng)能發(fā)電等。在這些應(yīng)用中，IGBT模塊起到了關(guān)鍵的功率轉(zhuǎn)換和控制作用，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。
