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動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō)，周期性地充電是一個(gè)無(wú)可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來(lái)說(shuō)，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō)，周期性地充電是一個(gè)無(wú)可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來(lái)說(shuō)，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。收起

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    存儲(chǔ)大廠獲數(shù)百億補(bǔ)貼擴(kuò)產(chǎn)尖端DRAM，最新市況如何？
    近日美光表示獲得美國(guó)61.65億美元（約為人民幣450億元）的直接資金資助，計(jì)劃用于加強(qiáng)尖端DRAM供應(yīng)能力。兩個(gè)月時(shí)間里，美國(guó)芯片法案補(bǔ)貼計(jì)劃已公布9家。另外近日存儲(chǔ)市場(chǎng)動(dòng)態(tài)頻頻，三星、Marvell、鎧俠等相繼披露了最新進(jìn)展。
  • Samsung、Hynix、Micron存儲(chǔ)器御三家財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)及2025年預(yù)測(cè)
    Samsung、Hynix、Micron存儲(chǔ)器御三家財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)及2025年預(yù)測(cè)
    之前，我已經(jīng)做了全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)了。后來(lái)和行業(yè)人士核對(duì)了一下我的預(yù)測(cè)結(jié)論，大方向上彼此還是基本一致的：明年無(wú)論DRAM還是NAND的價(jià)格都會(huì)出現(xiàn)下跌，但出貨量的上漲會(huì)有一些對(duì)沖作用；明年HBM的市場(chǎng)大約會(huì)占DRAM市場(chǎng)的10%左右，對(duì)整體市場(chǎng)規(guī)模會(huì)有一些支撐
  • 1500億晶圓大廠開(kāi)始訂購(gòu)設(shè)備
    1500億晶圓大廠開(kāi)始訂購(gòu)設(shè)備
    三星電子開(kāi)始投資可大規(guī)模生產(chǎn)的“1c” DRAM。據(jù)了解，近期已向相關(guān)合作伙伴訂購(gòu)了生產(chǎn)設(shè)備，安裝工作將于明年2月左右開(kāi)始。由于1c DRAM是決定三星電子下一代HBM4競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵要素，因此看來(lái)正在為及時(shí)量產(chǎn)該產(chǎn)品做好準(zhǔn)備。
  • 存儲(chǔ)廠商沒(méi)有笑出雙十一
    存儲(chǔ)廠商沒(méi)有笑出雙十一
    國(guó)內(nèi)市場(chǎng)DRAM現(xiàn)貨價(jià)格在整個(gè)11月份持續(xù)走低，尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴(yán)重。相比之下，NAND閃存價(jià)格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內(nèi)估計(jì)，雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%，平均售價(jià)下降約 9%。在產(chǎn)品價(jià)格貢獻(xiàn)方面，2024年雙十一期間，SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一，長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼，在京東實(shí)現(xiàn)了SSD品類交易總額（GMV）和銷量的雙料第一，超過(guò)了三星。
  • 全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè)（更新版）
    全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè)（更新版）
    過(guò)去，我一直是直接把Dram Exchange公布的季度市場(chǎng)數(shù)據(jù)拿過(guò)來(lái)參考使用的。不過(guò)最近我扒了三星、海力士、美光的財(cái)報(bào)以后，發(fā)現(xiàn)這幾家財(cái)報(bào)上公布的數(shù)據(jù)和DramExchange的數(shù)據(jù)有些許差異，而且這些差異也并不僅僅是匯率換算的問(wèn)題導(dǎo)致的所以，這次我把兩個(gè)來(lái)源的數(shù)據(jù)加以整合后進(jìn)行了一些調(diào)整。
  • 全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)分析及預(yù)測(cè)（2024-Q3）
    全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)分析及預(yù)測(cè)（2024-Q3）
    今天講講半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件（DRAM、NAND）的市場(chǎng)數(shù)據(jù)。過(guò)去，我一直是直接把DramExchange公布的季度市場(chǎng)數(shù)據(jù)拿過(guò)來(lái)參考使用的。不過(guò)最近我扒了三星、海力士、美光的財(cái)報(bào)以后，發(fā)現(xiàn)這幾家財(cái)報(bào)上公布的數(shù)據(jù)和DramExchange的數(shù)據(jù)有些許差異，而且這些差異也并不僅僅是匯率換算的問(wèn)題導(dǎo)致的
  • 華邦電子攜手生態(tài)合作伙伴，共塑存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)新未來(lái)
    華邦電子攜手生態(tài)合作伙伴，共塑存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)新未來(lái)
    在數(shù)字化浪潮的推動(dòng)下，全球電子產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷著前所未有的變革。隨著人工智能（AI）、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和邊緣計(jì)算技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)于存儲(chǔ)解決方案的需求也在不斷增長(zhǎng)和演變，同時(shí)也對(duì)存儲(chǔ)器件提出了更高要求：更大的存儲(chǔ)容量和帶寬、更低的功耗、更高的安全性等。 在此背景下，華邦電子作為全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商，憑借其在存儲(chǔ)領(lǐng)域的深厚積累和技術(shù)創(chuàng)新，正與業(yè)界巨頭緊密合作，共同探索新的市場(chǎng)機(jī)遇，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與
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    12/03 10:37
  • HBM在風(fēng)口，也在浪尖
    HBM在風(fēng)口，也在浪尖
    據(jù)悉，美國(guó)商務(wù)部BIS將于本周四（11月28日）“感恩節(jié)假期前”公布限制中國(guó)科技發(fā)展的新出口管制措施，預(yù)計(jì)將有約200家中國(guó)芯片公司納入貿(mào)易限制名單，無(wú)法獲取美國(guó)公司的產(chǎn)品。截至發(fā)文，未有出口管制措施發(fā)布。緊接著，另一套限制高帶寬存儲(chǔ)(HBM)出口到中國(guó)的規(guī)定，也預(yù)計(jì)在12月間對(duì)外公布。該規(guī)定是更廣泛限制中國(guó)人工智能(AI)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一環(huán)。

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