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動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。

動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。收起

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  • 存儲大廠獲數(shù)百億補(bǔ)貼擴(kuò)產(chǎn)尖端DRAM，最新市況如何？
    存儲大廠獲數(shù)百億補(bǔ)貼擴(kuò)產(chǎn)尖端DRAM，最新市況如何？
    近日美光表示獲得美國61.65億美元（約為人民幣450億元）的直接資金資助，計(jì)劃用于加強(qiáng)尖端DRAM供應(yīng)能力。兩個月時(shí)間里，美國芯片法案補(bǔ)貼計(jì)劃已公布9家。另外近日存儲市場動態(tài)頻頻，三星、Marvell、鎧俠等相繼披露了最新進(jìn)展。
  • Samsung、Hynix、Micron存儲器御三家財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)及2025年預(yù)測
    Samsung、Hynix、Micron存儲器御三家財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)及2025年預(yù)測
    之前，我已經(jīng)做了全球存儲器市場的統(tǒng)計(jì)和預(yù)測了。后來和行業(yè)人士核對了一下我的預(yù)測結(jié)論，大方向上彼此還是基本一致的：明年無論DRAM還是NAND的價(jià)格都會出現(xiàn)下跌，但出貨量的上漲會有一些對沖作用；明年HBM的市場大約會占DRAM市場的10%左右，對整體市場規(guī)模會有一些支撐
  • 1500億晶圓大廠開始訂購設(shè)備
    1500億晶圓大廠開始訂購設(shè)備
    三星電子開始投資可大規(guī)模生產(chǎn)的“1c” DRAM。據(jù)了解，近期已向相關(guān)合作伙伴訂購了生產(chǎn)設(shè)備，安裝工作將于明年2月左右開始。由于1c DRAM是決定三星電子下一代HBM4競爭力的關(guān)鍵要素，因此看來正在為及時(shí)量產(chǎn)該產(chǎn)品做好準(zhǔn)備。
  • 存儲廠商沒有笑出雙十一
    存儲廠商沒有笑出雙十一
    國內(nèi)市場DRAM現(xiàn)貨價(jià)格在整個11月份持續(xù)走低，尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴(yán)重。相比之下，NAND閃存價(jià)格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內(nèi)估計(jì)，雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%，平均售價(jià)下降約 9%。在產(chǎn)品價(jià)格貢獻(xiàn)方面，2024年雙十一期間，SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一，長江存儲旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼，在京東實(shí)現(xiàn)了SSD品類交易總額（GMV）和銷量的雙料第一，超過了三星。
  • 全球存儲器市場統(tǒng)計(jì)及預(yù)測（更新版）
    全球存儲器市場統(tǒng)計(jì)及預(yù)測（更新版）
    過去，我一直是直接把Dram Exchange公布的季度市場數(shù)據(jù)拿過來參考使用的。不過最近我扒了三星、海力士、美光的財(cái)報(bào)以后，發(fā)現(xiàn)這幾家財(cái)報(bào)上公布的數(shù)據(jù)和DramExchange的數(shù)據(jù)有些許差異，而且這些差異也并不僅僅是匯率換算的問題導(dǎo)致的所以，這次我把兩個來源的數(shù)據(jù)加以整合后進(jìn)行了一些調(diào)整。
  • 全球半導(dǎo)體存儲器市場統(tǒng)計(jì)分析及預(yù)測（2024-Q3）
    全球半導(dǎo)體存儲器市場統(tǒng)計(jì)分析及預(yù)測（2024-Q3）
    今天講講半導(dǎo)體存儲器器件（DRAM、NAND）的市場數(shù)據(jù)。過去，我一直是直接把DramExchange公布的季度市場數(shù)據(jù)拿過來參考使用的。不過最近我扒了三星、海力士、美光的財(cái)報(bào)以后，發(fā)現(xiàn)這幾家財(cái)報(bào)上公布的數(shù)據(jù)和DramExchange的數(shù)據(jù)有些許差異，而且這些差異也并不僅僅是匯率換算的問題導(dǎo)致的
  • 華邦電子攜手生態(tài)合作伙伴，共塑存儲產(chǎn)業(yè)新未來
    華邦電子攜手生態(tài)合作伙伴，共塑存儲產(chǎn)業(yè)新未來
    在數(shù)字化浪潮的推動下，全球電子產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷著前所未有的變革。隨著人工智能（AI）、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和邊緣計(jì)算技術(shù)的快速發(fā)展，對于存儲解決方案的需求也在不斷增長和演變，同時(shí)也對存儲器件提出了更高要求：更大的存儲容量和帶寬、更低的功耗、更高的安全性等。 在此背景下，華邦電子作為全球領(lǐng)先的存儲解決方案供應(yīng)商，憑借其在存儲領(lǐng)域的深厚積累和技術(shù)創(chuàng)新，正與業(yè)界巨頭緊密合作，共同探索新的市場機(jī)遇，推動產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與
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    12/03 10:37
  • HBM在風(fēng)口，也在浪尖
    HBM在風(fēng)口，也在浪尖
    據(jù)悉，美國商務(wù)部BIS將于本周四（11月28日）“感恩節(jié)假期前”公布限制中國科技發(fā)展的新出口管制措施，預(yù)計(jì)將有約200家中國芯片公司納入貿(mào)易限制名單，無法獲取美國公司的產(chǎn)品。截至發(fā)文，未有出口管制措施發(fā)布。緊接著，另一套限制高帶寬存儲(HBM)出口到中國的規(guī)定，也預(yù)計(jì)在12月間對外公布。該規(guī)定是更廣泛限制中國人工智能(AI)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一環(huán)。
  • 研報(bào) | 服務(wù)器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增13.6%
    研報(bào) | 服務(wù)器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增13.6%
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2024年第三季DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營收為260.2億美元，季增13.6%。受到大陸手機(jī)制造商去化庫存及部分DRAM供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)影響，盡管前三大DRAM原廠LPDDR4及DDR4出貨量下降，但供應(yīng)數(shù)據(jù)中心的DDR5及HBM（高帶寬內(nèi)存）需求上升。
  • 服務(wù)器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增13.6%
    服務(wù)器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增13.6%
    2024年第三季DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營收為260.2億美元，季增13.6%。受到大陸手機(jī)制造商去化庫存及部分DRAM供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)影響，盡管前三大DRAM原廠LPDDR4及DDR4出貨量下降，但供應(yīng)數(shù)據(jù)中心的DDR5及HBM（高帶寬內(nèi)存）需求上升。平均銷售單價(jià)部分，三大原廠延續(xù)前一季的上漲趨勢，加上HBM持續(xù)擠壓整體DRAM產(chǎn)能，合約價(jià)于第三季達(dá)成8%至13%的漲幅。 展望2024年第四季，Trend
  • 研報(bào) | 需求展望疲弱、庫存和供給上升，預(yù)計(jì)2025年DRAM價(jià)格將下跌
    研報(bào) | 需求展望疲弱、庫存和供給上升，預(yù)計(jì)2025年DRAM價(jià)格將下跌
    第四季為DRAM產(chǎn)業(yè)議定合約價(jià)的關(guān)鍵時(shí)期，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應(yīng)充足、需求減弱，目前價(jià)格已呈現(xiàn)跌勢。DDR5與LPDDR5X等先進(jìn)制程產(chǎn)品的需求展望尚不明確，加上部分買賣方庫存水位偏高，價(jià)格不排除于今年第四季底開始下跌。
  • 需求展望疲弱、庫存和供給上升，預(yù)計(jì)2025年DRAM價(jià)格將下跌
    第四季為DRAM產(chǎn)業(yè)議定合約價(jià)的關(guān)鍵時(shí)期，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應(yīng)充足、需求減弱，目前價(jià)格已呈現(xiàn)跌勢。DDR5與LPDDR5X等先進(jìn)制程產(chǎn)品的需求展望尚不明確，加上部分買賣方庫存水位偏高，價(jià)格不排除于今年第四季底開始下跌。 TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，先前受三大供應(yīng)商積極建置HBM產(chǎn)能，加上預(yù)計(jì)新廠到2026年才會
  • 研報(bào) | 在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下，供應(yīng)商需謹(jǐn)慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利
    研報(bào) | 在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下，供應(yīng)商需謹(jǐn)慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利
    DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫存去化和價(jià)格回升，價(jià)格動能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應(yīng)商在今年獲利后展開新增產(chǎn)能規(guī)劃，預(yù)估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%，成長幅度較2024年大。
  • 在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下，供應(yīng)商需謹(jǐn)慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利
    在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下，供應(yīng)商需謹(jǐn)慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利
    DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫存去化和價(jià)格回升，價(jià)格動能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應(yīng)商在今年獲利后展開新增產(chǎn)能規(guī)劃，預(yù)估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%，成長幅度較2024年大。 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)越趨復(fù)雜，除現(xiàn)有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer
  • 又一條10nm產(chǎn)線！年底建成！
    又一條10nm產(chǎn)線！年底建成！
    三星電子正在開發(fā)的1c DRAM（第六代10納米級DRAM）正在成為半導(dǎo)體行業(yè)的最大話題。1c DRAM是三星電子、SK海力士等預(yù)計(jì)明年開始量產(chǎn)的下一代存儲器。三星電子計(jì)劃在今年年底前建成第一條 1c DRAM 量產(chǎn)線。
  • MRAM，新興的黑馬
    MRAM，新興的黑馬
    1956 年，IBM推出世界上第一個硬盤驅(qū)動器——RAMAC 305，可以存儲 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺冰箱，重量超過一噸，但是卻標(biāo)志著磁盤存儲時(shí)代的開始。
  • 中韓存儲芯片差距縮至三代！
    中韓存儲芯片差距縮至三代！
    根據(jù)三星電子10月8日在臨時(shí)業(yè)績公告中發(fā)布了單獨(dú)的說明材料，并表示“業(yè)績受到中國存儲器公司傳統(tǒng)產(chǎn)品供應(yīng)增加的影響”。這是第一次專門提及中國存儲器企業(yè)的進(jìn)展。這意味著中國的增長非同尋常。事實(shí)上，以CX存儲為代表的中國內(nèi)存企業(yè)正在積極投資、招募人才，以實(shí)現(xiàn)擊敗三星電子成為全球第一內(nèi)存公司的目標(biāo)。業(yè)內(nèi)人士分析，不僅是產(chǎn)能，技術(shù)也在快速進(jìn)步。
  • 研華新一代SQ Manager2.0軟件 更高效更安全
    研華新一代SQ Manager2.0軟件 更高效更安全
    研華科技近期推出全新 SQ Manager 2.0 軟件。該軟件集成了系統(tǒng)監(jiān)控和安全功能，可通過用戶友好的界面輕松控制和管理計(jì)算機(jī)中的SSD存儲設(shè)備和內(nèi)存模塊。 使用SQ Manager 2.0增強(qiáng)數(shù)據(jù)安全性 SQ Manager 2.0 功能強(qiáng)大，可增強(qiáng)數(shù)據(jù)安全性并時(shí)時(shí)監(jiān)測SQFlash SSD硬盤的性能。借助寫保護(hù)和加密擦除功能，用戶可以保護(hù)數(shù)據(jù)免遭未經(jīng)授權(quán)的更改或恢復(fù)嘗試。寫入保護(hù)功能可確保
  • HBM4將導(dǎo)入！三星第六代10nm DRAM首次量產(chǎn)
    三星電子最先進(jìn)的10 納米級第六代 (1c) DRAM首次實(shí)現(xiàn)產(chǎn)量。由于三星正準(zhǔn)備將這款DRAM安裝在明年發(fā)布的第6代HBM（高帶寬內(nèi)存）“HBM4”中，預(yù)計(jì)在確保第一批良率后，未來良率擴(kuò)張將加速。
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  • HBM3e 12hi面臨良率和驗(yàn)證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過剩仍待觀察
    HBM3e 12hi面臨良率和驗(yàn)證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過剩仍待觀察
    近期市場對于2025年HBM可能供過于求的擔(dān)憂加劇，而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉(zhuǎn)進(jìn)HBM3e仍是未知數(shù)，加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學(xué)習(xí)曲線長，目前尚難判定是否會出現(xiàn)產(chǎn)能過剩局面。 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）與Micron（美光）已分別于2024年上半年和第三季提交首批HB

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