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先進工藝都是客戶逼出來的，這話看來真沒錯。
中芯國際宣布在 2020 年底將量產(chǎn) N+1（7 納米），成本較目前市場上 7 納米低 10%。這是繼 2019 年第四季度量產(chǎn) 14 納米后，中芯國際的技術(shù)研發(fā)的再一次重大突破。
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透過中芯國際 2019 年第四季財報可以看到，14 納米貢獻當季營收的 1%，表明第一代 FinFET 制程已經(jīng)開始小批量出貨。
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按照晶圓代工的工藝規(guī)劃，每代工藝節(jié)點至少有兩種以上制程，預(yù)估中芯國際的 14 納米和 N+1 都起碼有兩種技術(shù)制程，分別應(yīng)用于低功耗和高性能。目前 NTO 客戶包括高端消費電子芯片、高速運算芯片、智能手機 AP 和基帶芯片、AI 芯片、汽車應(yīng)用芯片等。
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在第二代 FinFET 制程 N+1 方面，2019 年第四季進入 NTO（New Tape-out）階段，目前正處于客戶產(chǎn)品認證期，預(yù)計 2020 年第四季可以看到小量產(chǎn)出。
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梁孟松在業(yè)績說明會上表示，N+1 與中芯國際 14 納米制程比較，效能增加 20%、功耗減少 57%、邏輯面積減少 63%、SoC 面積減少 55%。
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從上表來看，中芯國際 N+1 和目前市場上的 7 納米相比，指標方面非常相似，唯一的區(qū)別在于性能提升，N+1 有 20%的提升，而友商宣稱有 30%的提升。如此看來，N+1 應(yīng)該位于 10 納米和 7 納米之間，不過現(xiàn)在這年頭，工藝節(jié)點到底怎么分，誰也說不清。
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在業(yè)績說明會上，中芯國際公布了 14 納米制程產(chǎn)能的擴產(chǎn)計劃，產(chǎn)能將從目前 3000 片擴大到 15000 片，共分三個時間節(jié)點：2020 年 3 月擴產(chǎn)到 4000 片、7 月到 9000 片、12 月朝 15000 片邁進。如此看來，14 納米在 2020 年將開始放量。
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不過這 15000 片的產(chǎn)能應(yīng)該有一部分是 14 納米的微縮版 12 納米，目前 12 納米的 NTO 超過 14nm 還多，制程主要是瞄準低階 AP 處理器等。
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由于 FinFET 制程的產(chǎn)能非常昂貴，平均每擴充 1000 片需要投資 1.5 億至 2.5 億美元，梁孟松在業(yè)績說明會上也強調(diào)，產(chǎn)能擴充前會全面評估客戶需求、預(yù)算，以及讓毛利率受到的沖擊降至最低。如此預(yù)估未來中芯國際的 7 納米產(chǎn)能建置應(yīng)該和 14 納米相當。
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對于 N+1 之后的 N+2，梁孟松表示，N+2 和 N+1 比較在性能方面有所提升，N+1 和 N+2 的差異僅在于成本。同時梁孟松還表示，對于 N+1 和 N+2，不會使用 EUV 方案。當 EUV 準備就緒時，N+2 的部分層將會使用 EUV。
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看看友商的工藝進展，臺積電將于今年量產(chǎn) 5 納米以及 7 納米的微縮版 6 納米，并將進行 N5+試產(chǎn)；三星也將在今年量產(chǎn) 7 納米（EUV）和 5 納米。
