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聯華電子為全球半導體晶圓專工業(yè)界的領導者，提供高質量的晶圓制造服務，專注于邏輯及特殊技術，為跨越電子行業(yè)的各項主要應用產品生產芯片。聯電完整的制程技術及制造解決方案，包括邏輯 / 射頻、嵌入式高壓解決方案、嵌入式快閃存儲器、RFSOI/BCD，以及所有晶圓廠皆符合汽車業(yè)的?IATF-16949?制造認證。
聯電現共有十二座晶圓廠，策略性地遍及亞洲各地，制程技術范圍由?5?微米至?0.11?微米，提供客戶多樣應用的選擇，并可提供客制化制程，以因應快速演進的市場，服務日益增加的半導體芯片需求。
聯電擁有 4 座營運中的先進 12 英寸晶圓廠。位于臺南的 Fab 12A 于 2002 年進入量產，目前已運用先進 14 及 28 納米制程為生產客戶產品，研發(fā)制造復合廠區(qū)由三個獨立的晶圓廠，P1＆2、P3＆4 以及 P5＆6 廠區(qū)組成，月產能目前超過?87000 片；位于新加坡白沙晶圓科技園區(qū) Fab 12i 為聯電特殊技術中心，于 12 英寸特殊制程的生產制造上，提供客戶多樣化的應用產品所需 IC，目前月產能達 50000 片；位于中國廈門的聯芯 FAB12X，已于 2016 年第 4 季度開始量產，其總設計月產能為?50000 片，目前月產能接近 20000 片；位于日本三重縣 USJC 月產能 33000 片，提供最小至 40 納米的邏輯和特殊技術。除了 12 英寸廠外，聯電還擁有的七座 8 英寸廠與一座 6 英寸廠，每月總產能超過 750000 片約當 8 英寸晶圓。
開疆拓土
1980 年 5 月 22 日，聯電（聯華電子；United Microelectronics Corporation；UMC）從中國臺灣工研院分拆成立，杜俊元出任第一任總經理。作為中國臺灣首家民營集成電路公司，成立之初的聯電主要生產電子表、計算器與電視用集成電路（IC）。聯電也是中國臺灣第一家提供晶圓專業(yè)代工服務的公司。
1982 年 4 月，聯電建成中國臺灣首條 4 英寸晶圓生產線（工廠代號 UMC1）。
1982 年 11 月，聯電達損益平衡，
1982 年，聯電全年實現營收達新臺幣 1.9 億，員工 380 人。
1983 年 6 月，聯電月銷售額首度突破新臺幣 1 億元。
1983 年，聯電全年實現營收增至 11 億，員工 610 人。
1984 年，聯電成立研發(fā)部門，自主進行產品和工藝的研發(fā)，走上良性成長階段。
1985 年 7 月 16 日，聯電股票在中國臺灣證券交易所公開上市，代號：2303。
1989 年，聯電 6 英寸晶圓生產線投產（工廠代號 UMC2，現 FAB 6）
1993 年 6 月 10 日，聯電分拆知識產權（IP）和 NRE 部門成立智原科技（Faradry；1999 年 10 月 27 日上市，代號：3035）。
1994 年，聯電完成 0.5 微米制程研發(fā)。
艱難轉型
1995 年 7 月，聯電轉型為純晶圓代工（Foundry）公司。
1995 年 7 月，聯電和 Alliance、S3 合作成立聯誠半導體（United Semiconductor Corp.，USC），是現在的 FAB 8B 廠。
1995 年 8 月，聯電與 Trident、ATi、ISSI 等七家公司合作成立聯瑞科技（United Integrated Circuits Corporation，UICC），是現在的 FAB 8D 廠。
1995 年 9 月，聯電和兩家 IC 設計公司合作成立聯嘉積體電路（United Silicon Incorporated Corp.，USIC），是現在的 FAB 8C 廠。
1995 年 9 月，聯電 8 英寸晶圓廠（原 UMC3，現在 FAB 8A）開始生產。
1996 年 1 月，聯電 0.35 微米制程開始生產（聯嘉二廠）。
1996 年 5 月 29 日，聯電將計算機事業(yè)部門分拆成立聯陽半導體（ITE；2002 年 10 月 24 日上市，代號：3014）。聯陽早期專注于臺式電腦（PC）及筆記型電腦（NB）控制芯片的開發(fā)設計，后并購聯盛半導體、繪展科技、晶瀚科技，使得公司擴充了快閃存儲器控制芯片、數字電視接收控制芯片、多媒體控制芯片以及模擬芯片等新的產品線。
1996 年 8 月 16 日，聯電將通訊事業(yè)部門分拆成立聯杰國際（DAVICOM Semiconductor；2007 年 8 月 6 日上市，代號：3094）。
1997 年 5 月 28 日，聯電將多媒體事業(yè)部門分拆成立聯發(fā)科技（MediaTek；2001 年 7 月 23 日上市，代號：2454），包括蔡明介在內的 20 多人的初始團隊從 CD-ROM 芯片開始出發(fā)。
1997 年 5 月 28 日，聯電將消費性部門分拆成立聯詠科技（Novatek；2001 年 4 月 24 日上市，代號：3034）。
1997 年 7 月，聯電將內存事業(yè)部門分拆成立聯笙電子（AMIC）。
1997 年 10 月，聯電 0.25 微米制程開始生產。
1998 年 4 月，聯電收購合泰半導體（現盛群半導體，Holtek）的 8 英寸晶圓廠（現 FAB 8E）。
1998 年 5 月，聯電 UMC5（現 FAB 8F）動工興建。
1998 年 12 月，聯電收購新日鐵半導體（1999 年中文名稱更名為聯日半導體株式會社，2001 英文名稱更名為 UMC Japan），成為日本唯一少量多樣生產模式的晶圓代工廠。
1999 年 1 月，聯電單月營收首度超過新臺幣 20 億。
1999 年 3 月，聯電 0.18 微米制程開始生產。
1999 年 11 月，聯電南科 12 英寸晶圓廠正式建廠。
世紀曙光
2000?年 1 月 3 日，聯電、聯誠、聯瑞、聯嘉、合泰等合并成立聯電集團；張崇德、溫清章就任總經理。
2000 年 1 月，聯電集團單月營收首度超過新臺幣 60 億。
2000?年 3 月 27 日，聯電宣布產出業(yè)界首批銅制程芯片，首個芯片是賽靈思（Xilinx）的 FPGA 產品。
2000?年 5 月 12 日，聯電宣布產出第一顆?0.13 微米制程芯片，產品是 2M SRAM。
2000?年 9 月 19 日，聯電在紐約證券交易所發(fā)行 9000 萬單位存托憑證（代碼：UMC），成為第一家在紐交所上市的中國臺灣半導體公司。共募集 13 億美元，創(chuàng)下中國臺灣公司在紐約證券交易所首度上市的交易金額紀錄。
2000 年 10 月 27 日，聯電 FAB 12A 廠舉行上梁典禮，預定 2001 年 Q3 投產。
2000 年 12 月 1 日，聯電和日立合資的 Trecenti 的 12 英寸晶圓廠成功產出全球第一批 12 英寸代工晶圓。首批產品是 0.18 微米制程的 4M 和 8M SRAM。
2000?年 12 月 15 日，聯電宣布投資 36 億美元和英飛凌于新加坡合資籌建 12 英寸晶圓制造廠（UMCi）。
2000 年，聯電全年營收首度超過新臺幣 1000 億。
2001 年 4 月 12 日，聯電旗下新加坡 12 英寸晶圓廠動工。
2002 年 4 月 1 日，聯電宣布宣明智接替曹興誠擔任首席執(zhí)行官。
2002 年 2 月，聯電退出和日立合資的 Trecenti。
2003 年 1 月，聯電新加坡 12 英寸晶圓廠進行裝機。
2003 年 3 月，聯電產出第一顆 90 納米制程 IC。
2003 年 7 月 15 日，聯電宣布胡國強博士接替宣明智先生擔任首席執(zhí)行官。
2004 年 3 月，聯電旗下新加坡 12 英寸晶圓廠邁入量產階段。
2004 年 5 月，聯電 90 納米制程完全通過驗證并邁入量產。
2004 年 6 月，聯電單月營收首度超過新臺幣 100 億。
2004 年 7 月，聯電并購硅統(tǒng)半導體的 8 英寸晶圓制造廠，是現在的 FAB 8S 廠。
2004 年 12 月，聯電正式收購旗下子公司 UMCi，并改名為?Fab 12i。
2005 年 6 月，聯電產出業(yè)界第一顆?65 納米芯片。
2005 年 8 月，聯電 90 納米晶圓出貨量逾 10 萬片。
2006 年 6 月，聯電成為全球第一家全公司所有廠區(qū)均完成 QC-080000 IECQ HSPM 認證之半導體制造商。
2006 年 11 月，聯電產出第一顆 45 納米制程測試芯片。
2007 年 1 月，聯電擴大位于臺南科學園區(qū)的生產研發(fā)基地。
2007 年 5 月 22 日，聯電位于臺南的新研發(fā)大樓建成。
2007 年 8 月 17 日，聯電設立首設 COO 陪伴，由孫世偉副總裁兼任。負責 12 英寸晶圓廠的營運。
2008 年 7 月 16 日，聯電宣布洪嘉聰為新任董事長，任命孫世偉為執(zhí)行長。
2008 年 10 月，聯電產出晶圓代工業(yè)界第一個 28 納米制程 SRAM 芯片。
2009 年 4 月，聯電產出 40 納米芯片。
2009 年 12 月，聯電正式收購日本子公司 UMCJ。
2010 年 12 月，聯電南科 12A 廠第三期進入量產。
2011 年 10 月，聯電 28 納米制程進入試產。
2012 年 5 月 24 日，聯電南科 12A 廠第五第六期廠房動土典禮。
2012 年 11 月，聯電宣布顏博文接替孫世偉擔任首席執(zhí)行長。
2013 年 3 月，聯電完成收購和艦科技，是現在的 FAB 8N 廠。
2013 年 5 月，聯電打造 Fab12i 廠為特殊技術中心（Specialty Technology Center of Excellence）。
2014 年 8 月，聯電入股富士通旗下新晶圓代工子公司三重富士通半導體。
2014 年 10 月 9 日，聯電與廈門市政府及福建省電子信息集團成立合資公司聯芯集成，運營 12 英寸晶圓代工業(yè)務，項目總投資預計達 62 億美元，設計規(guī)劃最大月產能為 12 英寸晶圓 5 萬片。
2015 年 3 月 26 日，聯電旗下廈門聯芯集成 12 英寸生產廠房動土典禮。
2016 年 11 月 16 日，聯電旗下廈門聯芯集成 FAB?12X 廠進入量產。
2017 年 2 月 23 日，聯電 14 納米工藝進入量產。
2017 年 5 月 22 日，聯電旗下廈門聯芯 28 納米正式量產出貨。
2017 年 6 月 14 日，顏博文辭任首席執(zhí)行長職位，由王石、簡山杰擔任共同總經理，王石主外掌管市場，簡山杰對內掌控技術、研發(fā)。
2018 年 6 月，聯電董事會通過購買與富士通合資公司的全部股權。
2018 年 7 月，聯電單月營收創(chuàng)歷史最高，營收高達新臺幣 143 億。
2019 年 7 月 21 日，聯電撤銷子公司和艦芯片原訂赴中國大陸科創(chuàng)板上市計劃。
2019 年 10 月，聯電完成收購富士通旗下三重富士通半導體，成為 100%完全獨資的子公司，更名為 United Semiconductor Japan Co., Ltd. (USJC)。
2020 年 7 月，聯電 7 月營收再創(chuàng)歷史新高，營收高達新臺幣 154.95 億元。?
