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EUV

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極紫外輻射(EUV)或高能紫外輻射是波長(zhǎng)在124nm到10nm之間的電磁輻射,對(duì)應(yīng)光子能量為10eV到124eV。自然界中,日冕會(huì)產(chǎn)生EUV。人工EUV可由等離子源和同步輻射源得到。主要用途包括光電子譜,對(duì)日EUV成像望遠(yuǎn)鏡,光微影技術(shù)。 EUV是最易被空氣吸收的譜段,因此其傳輸環(huán)境需高度真空。

極紫外輻射(EUV)或高能紫外輻射是波長(zhǎng)在124nm到10nm之間的電磁輻射,對(duì)應(yīng)光子能量為10eV到124eV。自然界中,日冕會(huì)產(chǎn)生EUV。人工EUV可由等離子源和同步輻射源得到。主要用途包括光電子譜,對(duì)日EUV成像望遠(yuǎn)鏡,光微影技術(shù)。 EUV是最易被空氣吸收的譜段,因此其傳輸環(huán)境需高度真空。收起

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  • EUV掩膜版清洗技術(shù)挑戰(zhàn)及解決方案
    EUV掩膜版清洗技術(shù)挑戰(zhàn)及解決方案
    EUV(極紫外光)掩膜版是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造工藝中關(guān)鍵的元件之一,在集成電路的光刻過(guò)程中扮演著至關(guān)重要的角色。由于EUV技術(shù)的精密性和高要求,掩膜版的質(zhì)量直接影響到最終成品的良率。而在這些技術(shù)中,清洗掩膜版是一個(gè)不可忽視的環(huán)節(jié)。盡管EUV掩膜版的清洗步驟相較于硅片的清洗流程較少,但其面臨的挑戰(zhàn)卻異常復(fù)雜,主要體現(xiàn)在顆粒去除、材料損傷、污染控制等方面。
  • ASML在2024 年投資者日會(huì)議上就市場(chǎng)機(jī)遇提供最新看法有望在2030年內(nèi)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收和盈利的顯著增長(zhǎng)
    在今日舉辦的2024 年投資者日會(huì)議上,ASML將更新其長(zhǎng)期戰(zhàn)略以及全球市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)分析,確認(rèn)其到2030年的年收入將達(dá)到約440 億至 600 億歐元,毛利率約為56%至 60%。 ASML總裁兼首席執(zhí)行官傅恪禮(Christophe Fouquet)表示:“我們預(yù)計(jì),在下一個(gè)十年我們有能力將EUV技術(shù)推向更高水平,并擴(kuò)展廣泛適用的全景光刻產(chǎn)品組合,使 ASML 能夠充分參與和抓住人工智能機(jī)遇
  • ASML:EUV技術(shù)領(lǐng)域不會(huì)面臨中國(guó)公司的競(jìng)爭(zhēng)!
    ASML:EUV技術(shù)領(lǐng)域不會(huì)面臨中國(guó)公司的競(jìng)爭(zhēng)!
    6月6日消息,ASML首席財(cái)務(wù)官Roger Dassen近日在 Jefferies證券主持的投資者電話會(huì)議上表示,ASML與臺(tái)積電的商業(yè)談判即將結(jié)束,預(yù)計(jì)在第二季度或第三季度開(kāi)始獲得“大量” 2nm芯片制造相關(guān)設(shè)備訂單。同時(shí),Jefferies報(bào)告稱臺(tái)積電已經(jīng)訂購(gòu)了High NA EUV光刻機(jī)。
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    06/07 11:25
  • EUV光刻機(jī)“忙瘋了”
    EUV光刻機(jī)“忙瘋了”
    據(jù)市場(chǎng)消息,目前,ASML High NA EUV光刻機(jī)僅有兩臺(tái),如此限量版的EUV關(guān)鍵設(shè)備必然無(wú)法滿足市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)制程芯片的需求,為此ASML布局步伐又邁一步。
  • EUV光刻機(jī)變數(shù)陡增
    EUV光刻機(jī)變數(shù)陡增
    最近,關(guān)于EUV光刻機(jī),又有勁爆消息傳出。據(jù)外媒報(bào)道,有消息人士透露,由于美國(guó)施壓,ASML向荷蘭政府官員保證,在特殊情況下,該公司有能力遠(yuǎn)程癱瘓(remotely disable)臺(tái)積電使用的EUV光刻機(jī)。知情人士稱,ASML擁有“鎖死開(kāi)關(guān)”(kill switch),可以遠(yuǎn)端強(qiáng)制關(guān)閉EUV。
  • 英特爾在可擴(kuò)展硅基量子處理器領(lǐng)域取得突破,向量子實(shí)用性更進(jìn)一步
    英特爾在可擴(kuò)展硅基量子處理器領(lǐng)域取得突破,向量子實(shí)用性更進(jìn)一步
    英特爾在《自然》雜志發(fā)表題為《檢測(cè)300毫米自旋量子比特晶圓上的單電子器件》的研究論文,展示了領(lǐng)先的自旋量子比特均勻性、保真度和測(cè)量數(shù)據(jù)。這項(xiàng)研究為硅基量子處理器的量產(chǎn)和持續(xù)擴(kuò)展(構(gòu)建容錯(cuò)量子計(jì)算機(jī)的必要條件)奠定了基礎(chǔ)。 英特爾打造的300毫米自旋量子比特晶圓 英特爾的量子硬件研究人員開(kāi)發(fā)了一種300毫米低溫檢測(cè)工藝,使用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)制造技術(shù),在整個(gè)晶圓上收集有關(guān)自旋量子比特
  • 高NA EUV迎來(lái)制程的岔路口
    高NA EUV迎來(lái)制程的岔路口
    半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)正努力爭(zhēng)取進(jìn)入所謂的“埃時(shí)代”(Angstrom era)。在所謂的3nm工藝節(jié)點(diǎn)附近的節(jié)點(diǎn)上,以“?!倍皇且浴凹{米”來(lái)命名技術(shù)節(jié)點(diǎn)成為了一種時(shí)尚,因此不是1.5nm,而是15埃。正是在這一點(diǎn)上,對(duì)晶圓上更精細(xì)圖案的要求超出了當(dāng)今EUV光刻系統(tǒng)和程序的能力。
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    04/23 10:40
  • 美國(guó),為什么愛(ài)盯著荷蘭的光刻機(jī)?
    美國(guó),為什么愛(ài)盯著荷蘭的光刻機(jī)?
    全球光刻機(jī)巨頭ASML(阿斯麥)的新年開(kāi)篇頗有些鬧心。新年首日,ASML發(fā)布公告稱,荷蘭政府最近吊銷部分了2023年發(fā)貨的NXT:2050i和NXT:2100i光刻系統(tǒng)的許可證,影響了少數(shù)中國(guó)客戶。吊銷舉措比荷蘭出口管制新規(guī)原定生效的日期提前了數(shù)星期。當(dāng)然,這背后少不了美國(guó)政府的施壓?!霸诿绹?guó)拜登政府的要求下”,彭博社如此形容道。
  • 為了阻擊臺(tái)積電和日本半導(dǎo)體,韓國(guó)也是拼了
    為了阻擊臺(tái)積電和日本半導(dǎo)體,韓國(guó)也是拼了
    12月中旬,韓國(guó)總統(tǒng)尹錫悅與荷蘭首相馬克·呂特發(fā)表聯(lián)合聲明,雙方構(gòu)建“半導(dǎo)體同盟”。雙方一致認(rèn)為,兩國(guó)在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中有著特殊的互補(bǔ)關(guān)系,并重申構(gòu)建覆蓋政府、企業(yè)、高校的半導(dǎo)體同盟的決心。為此,雙方商定新設(shè)經(jīng)貿(mào)部門之間的半導(dǎo)體對(duì)話協(xié)商機(jī)制,同時(shí)推進(jìn)半導(dǎo)體專業(yè)人才培養(yǎng)項(xiàng)目。
  • 英特爾宣布Intel 4已大規(guī)模量產(chǎn),“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃又進(jìn)一步
    英特爾宣布Intel 4已大規(guī)模量產(chǎn),“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃又進(jìn)一步
    近日,英特爾宣布已開(kāi)始采用極紫外光刻(EUV)技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)(HVM)Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。Intel 4大規(guī)模量產(chǎn)的如期實(shí)現(xiàn),再次證明了英特爾正以強(qiáng)大的執(zhí)行力推進(jìn)“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃,并將其應(yīng)用于新一代的領(lǐng)先產(chǎn)品,滿足AI推動(dòng)下“芯經(jīng)濟(jì)”指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的算力需求。
  • 美國(guó)官方報(bào)告:深度解析EUV光刻的現(xiàn)狀、需求和發(fā)展
    美國(guó)官方報(bào)告:深度解析EUV光刻的現(xiàn)狀、需求和發(fā)展
    2022年,半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模約為0.6萬(wàn)億美元,商業(yè)分析師預(yù)計(jì)到2030年將翻一番1.0萬(wàn)億美元至1.3萬(wàn)億美元。半導(dǎo)體制造業(yè)的大幅增長(zhǎng)可以在光刻工藝中體現(xiàn)出。光刻是一種圖案化過(guò)程,將平面設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)移到晶圓基板的表面,創(chuàng)造復(fù)雜的結(jié)構(gòu),如晶體管和線互連。這是通過(guò)通過(guò)復(fù)雜的多步過(guò)程選擇性地將光敏聚合物或光刻膠暴露于特定波長(zhǎng)的光下來(lái)完成的。最近,光刻技術(shù)的進(jìn)步在生產(chǎn)最先進(jìn)的半導(dǎo)體方面創(chuàng)造了競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),使人工智能(AI)、5G電信和超級(jí)計(jì)算等最先進(jìn)的技術(shù)成為可能。因此,先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)會(huì)影響國(guó)家安全和經(jīng)濟(jì)繁榮。
  • 深度丨當(dāng)EUV薄膜成為“高精尖”芯片良率的關(guān)鍵
    深度丨當(dāng)EUV薄膜成為“高精尖”芯片良率的關(guān)鍵
    近20年來(lái),EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術(shù)挑戰(zhàn)。近幾年來(lái),隨著EUV光源的不斷進(jìn)展,EUV掩模開(kāi)始位居三大技術(shù)挑戰(zhàn)之首,而EUV掩模最困難的環(huán)節(jié)之一就是EUV薄膜。
  • 線邊緣粗糙度(LER)如何影響先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上半導(dǎo)體的性能
    線邊緣粗糙度(LER)如何影響先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上半導(dǎo)體的性能
    介紹 由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關(guān)鍵尺寸(CD)和線間隔,這會(huì)導(dǎo)致更高的金屬線電阻和線間電容。圖1對(duì)此進(jìn)行了示意,模擬了不同后段制程金屬的線電阻和線關(guān)鍵尺寸之間的關(guān)系。即使沒(méi)有線邊緣粗糙度(LER),該圖也顯示電阻會(huì)隨著線寬縮小呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)[2]。為緩解此問(wèn)題,需要在更小的節(jié)點(diǎn)上對(duì)金屬線關(guān)鍵尺寸進(jìn)
  • 王炸,英特爾PowerVia芯片背面供電即將量產(chǎn),遙遙領(lǐng)先三星和臺(tái)積電
    王炸,英特爾PowerVia芯片背面供電即將量產(chǎn),遙遙領(lǐng)先三星和臺(tái)積電
    在下周的VLSI會(huì)議上,英特爾將發(fā)布兩篇論文,介紹即將推出的PowerVia芯片制造技術(shù)的進(jìn)展。而在第三篇論文中,英特爾技術(shù)專家Mauro Kobrinsky還將闡述英特爾對(duì)PowerVia更先進(jìn)部署方法的研究成果,如同時(shí)在晶圓正面和背面實(shí)現(xiàn)信號(hào)傳輸和供電。 PowerVia將于2024年上半年在Intel 20A制程節(jié)點(diǎn)上推出。 作為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù),英特爾將PowerVia技術(shù)和Ribb
  • 英特爾PowerVia技術(shù)率先實(shí)現(xiàn)芯片背面供電,突破互連瓶頸
    英特爾PowerVia技術(shù)率先實(shí)現(xiàn)芯片背面供電,突破互連瓶頸
    英特爾率先在產(chǎn)品級(jí)芯片上實(shí)現(xiàn)背面供電技術(shù),使單元利用率超過(guò)90%,同時(shí)也在其它維度展現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的性能。 英特爾宣布在業(yè)內(nèi)率先在產(chǎn)品級(jí)測(cè)試芯片上實(shí)現(xiàn)背面供電(backside power delivery)技術(shù),滿足邁向下一個(gè)計(jì)算時(shí)代的性能需求。作為英特爾業(yè)界領(lǐng)先的背面供電解決方案,PowerVia將于2024年上半年在Intel 20A制程節(jié)點(diǎn)上推出。通過(guò)將電源線移至晶圓背面,PowerVia解
  • ASML發(fā)布2023年第一季度財(cái)報(bào) | 凈銷售額67億歐元,凈利潤(rùn)為20億歐元
    阿斯麥(ASML)今日發(fā)布了2023年第一季度財(cái)報(bào)。2023年第一季度,ASML實(shí)現(xiàn)了凈銷售額67億歐元,毛利率為50.6%,凈利潤(rùn)達(dá)20億歐元。今年第一季度的新增訂單金額為38億2歐元,其中16億歐元為EUV光刻機(jī)訂單。ASML預(yù)計(jì)2023年第二季度的凈銷售額約為65億~70億歐元,毛利率約為50%~51%。相比2022年,今年ASML的凈銷售額有望增長(zhǎng)25%以上。 (1)累計(jì)裝機(jī)管理銷售額等于
  • 美日荷神秘芯片協(xié)議曝光,中國(guó)半導(dǎo)體被鎖死?
    美日荷神秘芯片協(xié)議曝光,中國(guó)半導(dǎo)體被鎖死?
    中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展道路上,已橫亙著美國(guó)、日本、荷蘭三國(guó)架起重重高墻。 本周,世界貿(mào)易組織貨物貿(mào)易理事會(huì)舉行會(huì)議,中國(guó)在此次會(huì)議上對(duì)"美國(guó)、日本和荷蘭之間關(guān)于芯片出口限制的協(xié)議"提出關(guān)切。 目前,美日荷官方還未對(duì)這份媒體廣泛曝光的芯片協(xié)議作出回應(yīng)。不過(guò)中國(guó)代表已經(jīng)指出,相關(guān)成員可能清楚地意識(shí)到該協(xié)議違反了世貿(mào)組織的規(guī)則,因此故意對(duì)該協(xié)議的內(nèi)容保持低調(diào)。中國(guó)認(rèn)為該協(xié)議違背了世貿(mào)組織的公開(kāi)透明原則,破壞
  • 日本斷供光刻膠:韓國(guó)順利著陸,本土半導(dǎo)體制造呢?
    日本斷供光刻膠:韓國(guó)順利著陸,本土半導(dǎo)體制造呢?
    對(duì)中國(guó)電子半導(dǎo)體發(fā)展的抑制還有什么漏洞?這是二月中下旬Digital Asia的熱門主題文章。該文直言,在光刻膠持續(xù)供應(yīng)的前提下,中國(guó)本土仍可推進(jìn)晶圓制造與創(chuàng)新,最終在7nm及以下制程上取得突破。隨后,有關(guān)日本對(duì)中國(guó)斷供光刻膠的傳聞開(kāi)始發(fā)酵。最終是否斷供仍未知,但包括容大感光在內(nèi)的本土光刻膠相關(guān)廠商,股價(jià)大漲,也算是一種焦慮的體現(xiàn)。 至于光刻膠的工作原理,首先將其涂抹在襯底上,在光照或輻射作用下溶
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    2023/03/23
  • ASML:下一代EUV光刻機(jī)將于2025年首次部署
    2月15日,ASML發(fā)布2022年度財(cái)報(bào)。報(bào)告顯示,ASML在2022年銷售額達(dá)到212億歐元,與2021年相比增長(zhǎng)了13.8%,毛利率為49.7%。
  • ASML于投資者日會(huì)議介紹有關(guān)需求展望、產(chǎn)能計(jì)劃和商業(yè)模式的最新情況
    ASML Holding N.V.(ASML)將于11月11日舉辦的投資者日會(huì)議上向其投資者及主要利益相關(guān)方介紹有關(guān)需求展望的最新情況,該會(huì)議將采用線上與線下相結(jié)合的方式在位于荷蘭菲爾德霍芬的公司總部舉行。

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