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編輯：芯智訊-浪客劍
6月6日消息，ASML首席財務(wù)官Roger Dassen近日在 Jefferies證券主持的投資者電話會議上表示，ASML與臺積電的商業(yè)談判即將結(jié)束，預(yù)計在第二季度或第三季度開始獲得“大量” 2nm芯片制造相關(guān)設(shè)備訂單。同時，Jefferies報告稱臺積電已經(jīng)訂購了High NA EUV光刻機。
該消息推動ASML股價大漲9.52%，收盤股價1041.34美元，創(chuàng)下歷史新高，總市值突破4096.86億美元，成為了歐洲第二大市值的上市公司。
Jefferies的報告指出，ASML預(yù)測其設(shè)備的市場需求有望一路走強至2026年，這主要是受益于各國政府推動的芯片制造本地化策略，通過補貼當(dāng)?shù)氐?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E6%99%B6%E5%9C%86%E5%8E%82/">晶圓廠建設(shè)，以提升自身的芯片制造能力。
雖然2024年第一季度，ASML實現(xiàn)凈銷售額52.90億歐元，同比下降21%。但是Jefferies證券認(rèn)為，ASML 2024年二季度到四季度的平均訂單額可能會達到57億歐元左右，有望推動其2025年營收上探至400億歐元。ASML此前就曾將其2025年營收目標(biāo)設(shè)定在300~400億歐元。
Jefferies證券的報告還預(yù)測，臺積電預(yù)計將在2024年某個時候就會收到ASML最新的High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光）光刻機。
ASML的標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機可以打印13.5nm的線寬，而新的High NA EUV光刻機則是可以通過打印8nm線寬來創(chuàng)建更小的晶體管，即可以用于2nm以下的制程工藝制造，并且晶圓生產(chǎn)速度已經(jīng)達到了每小時400至500片晶圓，是當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)EUV每小時200片晶圓的2-2.5倍的速度。不過，High NA EUV光刻機的價格也是相當(dāng)?shù)陌嘿F，一臺要價超過3.5億歐元。
臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總裁張曉強（Kevin Zhang）5月14日在阿姆斯特丹舉行的一場會議上就曾公開表示，ASML High NA EUV訂價太過高昂，臺積電預(yù)計于2026年下半量產(chǎn)的A16（1.6nm）制程，也不一定需用到High NA EUV光刻機。他說，這要看公司能取得的最佳經(jīng)濟與技術(shù)平衡而定，A16制程或許會采用、但不確定?！拔蚁矚g這項技術(shù)、但不喜歡高昂的價格?！?/p>
目前最為積極引入High NA EUV光刻機則是英特爾，其是第一家訂購并完成交付安裝的晶圓制造商，目前英特爾已經(jīng)開始在其美國俄勒岡州最先進的技術(shù)開發(fā)基地將High NA EUV光刻機用于其Intel 18A工藝的測試，以積累相關(guān)經(jīng)驗，后續(xù)將會被用于Intel 14A的量產(chǎn)。
有報道稱，ASML已接獲數(shù)十臺High NA EUV光刻機的訂單，其中大部分被英特爾預(yù)定，此外三星、臺積電、SK海力士、美光也有訂購。
對于ASML所面臨的潛在競爭問題，Jefferies證券的報告稱，由于技術(shù)本身和生態(tài)系統(tǒng)的復(fù)雜性，ASML 認(rèn)為“在可預(yù)見的未來”，其在 EUV 技術(shù)領(lǐng)域不會面臨來自中國光刻設(shè)備公司 SMEE或HW的競爭。
根據(jù)資料顯示，ASML先進的標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機就擁有超過10萬個零件，涉及到上游5000多家供應(yīng)商。這些零部件極為復(fù)雜，對誤差和穩(wěn)定性的要求極高，并且這些零件幾乎都是定制的，90%零件都采用的是世界上最先進技術(shù)，85%的零部件是和供應(yīng)鏈共同研發(fā)，甚至一些接口都要工程師用高精度機械進行打磨，尺寸調(diào)整次數(shù)更可能高達百萬次以上。
可以說，EUV光刻機已經(jīng)是所有半導(dǎo)體制造設(shè)備中技術(shù)含量最高的設(shè)備，其中包括上萬種精密零部件，而且結(jié)合了光學(xué)、流體力學(xué)、表面物理與化學(xué)、精密儀器、自動化、高分子物理與化學(xué)、軟件、機械、圖像識別等多個領(lǐng)域的尖端知識。目前全世界沒有一家企業(yè)，甚至可以說沒有一個國家可以獨立完成EUV光刻機的完整制造。
相對于標(biāo)準(zhǔn)的0.33 NA（數(shù)值孔徑） EUV光刻機來說，配備0.55 NA透鏡的High NA EUV光刻機技術(shù)含量更高，系統(tǒng)設(shè)計也更為復(fù)雜。比如High NA EUV光刻機會比現(xiàn)有的EUV光刻機更為耗電，從1.5兆瓦增加到2兆瓦，主要原因是因為光源問題，ASML甚至還使用液冷銅線為其供電。High NA EUV光刻機其各類組件需要250個單獨的板條箱中運輸，其中包括13 個大型集裝箱，組裝后的High-NA EUV光刻機將比雙層卡車還要大。
目前ASML仍然是全球唯一的EUV光刻機供應(yīng)商，雖然老牌的光刻機廠商——日本的尼康和佳能仍在發(fā)展光刻機業(yè)務(wù)，但是也僅止步于DUV，在EUV方面依然是無能為力。
不過，目前High NA EUV光刻機的發(fā)展已經(jīng)接近當(dāng)前技術(shù)的極限，下一代的0.75 NA的Hyper NA EUV光刻機理論上是可以實現(xiàn)，但是會面臨更多更復(fù)雜的技術(shù)問題，同時成本也更為驚人。
ASML的前首席技術(shù)官Martin van den Brink就曾表示，Hyper NA可能將是最后一個NA，而且不一定能真正投入生產(chǎn)，這意味經(jīng)過數(shù)十年的光刻技術(shù)創(chuàng)新，我們可能會走到當(dāng)前半導(dǎo)體光刻技術(shù)之路的盡頭。即使Hyper NA能夠?qū)崿F(xiàn)，但是如果采用Hyper NA技術(shù)的制造成本增長速度和目前High NA EUV技術(shù)一樣，那么經(jīng)濟層面幾乎是不可行的。
顯然，在ASML現(xiàn)有光刻機技術(shù)路線即將走向盡頭的背景之下，對于中國廠商來說在現(xiàn)有技術(shù)路線對于ASML之間的差距可能將不會繼續(xù)加速擴大，這有利于廠商的技術(shù)追趕。
但是在EUV技術(shù)路線發(fā)展受歐美限制，且該技術(shù)路線前景灰暗的情況下，中國廠商是持續(xù)投入資源突破現(xiàn)有限制進行技術(shù)跟隨，還是考慮投入資源另辟蹊徑尋找新的技術(shù)路徑？比如佳能去年就推出了面向先進制程制造的納米壓印設(shè)備，但該技術(shù)路線能否成功還有待市場檢驗。
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