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EUV

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極紫外輻射（EUV）或高能紫外輻射是波長在124nm到10nm之間的電磁輻射，對應(yīng)光子能量為10eV到124eV。自然界中，日冕會產(chǎn)生EUV。人工EUV可由等離子源和同步輻射源得到。主要用途包括光電子譜，對日EUV成像望遠鏡，光微影技術(shù)。 EUV是最易被空氣吸收的譜段，因此其傳輸環(huán)境需高度真空。

極紫外輻射（EUV）或高能紫外輻射是波長在124nm到10nm之間的電磁輻射，對應(yīng)光子能量為10eV到124eV。自然界中，日冕會產(chǎn)生EUV。人工EUV可由等離子源和同步輻射源得到。主要用途包括光電子譜，對日EUV成像望遠鏡，光微影技術(shù)。 EUV是最易被空氣吸收的譜段，因此其傳輸環(huán)境需高度真空。收起

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  • EUV掩膜版清洗技術(shù)挑戰(zhàn)及解決方案
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    EUV（極紫外光）掩膜版是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造工藝中關(guān)鍵的元件之一，在集成電路的光刻過程中扮演著至關(guān)重要的角色。由于EUV技術(shù)的精密性和高要求，掩膜版的質(zhì)量直接影響到最終成品的良率。而在這些技術(shù)中，清洗掩膜版是一個不可忽視的環(huán)節(jié)。盡管EUV掩膜版的清洗步驟相較于硅片的清洗流程較少，但其面臨的挑戰(zhàn)卻異常復(fù)雜，主要體現(xiàn)在顆粒去除、材料損傷、污染控制等方面。
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    在今日舉辦的2024 年投資者日會議上，ASML將更新其長期戰(zhàn)略以及全球市場和技術(shù)趨勢分析，確認其到2030年的年收入將達到約440 億至 600 億歐元，毛利率約為56%至 60%。 ASML總裁兼首席執(zhí)行官傅恪禮（Christophe Fouquet）表示：“我們預(yù)計，在下一個十年我們有能力將EUV技術(shù)推向更高水平，并擴展廣泛適用的全景光刻產(chǎn)品組合，使 ASML 能夠充分參與和抓住人工智能機遇
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    6月6日消息，ASML首席財務(wù)官Roger Dassen近日在 Jefferies證券主持的投資者電話會議上表示，ASML與臺積電的商業(yè)談判即將結(jié)束，預(yù)計在第二季度或第三季度開始獲得“大量” 2nm芯片制造相關(guān)設(shè)備訂單。同時，Jefferies報告稱臺積電已經(jīng)訂購了High NA EUV光刻機。
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    2024/06/07
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    據(jù)市場消息，目前，ASML High NA EUV光刻機僅有兩臺，如此限量版的EUV關(guān)鍵設(shè)備必然無法滿足市場對先進制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。
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    最近，關(guān)于EUV光刻機，又有勁爆消息傳出。據(jù)外媒報道，有消息人士透露，由于美國施壓，ASML向荷蘭政府官員保證，在特殊情況下，該公司有能力遠程癱瘓（remotely disable）臺積電使用的EUV光刻機。知情人士稱，ASML擁有“鎖死開關(guān)”（kill switch），可以遠端強制關(guān)閉EUV。
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    英特爾在《自然》雜志發(fā)表題為《檢測300毫米自旋量子比特晶圓上的單電子器件》的研究論文，展示了領(lǐng)先的自旋量子比特均勻性、保真度和測量數(shù)據(jù)。這項研究為硅基量子處理器的量產(chǎn)和持續(xù)擴展（構(gòu)建容錯量子計算機的必要條件）奠定了基礎(chǔ)。 英特爾打造的300毫米自旋量子比特晶圓 英特爾的量子硬件研究人員開發(fā)了一種300毫米低溫檢測工藝，使用互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制造技術(shù)，在整個晶圓上收集有關(guān)自旋量子比特
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    半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)正努力爭取進入所謂的“埃時代”（Angstrom era）。在所謂的3nm工藝節(jié)點附近的節(jié)點上，以“?！倍皇且浴凹{米”來命名技術(shù)節(jié)點成為了一種時尚，因此不是1.5nm，而是15埃。正是在這一點上，對晶圓上更精細圖案的要求超出了當今EUV光刻系統(tǒng)和程序的能力。
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    2024/04/23
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    全球光刻機巨頭ASML（阿斯麥）的新年開篇頗有些鬧心。新年首日，ASML發(fā)布公告稱，荷蘭政府最近吊銷部分了2023年發(fā)貨的NXT:2050i和NXT:2100i光刻系統(tǒng)的許可證，影響了少數(shù)中國客戶。吊銷舉措比荷蘭出口管制新規(guī)原定生效的日期提前了數(shù)星期。當然，這背后少不了美國政府的施壓?！霸诿绹莸钦囊笙隆保聿┥缛绱诵稳莸?。

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