CVD

• 先進(jìn)邏輯和3D存儲(chǔ)的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
  

  隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò)大， 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來(lái)越多，對(duì)絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過(guò) 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對(duì)于薄膜顆粒的要求也由微米級(jí)提高到納

  王兵

  4285

  12/10 09:18

  與非研究院 CVD
• 5nm已量產(chǎn)，3nm還會(huì)遠(yuǎn)嗎？重要性比肩光刻機(jī)的刻蝕設(shè)備——中微公司
  

  晶圓制造設(shè)備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測(cè)、涂膠顯影等十多類，其合計(jì)投資總額通常占整個(gè)晶圓廠投資總額的 75%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。 根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，2013年至2023年，半導(dǎo)體前道設(shè)備中，干法刻蝕設(shè)備市場(chǎng)年均增速超過(guò)15%，化學(xué)薄膜設(shè)備市場(chǎng)年均增速超過(guò)14%，這兩類設(shè)備增速遠(yuǎn)高于其他種類的設(shè)備。 圖|20

  王兵

  8997

  11/12 10:37

  與非研究院 CVD
• 走過(guò)路過(guò)不要錯(cuò)過(guò)，進(jìn)來(lái)看看全球半導(dǎo)體CVD/ALD設(shè)備商統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)吧
  

  昨天發(fā)布了設(shè)備電源、離子源的供應(yīng)商數(shù)據(jù)，我正考慮接下來(lái)發(fā)布什么數(shù)據(jù)時(shí)，就有我知識(shí)星球的會(huì)員私信向我要CVD設(shè)備的供應(yīng)商數(shù)據(jù)。好吧，那我就整理發(fā)布一下吧，順便把ALD的也一并發(fā)布了

  半導(dǎo)體綜研

  1216

  11/06 08:22

  半導(dǎo)體設(shè)備 CVD
• 晶圓制造之化學(xué)氣相沉積CVD工藝
  

  在制造集成電路時(shí)，有時(shí)候我們需要在硅片（也就是晶圓）表面上沉積一些特定的材料層，比如氮化硅（Si?N?）或氮氧化硅（SiON）。這些材料層不能直接從基板上生成，所以我們采用化學(xué)氣相沉積（CVD）這種方法。

  老虎說(shuō)芯

  2837

  09/17 10:25

  晶圓制造 CVD
• HDPCVD的原理
  

  知識(shí)星球里的學(xué)員問(wèn)：麻煩介紹下HDPCVD的具體用途，原理。 什么是HDPCVD? HDPCVD，全名High Density Plasma Chemical Vapor Deposition，即高密度等離子體化學(xué)氣相沉積。它產(chǎn)生的等離子體密度非常高，通常在1011至1012 ions/cm3的量級(jí)。相比之下，PECVD的等離子體密度就很低了，在間隔寬度小于0.5μm的情況下，用PECVD填充高的

  TOM聊芯片智造

  3235

  09/09 17:40

  CVD HDPCVD
• 什么是FCVD？
  學(xué)員問(wèn)：昨天在直播的時(shí)候有你說(shuō)FCVD，我之前是沒(méi)有聽(tīng)過(guò)這類的CVD，可以詳細(xì)介紹一下嗎？FCVD，全稱是Flowable Chemical Vapor Deposition，即流動(dòng)化學(xué)氣相沉積。結(jié)合了旋涂電介質(zhì) (SOD) 優(yōu)異的間隙填充性能和 CVD 的工藝穩(wěn)定性，用來(lái)制造線寬在20 納米以下的ILD（層間介電質(zhì)）。

  TOM聊芯片智造

  1.3萬(wàn)

  08/15 08:37

  CVD
• 晶圓制造CVD工藝面試知識(shí)點(diǎn)小結(jié)
  

  無(wú)錫某Fab工程師工作5年的王工分享了CVD工藝崗位的面試問(wèn)題及知識(shí)點(diǎn)如下，僅供參考：

  老虎說(shuō)芯

  2261

  08/14 09:06

  晶圓制造 CVD
• 晶圓制造CVD工藝常見(jiàn)面試問(wèn)題
  

  在無(wú)錫某Fab工程師工作5年的王工分享了CVD工藝崗位的面試問(wèn)題：這些問(wèn)題覆蓋了CVD工藝的各個(gè)方面，包括基礎(chǔ)知識(shí)、工藝優(yōu)化、設(shè)備管理以及實(shí)際應(yīng)用。

  老虎說(shuō)芯

  4171

  08/13 13:37

  晶圓制造 CVD
• 用鉆石代替 GPS 來(lái)導(dǎo)航？
  

  許多應(yīng)用，包括手機(jī)和汽車傳感器，都廣泛使用磁力測(cè)量技術(shù)。傳感器通常很大、很貴，而且需要低溫冷卻，這對(duì)可用性有不利影響。為了獲得最高的靈敏度，金剛石驅(qū)動(dòng)設(shè)備成為一種緊湊、便攜的選擇。近日，Element Six與其合作者SBQuantum 、英國(guó)華威大學(xué)分別發(fā)布了基于量子金剛石的應(yīng)用拓展方面的合作進(jìn)展。

  DT半導(dǎo)體

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  08/02 11:20

  CVD 金剛石
• 晶圓？還是晶方？CVD金剛石晶圓尺寸怎么計(jì)算？
  

  在以往的印象里，晶圓是圓的，芯片是方的。為什么叫晶圓？不叫晶方？為什么晶圓是圓的，芯片是方的？晶圓的尺寸怎么計(jì)算？……昨天，寧波晶鉆60 mm × 60 mm的單晶金剛石片在行業(yè)內(nèi)引起熱度與討論，這是3.35英寸？還是2.36英寸？業(yè)內(nèi)究竟以什么為標(biāo)準(zhǔn)？

  DT半導(dǎo)體

  2231

  08/02 11:06

  晶圓 CVD
• 3.35英寸！寧波晶鉆同質(zhì)外延單晶金剛石再次突破
  

  近日，在寧波晶鉆科技股份有限公司的金剛石產(chǎn)業(yè)園內(nèi)，一顆顆CVD大單晶金剛石如期上線。其中，一顆60 mm?×?60 mm的單晶金剛石片映入眼簾。據(jù)了解，該金剛石片采用的是同質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)，這不是晶鉆科技的首次突破！

  DT半導(dǎo)體

  2079

  07/31 09:10

  CVD 金剛石
• 特瑞堡完成半導(dǎo)體收購(gòu)，擴(kuò)大在亞洲的產(chǎn)能
  

  Trelleborg完成了對(duì)韓國(guó)領(lǐng)先制造商MNE Group的收購(gòu)，大大增強(qiáng)了其在半導(dǎo)體密封市場(chǎng)的能力。 MNE集團(tuán)由材料納米工程和材料納米解決方案公司組成，主要為售后市場(chǎng)和原始設(shè)備制造商生產(chǎn)高性能特種密封件。此次收購(gòu)為特瑞堡密封解決方案公司提供了新的產(chǎn)品和能力，并與全球最大的半導(dǎo)體本土市場(chǎng)之一的一些最重要的制造商建立了客戶聯(lián)系。 Trelleborg Sealing Solutions業(yè)務(wù)區(qū)總裁

  與非網(wǎng)編輯

  2374

  05/16 16:13

  半導(dǎo)體 CVD
• 流量控制器在半導(dǎo)體加工工藝化學(xué)氣相沉積（CVD）的應(yīng)用
  薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。用來(lái)鍍膜的這個(gè)設(shè)備就叫薄膜沉積設(shè)備。薄膜制備工藝按照其成膜方法可分為兩大類：物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積（CVD），其中CVD工藝設(shè)備占比更高。

  sensorera

  2700

  03/29 07:37

  CVD 流量控制器
• 如何選擇合適的前驅(qū)體用于特定的CVD工藝
  在化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝中，選擇合適的前驅(qū)體是確保薄膜生長(zhǎng)質(zhì)量和性能的關(guān)鍵因素之一。不同的前驅(qū)體具有不同的熱解特性、反應(yīng)活性和產(chǎn)物形成路徑，因此在選擇前驅(qū)體時(shí)需要考慮其與基片和工藝條件的匹配性。本文將探討如何選擇合適的前驅(qū)體用于特定的CVD工藝，以實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定和優(yōu)質(zhì)的薄膜生長(zhǎng)。

  eefocus_3901714

  2132

  08/20 10:04

  CVD
• 如何判斷CVD工藝中前驅(qū)體的使用效率？如果效率降低，你會(huì)如何改進(jìn)
  在化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）工藝中，前驅(qū)體的使用效率對(duì)于薄膜生長(zhǎng)過(guò)程和最終產(chǎn)品的質(zhì)量很重要。有效地利用前驅(qū)體可以提高生產(chǎn)效率、減少成本，并優(yōu)化薄膜的性能。本文將探討如何判斷CVD工藝中前驅(qū)體的使用效率以及針對(duì)效率下降情況需要采取的改進(jìn)措施。

  eefocus_3901714

  1092

  08/20 09:57

  CVD
• CVD設(shè)備中的真空泄漏問(wèn)題如何解決
  在化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）設(shè)備中，保持恰當(dāng)?shù)恼婵斩仁谴_保生長(zhǎng)薄膜質(zhì)量和提高生產(chǎn)效率的關(guān)鍵因素之一。然而，真空系統(tǒng)常常面臨泄漏問(wèn)題，可能會(huì)嚴(yán)重影響反應(yīng)室內(nèi)壓力和氣氛控制，從而導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量下降。本文將探討CVD設(shè)備中的真空泄漏問(wèn)題，以及解決這些問(wèn)題的方法。

  eefocus_3901714

  747

  08/20 09:55

  CVD
• 如何進(jìn)行CVD設(shè)備的日常維護(hù)以確保工藝的穩(wěn)定性
  化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）是一種重要的薄膜生長(zhǎng)技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子、材料科學(xué)等領(lǐng)域。為確保CVD工藝的穩(wěn)定性和薄膜質(zhì)量，日常維護(hù)很有必要。本文將探討如何進(jìn)行CVD設(shè)備的日常維護(hù)，以確保工藝的穩(wěn)定性和薄膜生長(zhǎng)的高質(zhì)量。

  eefocus_3901714

  2418

  08/20 09:53

  CVD
• 在HDPCVD過(guò)程中，如果發(fā)現(xiàn)薄膜應(yīng)力過(guò)高，可以采取什么措施
  在高溫等離子化學(xué)氣相沉積（HDPCVD）過(guò)程中，薄膜的應(yīng)力異常高可能會(huì)影響薄膜的結(jié)構(gòu)和性能，甚至導(dǎo)致薄膜破裂。因此，及時(shí)采取措施來(lái)減輕或消除薄膜的應(yīng)力至關(guān)重要。本文將討論在HDPCVD過(guò)程中，當(dāng)發(fā)現(xiàn)薄膜應(yīng)力過(guò)高時(shí)，可以采取哪些措施來(lái)解決這一問(wèn)題。

  eefocus_3901714

  1280

  08/20 09:49

  CVD
• CVD工藝中常見(jiàn)的故障有哪些，如何解決
  化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）是一種廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、材料科學(xué)等領(lǐng)域的重要薄膜制備技術(shù)。然而，在實(shí)際生產(chǎn)中，CVD工藝可能出現(xiàn)各種故障，影響薄膜的質(zhì)量和性能。本文將探討CVD工藝中常見(jiàn)的故障類型以及針對(duì)這些故障的解決方法。

  eefocus_3901714

  3266

  08/19 09:43

  CVD
• 如何監(jiān)測(cè)和減少CVD工藝中的顆粒污染
  在化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝中，顆粒污染是一個(gè)常見(jiàn)且嚴(yán)重影響薄膜質(zhì)量的問(wèn)題。顆粒污染不僅會(huì)降低產(chǎn)品性能，還可能導(dǎo)致設(shè)備損壞和生產(chǎn)效率下降。本文將探討如何有效地監(jiān)測(cè)和減少CVD工藝中的顆粒污染，以提高產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率。

  eefocus_3901714

  1257

  08/19 09:41

  CVD

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