碳化硅MOSFET

• 2個晶圓廠新進度：正式投片；車規(guī)SiC MOS亮相
  

  近日，國內(nèi)2家碳化硅IDM廠商實現(xiàn)了晶圓廠和車規(guī)級SiC MOS產(chǎn)品方面的突破：9月20日，昕感科技官微宣布，他們于當日順利完成晶圓廠首批投片，標志著昕感晶圓廠正式進入全面營運階段。

  行家說三代半

  1503

  09/24 08:34

  晶圓廠 SiC-MOSFET
• 58.97億元！芯聯(lián)集成并購碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)子公司
  

  今年6月20日晚間，芯聯(lián)集成曾發(fā)布公告稱，其擬收購控股子公司芯聯(lián)越州集成電路制造（紹興）有限公司（以下簡稱：芯聯(lián)越州）剩余72.33%股權(quán)。歷時2個多月后，芯聯(lián)集成收購芯聯(lián)越州剩余72.33%股權(quán)的并購案迎來了最新進展。9月4日晚間，芯聯(lián)集成發(fā)布公告稱，其收購芯聯(lián)越州剩余72.33%股權(quán)的重組草案通過了董事會決議。

  化合物半導體市場

  1327

  09/06 08:43

  碳化硅 碳化硅MOSFET
• 國家隊加持，芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破
  

  據(jù)南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。

  全球半導體觀察

  1820

  09/03 10:20

  芯片制造 第三代半導體
• 國產(chǎn)SiC實現(xiàn)3大技術(shù)突破：溝槽MOS/8英寸/SiCOI量產(chǎn)
  

  近期國內(nèi)多家SiC企業(yè)均獲得了最新技術(shù)突破，涉及溝槽技術(shù)、大尺寸制備等：●?青禾晶元：實現(xiàn)了高質(zhì)量晶圓級SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的規(guī)?；a(chǎn)?！?國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）：成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)●?上海漢虹：使用自行研發(fā)制造的碳化硅長晶爐成功拉制出高品質(zhì)8英寸碳化硅晶體。

  行家說三代半

  1773

  09/03 08:32

  SiC 碳化硅MOSFET
• 4家SiC相關(guān)企業(yè)獲融資
  

  近日，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國內(nèi)又有4家SiC相關(guān)企業(yè)獲得融資：新瀝半導體：完成A輪融資，已量產(chǎn)1200V 80毫歐碳化硅MOS；矽迪半導體：完成數(shù)千萬天使輪融資，將新建試產(chǎn)線工廠；盈鑫半導體：完成天使輪投資，加速CMP進口替代；蓋澤科技：完成數(shù)千萬融資，SiC設(shè)備已量產(chǎn)交付。

  行家說三代半

  2406

  04/06 08:25

  SiC 碳化硅
• 碳化硅mosfet
  碳化硅金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET），簡稱碳化硅MOSFET，是一種新型功率半導體器件，在現(xiàn)代電力電子和工業(yè)控制領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比，碳化硅MOSFET具有更高的功率密度、更低的開關(guān)損耗以及更高的溫度穩(wěn)定性，因此備受關(guān)注。

  eefocus_3901714

  3963

  04/12 09:55

  碳化硅MOSFET

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