國產(chǎn)SiC實(shí)現(xiàn)3大技術(shù)突破：溝槽MOS/8英寸/SiCOI量產(chǎn)

“行家說三代半”獲悉，近期國內(nèi)多家SiC企業(yè)均獲得了最新技術(shù)突破，涉及溝槽技術(shù)、大尺寸制備等：

●?青禾晶元：實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量晶圓級SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的規(guī)?；a(chǎn)。

●?國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）：成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)。

●?上海漢虹：使用自行研發(fā)制造的碳化硅長晶爐成功拉制出高品質(zhì)8英寸碳化硅晶體。

青禾晶元：SiCOI實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)

8月28日，青禾晶元官微宣布，他們在絕緣體上碳化硅（SiCOI）材料的制備技術(shù)上取得了重大突破，成功實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量晶圓級SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的規(guī)?；a(chǎn)。

長期以來，高質(zhì)量SiCOI材料的制備一直是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的任務(wù)，需要解決晶圓鍵合、微納加工等多個(gè)技術(shù)難題，業(yè)內(nèi)前期探索主要是小尺寸樣品的制備嘗試。

青禾晶元成功攻克了這些技術(shù)難關(guān)，實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量晶圓級SiCOI的制備，該公司科研人員通過優(yōu)化晶圓鍵合質(zhì)量、完善微納加工工藝等手段，確保了SiCOI材料的高純度、高均勻性和高性能，為后續(xù)器件的制造和性能提升奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

值得一提的是，青禾晶元已正式參編《2024碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》，將與眾多行家企業(yè)一起深入剖析碳化硅產(chǎn)業(yè)脈絡(luò)?！栋灼穼⒂诮衲?2月中旬發(fā)布，屆時(shí)也將深入展示青禾晶元的SiC最新進(jìn)展和布局。

除青禾晶元外，合盛新材料、芯聚能、安海半導(dǎo)體、三安半導(dǎo)體、爍科晶體、天岳先進(jìn)、恒普技術(shù)、華卓精科、快克芯裝備、泰坦未來、東尼電子、科友半導(dǎo)體、長聯(lián)半導(dǎo)體、致領(lǐng)半導(dǎo)體、奧億達(dá)新材料、瑞霏光電、才道精密、億值旺、純水一號、中科光智、中電化合物、森國科、清軟微視、士蘭微、清連科技、弘信新材、高泰新材、成都炭材等也已正式參編《2024碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》，期待更多SiC領(lǐng)域的行家企業(yè)加入，共同推進(jìn)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，了解更多詳情請掃描海報(bào)二維碼。

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）：開發(fā)溝槽型碳化硅MOSFET芯片

9月1日，據(jù)“南京發(fā)布”官微消息，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）成功研發(fā)了溝槽型碳化硅（SiC）MOSFET芯片制造的關(guān)鍵技術(shù)，在國內(nèi)實(shí)現(xiàn)首次突破。

據(jù)介紹，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）組織核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)和全線配合團(tuán)隊(duì)歷時(shí)4年，不斷嘗試新工藝最終建立全新工藝流程，突破“挖坑”難、穩(wěn)、準(zhǔn)等難點(diǎn)，成功制造出溝槽型碳化硅MOSFET芯片，較平面型提升導(dǎo)通性能30%左右。

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）技術(shù)總監(jiān)黃潤華透露，目前中心正在進(jìn)行溝槽型碳化硅MOSFET芯片產(chǎn)品開發(fā)，推出溝槽型的碳化硅功率器件。預(yù)計(jì)一年內(nèi)可在新能源汽車電驅(qū)動、智能電網(wǎng)、光伏儲能等領(lǐng)域投入應(yīng)用。

此外，該中心還表示已啟動碳化硅超集結(jié)器件研究，該結(jié)構(gòu)的性能比溝槽型結(jié)構(gòu)的還要更優(yōu)更強(qiáng)，目前還在研發(fā)中。

上海漢虹：制備8英寸碳化硅晶體

8月30日，上海漢虹官微宣布，他們在拉晶實(shí)驗(yàn)室中，使用自行研發(fā)制造的碳化硅長晶爐成功拉制出高品質(zhì)8英寸碳化硅晶體，此晶體具備優(yōu)良的均勻性和低缺陷密度，直徑達(dá)到200毫米標(biāo)準(zhǔn)，電阻率和晶向均符合高端應(yīng)用要求。

據(jù)悉，該晶體的制備使用了上海漢虹自行研發(fā)制造的碳化硅長晶爐，采用上進(jìn)料方式和自動化控制，通過熱場旋轉(zhuǎn)及熱場工藝穩(wěn)定性設(shè)計(jì)，確保晶體生長過程中的溫度均勻性和穩(wěn)定性，目標(biāo)為新能源汽車、5G通訊等新興產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展提供材料基礎(chǔ)。