與非研究院

• 國(guó)產(chǎn)智算爭(zhēng)相開(kāi)啟“萬(wàn)卡”元年，十萬(wàn)卡還遠(yuǎn)嗎？
  

  2024年，我國(guó)智算中心建設(shè)進(jìn)入全面發(fā)力階段，最明顯的感受就是萬(wàn)卡集群項(xiàng)目在加速建設(shè)。

  張慧娟

  531

  10小時(shí)前

  GPU 數(shù)據(jù)中心
• 2024年度本土半導(dǎo)體行業(yè)并購(gòu)重組TOP榜
  

  從歷史經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，典型的半導(dǎo)體公司有三大成長(zhǎng)階段：（1）主業(yè)產(chǎn)品持續(xù)迭代帶來(lái)的單價(jià)、盈利能力、份額提升；（2）品類擴(kuò)張帶來(lái)的空間提升；（3）業(yè)務(wù)領(lǐng)域的拓展延伸。企業(yè)發(fā)展成熟后通過(guò)并購(gòu)來(lái)整合資源、提升市場(chǎng)占有率是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)，也是中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)走向世界所必不可少的步驟。 從2024年電子與半導(dǎo)體行業(yè)并購(gòu)來(lái)看，晶圓代工、封裝制造占比較大，面板領(lǐng)域并購(gòu)也較為突出。并購(gòu)和投資金額以10億-100

  王兵

  4507

  12/24 11:52

  與非研究院 晶圓制造
• 誰(shuí)在深度綁定豆包APP？國(guó)內(nèi)3家AI耳機(jī)芯片公司對(duì)比
  

  據(jù)統(tǒng)計(jì)，2024年11月份，豆包APP DAU（日活躍用戶數(shù)）接近900萬(wàn)，增長(zhǎng)率超過(guò)15%。豆包APP的累計(jì)用戶規(guī)模已成功超越1.6億，每日平均新增用戶下載量穩(wěn)定維持在80萬(wàn)，成為國(guó)內(nèi)能對(duì)標(biāo)GPT的大模型AI APP，目前在全球排名第二、國(guó)內(nèi)排名第一。豆包大模型已經(jīng)與八成主流汽車品牌合作，并接入到多家手機(jī)、PC等智能終端，覆蓋終端設(shè)備約3億臺(tái)，來(lái)自智能終端的豆包大模型調(diào)用量在半年時(shí)間內(nèi)增長(zhǎng)100

  王兵

  5623

  12/20 10:18

  AI AI大模型
• EDA企業(yè)分析之一：華大九天
  

  EDA故事的起點(diǎn)是在上世紀(jì)70年代，在經(jīng)歷了pre-EDA時(shí)期、EDA 1.0時(shí)期、EDA 2.0時(shí)期，到現(xiàn)在正在探索的EDA3.0 EDAaaS。這幾十年中，伴隨著行業(yè)主流企業(yè)的浮浮沉沉，EDA商業(yè)模式也在發(fā)生轉(zhuǎn)變，但其中不變的是對(duì)關(guān)鍵技術(shù)的深耕，用拳頭產(chǎn)品來(lái)錨定進(jìn)而整合出全流程的平臺(tái)，使得以核心技術(shù)為主的發(fā)展路線至今仍然充滿創(chuàng)新生命力。

  夏珍

  4017

  12/12 16:05

  eda 與非研究院
• 2024年終盤(pán)點(diǎn)：座艙芯片回歸群雄混戰(zhàn)
  

  引言 2024年，智能座艙芯片行業(yè)迎來(lái)了技術(shù)革新和市場(chǎng)擴(kuò)展的關(guān)鍵一年。伴隨著新能源汽車的普及、汽車智能化水平的提升，以及消費(fèi)者對(duì)車內(nèi)體驗(yàn)的高期望，智能座艙芯片市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。國(guó)內(nèi)外廠商通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品升級(jí)與市場(chǎng)拓展，加速了行業(yè)發(fā)展，推動(dòng)智能座艙逐步從“輔助工具”邁向“智能生態(tài)”。 ? 2024智能座艙芯片年度新聞TOP7 TOP7 新能源車與智能座艙融合度加深 新聞事件：主流新能源車

  李堅(jiān)

  5830

  12/12 16:03

  與非研究院 座艙芯片
• 先進(jìn)邏輯和3D存儲(chǔ)的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
  

  隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò)大， 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來(lái)越多，對(duì)絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過(guò) 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對(duì)于薄膜顆粒的要求也由微米級(jí)提高到納

  王兵

  4270

  12/10 09:18

  與非研究院 CVD
• 6家中國(guó)本土射頻芯片公司對(duì)比分析
  

  隨著全球5G、WiFi7等新興通信技術(shù)的普及，射頻行業(yè)迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。根據(jù)Gartner的預(yù)測(cè)，全球射頻前端市場(chǎng)規(guī)模到2026年將達(dá)到210億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）為8.3%。Yole Development則預(yù)測(cè)2028年全球移動(dòng)終端射頻前端市場(chǎng)將達(dá)到269億美元，年均增長(zhǎng)率約為5.8%。其中，發(fā)射端模組市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)122億美元，接收端模組為45億美元，濾波器和功率放大器分別為30

  李堅(jiān)

  9905

  12/05 14:37

  射頻 與非研究院
• 存儲(chǔ)原理、分類、競(jìng)爭(zhēng)格局及市場(chǎng)空間分析
  

  前述文章我們對(duì)國(guó)內(nèi)6家存儲(chǔ)企業(yè)的情況進(jìn)行了對(duì)比分析，對(duì)國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)在有了一定的了解。但是國(guó)內(nèi)企業(yè)發(fā)展晚，營(yíng)收和利潤(rùn)相對(duì)國(guó)際大廠來(lái)看還比較弱小；成熟制程占比多，先進(jìn)制程占比少；產(chǎn)品也存在很大的代差，先進(jìn)HBM3和LDDR5面臨較大挑戰(zhàn)。因當(dāng)前面臨各種限制，光刻機(jī)方向還未突破先進(jìn)制程，國(guó)內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)品選擇方向上比較偏傳統(tǒng)，且多是海外大廠逐步退出的小眾市場(chǎng)。但是從全球和國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)空間來(lái)看，行業(yè)空間比較廣闊

  王兵

  4765

  12/03 11:25

  與非研究院 存儲(chǔ)
• 國(guó)產(chǎn)CPU的2024：逆境前行，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵一年
  在地緣政治挑戰(zhàn)下，國(guó)產(chǎn)CPU如何在先進(jìn)工藝受阻等挑戰(zhàn)下持續(xù)創(chuàng)新是關(guān)注焦點(diǎn)。并且，隨著國(guó)產(chǎn)CPU走入新階段，沖擊高端顯然是必經(jīng)之路。

  張慧娟

  3393

  11/29 15:01

  與非研究院 龍芯
• 隱藏在納微半導(dǎo)體、珠海鎵未來(lái)背后的小米
  

  氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比，具有更高的擊穿電場(chǎng)、更低的導(dǎo)通電阻和更高的能量轉(zhuǎn)換效率。它能夠在高頻高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，尤其適合功率器件、射頻器件和快充設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用。 根據(jù)行業(yè)預(yù)測(cè)，全球氮化鎵市場(chǎng)將在未來(lái)幾年迎來(lái)高速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2027年市場(chǎng)規(guī)模將突破10億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率保持在30%以上。其廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景包括消費(fèi)電子、5G通信、新能源汽車和數(shù)據(jù)中心等，這使得氮化鎵成為未來(lái)

  李堅(jiān)

  4374

  11/28 17:39

  氮化鎵 與非研究院

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