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作者 | 方文三
在目前中美半導(dǎo)體之爭(zhēng)日益激化的背景下，半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域再次引發(fā)糾紛。
此次糾紛不同于以往，涉及中國(guó)芯片龍頭企業(yè)與美國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭公司之間的專利較量。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)訴訟美光多項(xiàng)專利侵權(quán)
根據(jù)美國(guó)加州北區(qū)地方法院公布的文件，長(zhǎng)江存儲(chǔ)于11月9日向該法院提起了專利侵權(quán)訴訟。
指控美光及其子公司侵犯了公司的多項(xiàng)3D NAND技術(shù)專利，并稱這些侵權(quán)行為已用于其固態(tài)硬盤產(chǎn)品中。
美光被控侵權(quán)的包括96層、128層、176層與232層等3D NAND產(chǎn)品。
目前本次涉案的長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利包括：
US10950623(3D NAND存儲(chǔ)器件及其形成方法)、US11501822(非易失性存儲(chǔ)裝置及控制方法)、US10658378(三維存儲(chǔ)器件的直通陣列接觸)、US10937806(三維存儲(chǔ)器件的直通陣列接觸)、US10861872(三維存儲(chǔ)器件及其形成方法)、US11468957(NAND存儲(chǔ)器操作的體系結(jié)構(gòu)和方法)、US11600342(三維閃存的讀取方法)、US10868031(多層堆疊三維存儲(chǔ)器件及其制造方法)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，去年11月，分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論：長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，超過了美光。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在起訴書中明確指出，美光未經(jīng)授權(quán)使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)，借此在市場(chǎng)上抵御來自長(zhǎng)江存儲(chǔ)的競(jìng)爭(zhēng)，并獲取和保有市場(chǎng)份額。
此次訴訟旨在解決美光試圖通過迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash市場(chǎng)來阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新的問題。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)此次的起訴，顯然是經(jīng)過深思熟慮和充分準(zhǔn)備的。
這并非針對(duì)美光某一項(xiàng)技術(shù)或某單一產(chǎn)品的爭(zhēng)端，而是涉及多項(xiàng)專利和多產(chǎn)品線的全面起訴。
七年成長(zhǎng)來之不易豈能放棄
長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年7月，總部位于武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)。
公司前身為武漢新芯，自成立以來，一直致力于3D NAND閃存的設(shè)計(jì)、制造和銷售。
在國(guó)家政策的大力支持下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功實(shí)現(xiàn)了3D NAND閃存領(lǐng)域的技術(shù)突圍。
公司于2017年年底正式推出了首個(gè)真正意義上的國(guó)產(chǎn)32層3D NAND閃存。
這一重要突破標(biāo)志著中國(guó)在存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展。
2018年8月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布了Xtacking（晶棧）技術(shù)，該技術(shù)在閃存技術(shù)架構(gòu)上實(shí)現(xiàn)了突破性創(chuàng)新。
該架構(gòu)的64層3D NAND閃存具有高存儲(chǔ)密度，與當(dāng)時(shí)其他廠商的96層產(chǎn)品相差無幾。
這標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在該領(lǐng)域具備了較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。
基于Xtacking技術(shù)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)不斷加速趕超，成功跳過96層堆疊，直接進(jìn)入128層。
該技術(shù)簡(jiǎn)單來說是可以實(shí)現(xiàn)并行、模塊化產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造，縮短開發(fā)時(shí)間和生產(chǎn)周期的同時(shí)，還能實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND技術(shù)更高的存儲(chǔ)密度與性能。
在這個(gè)buff的加持下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一路開掛。
不僅快速追上與海力士、三星等大廠的距離，并且在同行剛開啟商業(yè)化時(shí)，率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
到了2020年，公司已實(shí)現(xiàn)128層的NAND量產(chǎn)，與三星等國(guó)外大廠在技術(shù)上已沒有代差。
有業(yè)內(nèi)人士猜測(cè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已于2022年底低調(diào)推出232層NAND閃存堆疊技術(shù)，這一成就使其超越了國(guó)際存儲(chǔ)巨頭三星、美光、SK海力士等。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)之所以能在近些年攪局NAND市場(chǎng)，正是在國(guó)際存儲(chǔ)巨頭集體轉(zhuǎn)向3D NAND的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)，搶先一步量產(chǎn)232層閃存顆粒，并交付給第三方企業(yè)進(jìn)行封裝流入市場(chǎng)。
根據(jù)報(bào)告數(shù)據(jù)，截至2022年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在全球閃存市場(chǎng)的份額已達(dá)到約5%。
僅次于三星、SK海力士、Kioxia、西部數(shù)據(jù)和美光，成為全球第六大NAND閃存制造商。
經(jīng)過七年的不懈努力和超過2000億的資金投入，長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為一家專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，已在存儲(chǔ)領(lǐng)域取得了全球領(lǐng)先的技術(shù)成果。
但是，自2022年10月起，長(zhǎng)江存儲(chǔ)被列入BIS的UVL；同年12月，經(jīng)過核查，BIS最終決定將長(zhǎng)江存儲(chǔ)加入其Entity List。
進(jìn)攻就是最好的防守
盡管長(zhǎng)江存儲(chǔ)已在美國(guó)本土專利儲(chǔ)備上進(jìn)行了充分的準(zhǔn)備，但相較于美光近13100項(xiàng)有效的美國(guó)專利，其仍然面臨著巨大的挑戰(zhàn)，仿佛是蚍蜉試圖撼動(dòng)大樹。
專利戰(zhàn)的真正目的，在于為公司爭(zhēng)取公平談判的機(jī)會(huì)，以應(yīng)對(duì)出口管制，這是關(guān)乎公司生存的戰(zhàn)斗。
對(duì)于科技公司而言，知識(shí)產(chǎn)權(quán)是構(gòu)成其競(jìng)爭(zhēng)力的重要元素之一，而專利則是知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心。
科技巨頭之間的專利大戰(zhàn)，其背后往往并非單純的金錢利益，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)才是更為關(guān)鍵的一環(huán)。
當(dāng)前美光在國(guó)內(nèi)受到限制，其自身發(fā)展又受到半導(dǎo)體周期性的影響，目前仍處在低谷。
對(duì)于長(zhǎng)江存儲(chǔ)而言，這無疑是一個(gè)難得的機(jī)會(huì)。
這或許正應(yīng)了那句老話：[進(jìn)攻就是最好的防守]。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)提起的訴訟不僅是為了終止美光未經(jīng)授權(quán)使用其專利創(chuàng)新，也是為了爭(zhēng)取更多的談判優(yōu)勢(shì)，以獲得更有利的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)地位。
結(jié)尾：
回顧歷史，專利大戰(zhàn)的目的往往并非只是為了贏得官司或獲取巨額賠償，更多的是為了通過訴訟來[止戰(zhàn)]，這才是很多專利大戰(zhàn)背后真正的目的。
希望這次專利訴訟能為長(zhǎng)江存儲(chǔ)再次爭(zhēng)取到一個(gè)[窗口]，同時(shí)也為更多中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)帶來信心。
部分資料參考：
鎂客網(wǎng)：《長(zhǎng)江存儲(chǔ)vs美光：一場(chǎng)中美芯片戰(zhàn)的[反圍剿]》，中國(guó)貿(mào)易報(bào)：《長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美芯片巨頭專利侵權(quán)，能不能贏？》，物聯(lián)網(wǎng)圈：《專利訴訟背后的全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)之戰(zhàn)》
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