氮化鎵

• GaN“上車”進程提速：1200V MOS、800V模塊
  

  氮化鎵技術在電動汽車領域的應用潛力在日益顯現(xiàn)，研發(fā)熱度不斷上漲。近日，國外多家企業(yè)/機構向公眾展示了“GaN上車”的最新研究成果：

  行家說三代半

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  12/25 14:20

  GaN 氮化鎵
• 氮化鎵全球第一，英諾賽科做對了什么？
  

  絕大多數(shù)半導體細分市場，都是由海外巨頭主導，然而氮化鎵功率半導體卻例外。 根據(jù)弗若斯特沙利文的數(shù)據(jù)，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（下文簡稱“英諾賽科”）2023年的收入為5.93億元，市場份額達33.7%，在全球氮化鎵功率半導體企業(yè)中排名第一。按折算氮化鎵分立器件出貨量計，2023年英諾賽科的市場份額為42.4%，同樣在全球氮化鎵功率半導體公司中排名第一。 英諾賽科作為IDM廠商，設計、開發(fā)及

  史德志

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  12/25 10:30

  氮化鎵
• 邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響
  

  作者：Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產品高級總監(jiān) 校對：宋清亮 英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)高級首席工程師 過去幾十年間，人口和經(jīng)濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)

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  12/23 08:17

  GaN 氮化鎵
• 英諾賽科即將登陸港股：氮化鎵分立器件累計出貨量全球第一！
  

  氮化鎵龍頭大廠英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）于今年6月正式向香港證券交易所遞交了IPO上市申請之后，12月12日晚間，根據(jù)港交所披露的信息顯示，英諾賽科已經(jīng)通過上市聆訊，并披露聆訊后資料集。

  芯智訊

  450

  12/23 12:40

  氮化鎵 英諾賽科
• 意法半導體推出的250W MasterGaN參考設計可加速實現(xiàn)緊湊、高效的工業(yè)電源
  

  為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計，意法半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝(SiP)的諧振轉換器參考設計。 意法半導體的MasterGaN-SiP在一個封裝內整合了GaN功率晶體管與開關速度和控制準確度優(yōu)化的柵極驅動器。使用高集成度的系統(tǒng)級封裝SiP代替采用多個分立元件的等效解決方案，有助于最大限度地提高電源的性能和可靠性，同時

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  889

  12/20 08:11

  氮化鎵 柵極驅動器
• 引領功率半導體市場變革 氮化鎵龍頭英諾賽科港股招股中
  近年來，隨著新能源產業(yè)的蓬勃發(fā)展，以及智能制造、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新興領域的興起，功率半導體器件市場需求增長迅猛。其中，以氮化鎵為代表的第三代半導體材料，憑借優(yōu)秀的物理性能和廣泛的下游應用場景，已成為推動功率半導體行業(yè)變革的核心驅動力。 在這一領域，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（「英諾賽科」或「公司」，2577.HK）是公認的頭部企業(yè)，憑借強大的技術專長和前瞻布局，穩(wěn)居行業(yè)領先地位。12月18日至1

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  12/20 08:07

  氮化鎵 IDM
• 英諾賽科今日在港招股 氮化鎵功率半導體新星升起
  中央政治局會議指，要以科技創(chuàng)新引領新質生產力發(fā)展，建設現(xiàn)代化產業(yè)體系。以半導體為代表的硬科技兼具「經(jīng)濟順周期」與「新質生產力」的雙重特征，在國家政策大力扶持下，復蘇趨勢逐漸明朗，各細分板塊投資機遇顯現(xiàn)。 作為最新一代半導體材料，氮化鎵近年來已廣泛應用于各行各業(yè)，不僅將在功率半導體行業(yè)的持續(xù)變革中發(fā)揮關鍵作用，也有望誕生第一家港股上市公司。12月18日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（下稱「英諾賽

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  12/19 09:18

  半導體 氮化鎵
• 羅姆與臺積公司在車載氮化鎵功率器件領域建立戰(zhàn)略合作伙伴關系
  

  全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited（以下簡稱“臺積公司”）就車載氮化鎵功率器件的開發(fā)和量產事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關系。 通過該合作關系，雙方將致力于將羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術與臺積公司業(yè)界先進的GaN-on-Silicon工藝技術優(yōu)勢結合起來，滿足市場對高耐壓和

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  12/10 09:31

  氮化鎵 ROHM
• 隱藏在納微半導體、珠海鎵未來背后的小米
  

  氮化鎵作為第三代半導體材料，與傳統(tǒng)的硅基技術相比，具有更高的擊穿電場、更低的導通電阻和更高的能量轉換效率。它能夠在高頻高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，尤其適合功率器件、射頻器件和快充設備等領域的應用。 根據(jù)行業(yè)預測，全球氮化鎵市場將在未來幾年迎來高速增長，預計到2027年市場規(guī)模將突破10億美元，年復合增長率保持在30%以上。其廣泛的應用場景包括消費電子、5G通信、新能源汽車和數(shù)據(jù)中心等，這使得氮化鎵成為未來

  李堅

  4375

  11/28 17:39

  氮化鎵 與非研究院

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