氮化鎵

• GaN“上車”進(jìn)程提速：1200V MOS、800V模塊
  

  氮化鎵技術(shù)在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的應(yīng)用潛力在日益顯現(xiàn)，研發(fā)熱度不斷上漲。近日，國(guó)外多家企業(yè)/機(jī)構(gòu)向公眾展示了“GaN上車”的最新研究成果：

  行家說(shuō)三代半

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  12/25 14:20

  GaN 氮化鎵
• 氮化鎵全球第一，英諾賽科做對(duì)了什么？
  

  絕大多數(shù)半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)，都是由海外巨頭主導(dǎo)，然而氮化鎵功率半導(dǎo)體卻例外。 根據(jù)弗若斯特沙利文的數(shù)據(jù)，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱“英諾賽科”）2023年的收入為5.93億元，市場(chǎng)份額達(dá)33.7%，在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體企業(yè)中排名第一。按折算氮化鎵分立器件出貨量計(jì)，2023年英諾賽科的市場(chǎng)份額為42.4%，同樣在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名第一。 英諾賽科作為IDM廠商，設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)及

  史德志

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  12/25 10:30

  氮化鎵
• 邁向更綠色的未來(lái)：GaN技術(shù)的變革性影響
  

  作者：Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產(chǎn)品高級(jí)總監(jiān) 校對(duì)：宋清亮 英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)高級(jí)首席工程師 過(guò)去幾十年間，人口和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了全球能源消耗的穩(wěn)步增長(zhǎng)，并且預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)還將持續(xù)。這種增長(zhǎng)是線下與線上活動(dòng)共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計(jì)，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時(shí)（TWh）。近年來(lái)，全球數(shù)據(jù)

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  12/23 08:17

  GaN 氮化鎵
• 英諾賽科即將登陸港股：氮化鎵分立器件累計(jì)出貨量全球第一！
  

  氮化鎵龍頭大廠英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“英諾賽科”）于今年6月正式向香港證券交易所遞交了IPO上市申請(qǐng)之后，12月12日晚間，根據(jù)港交所披露的信息顯示，英諾賽科已經(jīng)通過(guò)上市聆訊，并披露聆訊后資料集。

  芯智訊

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  12/23 12:40

  氮化鎵 英諾賽科
• 意法半導(dǎo)體推出的250W MasterGaN參考設(shè)計(jì)可加速實(shí)現(xiàn)緊湊、高效的工業(yè)電源
  

  為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設(shè)計(jì)，意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。 意法半導(dǎo)體的MasterGaN-SiP在一個(gè)封裝內(nèi)整合了GaN功率晶體管與開(kāi)關(guān)速度和控制準(zhǔn)確度優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器。使用高集成度的系統(tǒng)級(jí)封裝SiP代替采用多個(gè)分立元件的等效解決方案，有助于最大限度地提高電源的性能和可靠性，同時(shí)

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  12/20 08:11

  氮化鎵 柵極驅(qū)動(dòng)器
• 引領(lǐng)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)變革 氮化鎵龍頭英諾賽科港股招股中
  近年來(lái)，隨著新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，以及智能制造、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的興起，功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)需求增長(zhǎng)迅猛。其中，以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料，憑借優(yōu)秀的物理性能和廣泛的下游應(yīng)用場(chǎng)景，已成為推動(dòng)功率半導(dǎo)體行業(yè)變革的核心驅(qū)動(dòng)力。 在這一領(lǐng)域，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（「英諾賽科」或「公司」，2577.HK）是公認(rèn)的頭部企業(yè)，憑借強(qiáng)大的技術(shù)專長(zhǎng)和前瞻布局，穩(wěn)居行業(yè)領(lǐng)先地位。12月18日至1

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  12/20 08:07

  氮化鎵 IDM
• 英諾賽科今日在港招股 氮化鎵功率半導(dǎo)體新星升起
  中央政治局會(huì)議指，要以科技創(chuàng)新引領(lǐng)新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展，建設(shè)現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系。以半導(dǎo)體為代表的硬科技兼具「經(jīng)濟(jì)順周期」與「新質(zhì)生產(chǎn)力」的雙重特征，在國(guó)家政策大力扶持下，復(fù)蘇趨勢(shì)逐漸明朗，各細(xì)分板塊投資機(jī)遇顯現(xiàn)。 作為最新一代半導(dǎo)體材料，氮化鎵近年來(lái)已廣泛應(yīng)用于各行各業(yè)，不僅將在功率半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)變革中發(fā)揮關(guān)鍵作用，也有望誕生第一家港股上市公司。12月18日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（下稱「英諾賽

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  12/19 09:18

  半導(dǎo)體 氮化鎵
• 羅姆與臺(tái)積公司在車載氮化鎵功率器件領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
  

  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited（以下簡(jiǎn)稱“臺(tái)積公司”）就車載氮化鎵功率器件的開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。 通過(guò)該合作關(guān)系，雙方將致力于將羅姆的氮化鎵器件開(kāi)發(fā)技術(shù)與臺(tái)積公司業(yè)界先進(jìn)的GaN-on-Silicon工藝技術(shù)優(yōu)勢(shì)結(jié)合起來(lái)，滿足市場(chǎng)對(duì)高耐壓和

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  12/10 09:31

  氮化鎵 ROHM
• 隱藏在納微半導(dǎo)體、珠海鎵未來(lái)背后的小米
  

  氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比，具有更高的擊穿電場(chǎng)、更低的導(dǎo)通電阻和更高的能量轉(zhuǎn)換效率。它能夠在高頻高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，尤其適合功率器件、射頻器件和快充設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用。 根據(jù)行業(yè)預(yù)測(cè)，全球氮化鎵市場(chǎng)將在未來(lái)幾年迎來(lái)高速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2027年市場(chǎng)規(guī)模將突破10億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率保持在30%以上。其廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景包括消費(fèi)電子、5G通信、新能源汽車和數(shù)據(jù)中心等，這使得氮化鎵成為未來(lái)

  李堅(jiān)

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  11/28 17:39

  氮化鎵 與非研究院
• 氮化鎵的未來(lái)：IDM還是Fabless
  

  今年十月份，日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體（ROHM）公開(kāi)表示，將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域加強(qiáng)與臺(tái)積電合作，公司旗下的氮化鎵（GaN）產(chǎn)品將全面委托臺(tái)積電代工生產(chǎn)。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  11/25 09:55

  氮化鎵 IDM
• 新型IsoVu? 隔離電流探頭：為電流測(cè)量帶來(lái)全新維度
  

  作者：泰克科技，Yogesh Pai 示波器測(cè)量電流的常見(jiàn)方法包括使用電流互感器、羅氏線圈和霍爾效應(yīng)鉗式探頭。按規(guī)格要求使用時(shí)，優(yōu)質(zhì)磁探頭的測(cè)量結(jié)果非常準(zhǔn)確。因?yàn)椴恍枰獢嚅_(kāi)電路，因此用于測(cè)量在電線或測(cè)試回路中流動(dòng)的電流也很方便。然而，磁探頭存在一些固有的局限性。在本文中，作者將介紹針對(duì)基于分流器進(jìn)行電流測(cè)量而優(yōu)化的探頭屬性，并探討 IsoVuTM電流分流探頭特別適用的兩種應(yīng)用。 如上所述，使用磁探

  與非網(wǎng)編輯

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  11/22 08:36

  連接器 示波器
• 揭秘全球首款1700V GaN開(kāi)關(guān)IC InnoMux?-2，PI如何賦能高壓應(yīng)用場(chǎng)景？
  

  氮化鎵作為顛覆傳統(tǒng)功率器件的革命性創(chuàng)新，正逐漸擴(kuò)展其應(yīng)用邊界。作為全球高壓功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)，Power Integrations（簡(jiǎn)稱PI）長(zhǎng)期致力于通過(guò)創(chuàng)新推動(dòng)行業(yè)變革，尤其是在氮化鎵（GaN）技術(shù)領(lǐng)域不斷實(shí)現(xiàn)突破。 2024年11月4日，PI發(fā)布了業(yè)界首款1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC——InnoMux?-2，這一產(chǎn)品標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)發(fā)展的重要里程碑。InnoMux?-2采用PI獨(dú)有的Powi

  李堅(jiān)

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  11/21 20:04

  氮化鎵
• 寬禁帶半導(dǎo)體“漸入佳境”
  

  隨著微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求的快速發(fā)展，寬禁帶半導(dǎo)體材料對(duì)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要性日益凸顯。尤其是伴隨人工智能、新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體需求逐漸攀升，寬禁帶半導(dǎo)體在技術(shù)推進(jìn)、產(chǎn)品創(chuàng)新、行業(yè)布局上都迎來(lái)了新的變化。

  中國(guó)電子報(bào)

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  11/18 13:04

  氮化鎵 半導(dǎo)體材料
• 業(yè)界首款1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC面世，碳化硅面臨被替代？
  

  而氮化鎵雖然擁有與碳化硅相似的優(yōu)點(diǎn)，但相較于碳化硅，近幾年的發(fā)展似乎有些不溫不火。在高壓領(lǐng)域，有碳化硅器件，在低壓領(lǐng)域，又有硅器件。近期Power Integration（PI）推出的首款1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC打破了這一局面，讓氮化鎵器件開(kāi)始與碳化硅器件進(jìn)行正面較量。

  TechSugar

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  11/13 11:41

  氮化鎵 開(kāi)關(guān)IC
• 超2億！新增2起氮化鎵收購(gòu)案
  

  近期，“行家說(shuō)三代半”又發(fā)現(xiàn)行業(yè)內(nèi)又新增2起氮化鎵收購(gòu)案：11月6日，據(jù)MACOM官網(wǎng)透露，MACOM已經(jīng)完成對(duì)氮化鎵企業(yè)ENGIN-IC的收購(gòu)，此次交易以現(xiàn)金支付，預(yù)計(jì)對(duì) MACOM 的近期財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)影響不大。

  行家說(shuō)三代半

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  11/12 08:55

  氮化鎵 MACOM
• Power Integrations推出1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC 為氮化鎵技術(shù)樹(shù)立新標(biāo)桿
  

  1700V額定耐壓的氮化鎵InnoMux-2 IC可在1000VDC母線電壓下實(shí)現(xiàn)高于90%的效率，并通過(guò)三路精確調(diào)整的輸出提供高達(dá)70W的功率 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出InnoMux?-2系列單級(jí)、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術(shù)制造而成，是業(yè)界首款17

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  11/05 07:41

  氮化鎵 Power Integrations
• 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效
  

  繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來(lái)西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）再次在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得新的里程碑。英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進(jìn)展，這種晶圓直徑為300㎜，厚度為20μm。厚度僅有頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進(jìn)的40-60μ

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  700

  10/30 07:14

  半導(dǎo)體 英飛凌
• 氮化鎵也要代工了？
  

  近日，日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體（ROHM）公開(kāi)表示，將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域加強(qiáng)與臺(tái)積電合作，公司旗下的氮化鎵產(chǎn)品將全面委托臺(tái)積電代工生產(chǎn)。

  中國(guó)電子報(bào)

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  10/29 09:20

  臺(tái)積電 氮化鎵
• 超3.3億！新增4個(gè)氮化鎵項(xiàng)目
  

  近日，山東、浙江及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)共新增了4個(gè)GaN相關(guān)項(xiàng)目，10月18日，據(jù)“投資濟(jì)南”官微消息，濟(jì)南市半導(dǎo)體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價(jià)值技術(shù)成果本市轉(zhuǎn)化對(duì)接會(huì)于17日在歷城區(qū)國(guó)家超級(jí)計(jì)算濟(jì)南中心舉辦，會(huì)上簽約了一個(gè)GaN單晶項(xiàng)目。

  行家說(shuō)三代半

  1584

  10/22 08:44

  GaN 氮化鎵
• 這家GaN突破3300V！投資15億建3條芯片線
  

  近日，一家GaN企業(yè)宣布了其在高壓氮化鎵功率器件領(lǐng)域的突破，電壓等級(jí)達(dá)3300V——10月18日，據(jù)“泰克科技”官微消息，近日，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并送往泰克科技進(jìn)行了測(cè)試。

  行家說(shuō)三代半

  1234

  10/21 11:50

  GaN 氮化鎵

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