半導體晶圓

• 降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法
  

  一、碳化硅襯底的加工流程 碳化硅襯底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗拋和精拋（CMP）等幾個關鍵工序。每一步都對最終產(chǎn)品的TTV有著重要影響。 切割：將SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多線砂漿切割是目前常用的切割方式，關鍵在于確保切割后的晶片厚度均勻、翹曲度小。 粗磨：去除切割過程中產(chǎn)生的表面損傷和刀紋，修復變形。此過程需使用高硬度磨料，如碳化硼或金剛石粉，以達到穩(wěn)定的去除速率。 精磨：進一步降

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  12/25 09:10

  碳化硅 半導體晶圓
• 激光退火后，碳化硅襯底TTV變化管控
  

  一、激光退火在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 激光退火是一種先進的熱處理技術(shù)，通過局部高溫作用，能夠修復碳化硅襯底中的晶格缺陷，提高晶體質(zhì)量，優(yōu)化摻雜元素的分布，從而改善材料的導電性能和表面結(jié)構(gòu)。然而，激光退火過程中，由于激光能量分布的不均勻性、退火參數(shù)的精確控制難度以及襯底材料的初始狀態(tài)等因素，往往會導致襯底表面TTV的變化，進而影響后續(xù)加工工序和最終產(chǎn)品的性能。 二、影響激光退火后TTV變化的關

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  12/24 10:04

  碳化硅 半導體晶圓
• 優(yōu)化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控
  

  一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面損傷層、調(diào)整表面形貌、提高表面光潔度等。然而，濕法腐蝕過程中，由于腐蝕液的選擇、腐蝕時間的控制、腐蝕均勻性等因素，往往會導致襯底表面TTV的增加，進而影響后續(xù)加工工序和最終產(chǎn)品的性能。 二、影響濕法腐蝕后TTV的關鍵因素 腐蝕液成分：腐蝕液的選擇直接影響腐蝕速率和均勻性。不同的腐蝕液對碳化硅的腐蝕

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  12/24 10:03

  碳化硅 半導體晶圓
• 降低晶圓TTV的磨片加工有哪些方法
  

  降低晶圓TTV（Total Thickness Variation，總厚度變化）的磨片加工方法主要包括以下幾種： 一、采用先進的磨削技術(shù) 硅片旋轉(zhuǎn)磨削： 原理：吸附在工作臺上的單晶硅片和杯型金剛石砂輪繞各自軸線旋轉(zhuǎn)，砂輪同時沿軸向連續(xù)進給。砂輪直徑大于被加工硅片直徑，其圓周經(jīng)過硅片中心。 優(yōu)點：單次單片磨削，可加工大尺寸硅片；磨削力相對穩(wěn)定，通過調(diào)整砂輪轉(zhuǎn)軸和硅片轉(zhuǎn)軸之間的傾角可實現(xiàn)單晶硅片面型的

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  12/24 10:02

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• RFID跟蹤晶片生產(chǎn)-FOUP晶圓盒生產(chǎn)車間
  在半導體晶片生產(chǎn)工廠中，每天都會有大量的芯片在生產(chǎn)、傳輸，通過RFID技術(shù)，可以對晶圓盒進行識別、智能管理，確定晶片在生產(chǎn)過程中的工藝流程、生產(chǎn)進度等，實時跟蹤與優(yōu)化生產(chǎn)過程中的每一步，確保晶片在生產(chǎn)過程中保持優(yōu)秀的品質(zhì)。在晶片的制造過程中，硅晶片會放在FOUP晶圓盒中，每個晶圓盒都會承載著相應數(shù)量的硅晶片。而TI標簽（即RFID標簽）則嵌入到晶圓盒中，記錄著硅晶片的尺寸、數(shù)量等重要信息。TI標簽

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  11/29 10:52

  RFID RFID讀寫器

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