電力晶體管

電力晶體管（Power MOSFET），簡(jiǎn)稱(chēng)為功率MOS管，是一種主要用于高頻開(kāi)關(guān)、調(diào)節(jié)和放大的半導(dǎo)體器件。它具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度、無(wú)耗散功率、溫度穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，在汽車(chē)電子、電源管理、LED照明等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。

1.電力晶體管分類(lèi)及圖形符號(hào)

電力晶體管可按電氣參數(shù)、封裝形式分為多種類(lèi)型，如N溝道型MOS管、P溝道型MOS管、雙極性（BJT）開(kāi)關(guān)管等。其圖形符號(hào)通常表示為一個(gè)矩形，底部連接一個(gè)箭頭表示源極位置，左側(cè)帶有一條斜線表示柵極，右側(cè)則為漏極。

2.電力晶體管結(jié)構(gòu)及工作原理

電力晶體管通常由P型襯底、N型漏極、P型漏障層、N型溝道和金屬柵等材料組成。當(dāng)外加電壓施加在柵極上時(shí)，形成了溝道區(qū)域，使得漏障層處于高阻態(tài)，從而控制電流的流動(dòng)。當(dāng)施加足夠高的柵極電壓時(shí)，溝道區(qū)域會(huì)被壓縮并消失，使得漏障層處于低阻態(tài)，從而允許電流通過(guò)。

3.電力晶體管特點(diǎn)

電力晶體管具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度、無(wú)耗散功率、溫度穩(wěn)定性好等特點(diǎn)。同時(shí)，它還具有多保護(hù)能力，可以通過(guò)內(nèi)部過(guò)壓、短路等保護(hù)功能保證安全穩(wěn)定運(yùn)行。然而，電力晶體管也面臨著電壓容忍度較低、漏電流大等缺點(diǎn)。