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AFT09MP055NR1, AFT09MP055GNR1寬帶RF功率LDMOS晶體管 - 數(shù)據(jù)表

2023/04/25
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RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N-通道、增強型橫向MOSFET，這些晶體管專為頻率從764到941 MHz的移動對講機應用而設計。這些器件具有高增益、耐用性和寬帶性能，使它們非常適合于移動無線電設備中大信號、共源放大器應用。

RF功率LDMOS晶體管是一種高性能功率放大器元件，適用于廣泛的通信系統(tǒng)。在移動對講機等設備中，這些晶體管的高增益和耐用性特點可以支持穩(wěn)定而清晰的信號傳輸，同時其寬帶性能也使其適用于處理多種不同頻率的信號。

這些RF功率LDMOS晶體管采用了增強型橫向MOSFET結(jié)構(gòu)，提供了更好的性能和可靠性。它們被廣泛應用于移動通信領域，如移動對講機、基站和其他無線設備中的功率放大器設計。

總之，這些RF功率LDMOS晶體管是專為移動通信領域而設計的高性能器件，具有高耐用性、寬帶性能和高增益，適用于移動對講機等設備中的大信號放大器應用。

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恩智浦

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恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起

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