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1、「天科合達(dá)」榮獲 2020 年度中國(guó)科學(xué)院科技促進(jìn)發(fā)展獎(jiǎng)
2021 年 1 月 15 日，中國(guó)科學(xué)院 2021 年度工作會(huì)議在京召開，會(huì)議頒發(fā)了中國(guó)科學(xué)院 2020 年度各類科技獎(jiǎng)項(xiàng)，北京天科合達(dá)公司和中國(guó)科學(xué)院物理研究所的“碳化硅晶體生長(zhǎng)和加工技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化團(tuán)隊(duì)”榮獲 2020 年度中國(guó)科學(xué)院科技促進(jìn)發(fā)展獎(jiǎng)。
“碳化硅晶體生長(zhǎng)和加工技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化團(tuán)隊(duì)”
榮獲 2020 年度中國(guó)科學(xué)院科技促進(jìn)發(fā)展獎(jiǎng)
天科合達(dá)是專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底和外延研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，是全球碳化硅單晶襯底和外延的主要生產(chǎn)商之一。經(jīng)過(guò)多年研發(fā)投入和技術(shù)積累，公司形成擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“PVT 碳化硅單晶生長(zhǎng)爐制造技術(shù)”、“高純度碳化硅生長(zhǎng)原料合成技術(shù)”、“PVT 碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)”、“低翹曲度碳化硅晶體切割技術(shù)”、“碳化硅晶片精密研磨拋光技術(shù)”和“即開即用的碳化硅晶片清洗技術(shù)”等六大核心技術(shù)體系，覆蓋“設(shè)備研制—原料合成—晶體生長(zhǎng)—晶體切割—晶片加工—清洗檢測(cè)”的碳化硅晶片生產(chǎn)的全流程。
2、比亞迪、中車時(shí)代電氣同時(shí)宣布上市
1 月初，比亞迪公告稱，公司董事會(huì)會(huì)議審議通過(guò)了《關(guān)于擬籌劃控股子公司分拆上市的議案》，董事會(huì)同意公司控股子公司比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“比亞迪半導(dǎo)體”）籌劃分拆上市事項(xiàng)，并授權(quán)公司及比亞迪半導(dǎo)體管理層啟動(dòng)分拆比亞迪半導(dǎo)體上市的前期籌備工作。無(wú)獨(dú)有偶，中車時(shí)代電氣也在港交所發(fā)布公告稱，該公司就建議發(fā)行 A 股向上交所提交包括 A 股招股說(shuō)明書（申報(bào)稿）在內(nèi)的申請(qǐng)材料，上交所已予以受理并依法進(jìn)行審核。2019 年中國(guó)新能源車 IGBT（即絕緣柵雙極型晶體管）市場(chǎng)中，比亞迪半導(dǎo)體的市場(chǎng)份額排名第二，中車時(shí)代電氣也占據(jù)了一定的市場(chǎng)份額。業(yè)內(nèi)人士分析，政策支持疊加市場(chǎng)需求的大背景下，2021 年功率半導(dǎo)體有望迎來(lái)高景氣周期，產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)上市，無(wú)疑將會(huì)加速其分享功率半導(dǎo)體行業(yè)紅利的進(jìn)程。
3、青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地舉行奠基儀式
1 月 18 日上午，青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地奠基儀式在深圳坪山隆重舉行，標(biāo)志著青銅劍集團(tuán)發(fā)展邁入新階段。青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地是深圳市 2020 年重大項(xiàng)目，位于坪山區(qū)丹梓大道與光科三路交匯處西南角，占地 8073.79 平方米，總建筑面積近 5 萬(wàn)平方米，預(yù)計(jì) 2022 年底完工。該基地將作為青銅劍科技集團(tuán)總部，同時(shí)建設(shè)第三代半導(dǎo)體研發(fā)中心、車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件封裝線和中歐創(chuàng)新中心孵化器等，最終形成國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的具備全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)和生產(chǎn)制造能力的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。
4、泰科天潤(rùn)陳彤：力爭(zhēng)瀏陽(yáng)項(xiàng)目春節(jié)前投產(chǎn)，滿產(chǎn)后年產(chǎn)值預(yù)計(jì) 13 億至 14 億元
瀏陽(yáng)泰科天潤(rùn)碳化硅芯片項(xiàng)目
泰科天潤(rùn)瀏陽(yáng)項(xiàng)目位于瀏陽(yáng)經(jīng)開區(qū)（高新區(qū)）新能源標(biāo)準(zhǔn)廠區(qū)內(nèi)，如今 90%的生產(chǎn)設(shè)備已到位，大部分設(shè)備處于工藝調(diào)試階段。項(xiàng)目建成滿產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn) 6 萬(wàn)片 / 年的 6 英寸碳化硅功率芯片生產(chǎn)及銷售。這意味著，項(xiàng)目一旦投產(chǎn)，將打造一條極具市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的碳化硅功率器件生產(chǎn)線。依托這樣爭(zhēng)分奪秒的發(fā)展速度，泰科天潤(rùn)有信心以最快的速度改變歐美國(guó)家對(duì)我國(guó)高端功率器件的長(zhǎng)期壟斷格局，突破行業(yè)領(lǐng)域技術(shù)壁壘等問(wèn)題。
5、科銳推出新型 Wolfspeed WolfPACK SiC 功率模塊
1 月 12 日，科銳宣布推出 Wolfspeed WolfPACK™ 功率模塊，擴(kuò)展其解決方案范圍，并為包括電動(dòng)汽車快速充電、可再生能源和儲(chǔ)能、工業(yè)電源應(yīng)用在內(nèi)的各種工業(yè)電源的性能開啟新時(shí)代。該新型 SiC 模塊實(shí)現(xiàn)功率密度最大化，并在標(biāo)準(zhǔn)尺寸內(nèi)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，顯著加快新一代技術(shù)的生產(chǎn)和推出，賦能包括非車載充電和太陽(yáng)能解決方案在內(nèi)的眾多快速增長(zhǎng)的工業(yè)市場(chǎng)。
6、汽車廠商押注碳化硅
1 月中旬，據(jù)韓媒報(bào)道，LG 集團(tuán)旗下子公司硅芯片有限公司（Silicon Works）日前宣布擴(kuò)大其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，重點(diǎn)押注碳化硅 PMIC 以及 MCU。據(jù)了解，硅芯片公司此前更常以其驅(qū)動(dòng) IC 產(chǎn)品被業(yè)界所熟知。此次大動(dòng)作轉(zhuǎn)向碳化硅芯片領(lǐng)域，不僅透露了其對(duì)從 LG 集團(tuán)分拆后的發(fā)展規(guī)劃，更是從側(cè)面印證了碳化硅正在成為汽車領(lǐng)域冉冉升起的新星。自從 2016 年 4 月，特斯拉 Tesla Model 3 中率先采用了以碳化硅 SiC MOSFET 為功率模塊的逆變器之后，截至當(dāng)前，全球已有超過(guò) 20 家汽車廠商在車載充電系統(tǒng)中使用碳化硅功率器件。
7、新型金剛石 MOSFET 可提供更高效率
加的斯大學(xué)（UCA）的一組研究人員設(shè)計(jì)了一種基于高效半導(dǎo)體材料的電子晶體管，該晶體管具有新穎的結(jié)構(gòu)，可應(yīng)用于能源領(lǐng)域，例如風(fēng)能和光伏電站以及電動(dòng)汽車。隨著金剛石的摻入，研究人員在器件效率方面取得了顯著改善，從而將電力變壓器的重量和能量損失減少多達(dá) 90％。 該器件的特性還使其在新結(jié)構(gòu)中具有更大的通用性，使其成為電子工業(yè)領(lǐng)域，尤其是能源領(lǐng)域的真正有價(jià)值的產(chǎn)品。
8、山東國(guó)宏中能年產(chǎn) 11 萬(wàn)片碳化硅襯底片項(xiàng)目啟動(dòng)試生產(chǎn)
1 月 15 日，由國(guó)宏中宇科技發(fā)展有限公司控股，山東國(guó)宏中能科技發(fā)展有限公司投資建設(shè)的年產(chǎn) 11 萬(wàn)片碳化硅襯底片項(xiàng)目在山東河口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)建成并啟動(dòng)試生產(chǎn)。山東國(guó)宏中能年產(chǎn)11 萬(wàn)片碳化硅襯底片項(xiàng)目總投資 6.5 億元，總建筑面積 3 萬(wàn)平方米。該項(xiàng)目于 2020 年 2 月入選山東省新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換重大項(xiàng)目庫(kù)第一批優(yōu)選項(xiàng)目名單，是市、區(qū)兩級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目。通過(guò)在材料制備技術(shù)體系、核心裝備研制上的持續(xù)科研投入，同時(shí)緊密結(jié)合研發(fā)成果的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)轉(zhuǎn)化，目前本項(xiàng)目已經(jīng)具備投產(chǎn)條件。本項(xiàng)目整體兩期規(guī)劃建設(shè)完畢并全部投產(chǎn)后，預(yù)計(jì)平均年?duì)I業(yè)收入約7 億元，企業(yè)年納稅總額約 5000 萬(wàn)元，新增中高端就業(yè)崗位超過(guò) 200 個(gè)。
9、我國(guó)在氮化鎵界面態(tài)研究方面取得重要進(jìn)展
近日，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團(tuán)隊(duì)與先導(dǎo)中心工藝平臺(tái)合作，在 GaN 界面態(tài)研究領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展，在 LPCVD-SiNx/GaN 界面獲得原子級(jí)平整界面和國(guó)際先進(jìn)水平的界面態(tài)特性，提出了適用于較寬能量范圍的界面態(tài) U 型分布函數(shù)，實(shí)現(xiàn)了離散能級(jí)與界面態(tài)的分離。
原子級(jí)平整界面、先進(jìn)水平界面態(tài)密度及 U 型分布函數(shù)
相關(guān)論文連接：
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0169433220332888
10、蘇州納維科技第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地在蘇州園區(qū)奠基
1 月 24 日上午，蘇州工業(yè)園區(qū)科技領(lǐng)軍人才企業(yè)蘇州納維科技有限公司舉行總部大樓奠基儀式。項(xiàng)目占地面積超 1.4 萬(wàn)平方米，總建筑面積超 3.4 萬(wàn)平方米，建成后，年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片可達(dá) 5 萬(wàn)片。蘇州納維科技 2007 年由中科院蘇州納米所徐科研究員創(chuàng)立，致力于第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵材料——氮化鎵（GaN）單晶襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
11、北京：加速第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)過(guò)程
2021 年 1 月 20 日上午，國(guó)務(wù)院新聞辦公室舉行新聞發(fā)布會(huì)，介紹落實(shí)五中全會(huì)精神，加快推進(jìn)北京國(guó)際科技創(chuàng)新中心建設(shè)的有關(guān)情況。會(huì)上，北京市副市長(zhǎng)、秘書長(zhǎng)靳偉表示，到 2025 年，北京國(guó)際科技創(chuàng)新中心基本形成。到 2035 年，北京國(guó)際科技創(chuàng)新中心創(chuàng)新力、競(jìng)爭(zhēng)力、輻射力全球領(lǐng)先，形成國(guó)際人才的高地，切實(shí)支撐我國(guó)建設(shè)科技強(qiáng)國(guó)。未來(lái)五年，北京要進(jìn)一步堅(jiān)持“鍛長(zhǎng)板”與“補(bǔ)短板”并重，立足科技自立自強(qiáng)，堅(jiān)持有所為、有所不為，圍繞“四個(gè)面向”，開展重點(diǎn)領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā)工作，加速第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)過(guò)程。
12、工信部：海思、中芯國(guó)際等 90 家單位申請(qǐng)籌建“全國(guó)集成電路標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)”
1 月 28 日，工信部官網(wǎng)消息，為統(tǒng)籌推進(jìn)集成電路標(biāo)準(zhǔn)化工作，加強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)化隊(duì)伍建設(shè)，有關(guān)單位提出了全國(guó)集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)籌建申請(qǐng)，秘書處擬設(shè)在中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院，公示期一個(gè)月。對(duì)外公開的委員單位包括深圳市海思半導(dǎo)體、大唐半導(dǎo)體、華大半導(dǎo)體、展銳通信等 90 家。工信部表示，集成電路作為信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和核心，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展中占有舉足輕重的地位，建立一個(gè)自主創(chuàng)新能力不斷提高、產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大的集成電路產(chǎn)業(yè)體系，對(duì)促進(jìn)新興產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展、支撐國(guó)家信息化建設(shè)，促進(jìn)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)持續(xù)健康發(fā)展具有重要的意義。
13、Cree 將改名 Wolfspeed，全面擁抱 SiC
1 月 29 日上午，Cree 在其官方微信號(hào)表示：“我們預(yù)計(jì)將于 2021 年底正式更名為Wolfspeed。我們的團(tuán)隊(duì)對(duì)于創(chuàng)新和超越可能極限的承諾將始終不變。作為碳化硅 SiC 產(chǎn)業(yè)的全球引領(lǐng)者，我們已經(jīng)做好準(zhǔn)備，在未來(lái)賦能實(shí)現(xiàn)開創(chuàng)性的、高效節(jié)能的變革！”Wolfspeed 位于美國(guó)北卡羅來(lái)納州三角研究園，過(guò)去近三十年來(lái)一直屬于 Cree 公司，是碳化硅功率器件和碳化硅基氮化鎵射頻功率解決方案的主要供應(yīng)商之一。其核心競(jìng)爭(zhēng)力包括碳化硅晶圓襯底制造，以及面向射頻功率器件、包含單晶氮化鎵層的碳化硅晶圓襯底制造。
14、2020 年化合物半導(dǎo)體行業(yè)年度十大事件
1??第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)或?qū)懭?ldquo;十四五規(guī)劃”
2??長(zhǎng)沙三安 160 億第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工
3??Cree 推進(jìn)建造全球最大 SiC 器件制造工廠
4??華為投資入股北京天科合達(dá)、全芯微電子、瀚天天成
5??全球最大氮化鎵工廠落地蘇州，一期投資 60 億
6??臺(tái)積電將與意法半導(dǎo)體合作，加快 GaN 制程技術(shù)開發(fā)
7??日本研發(fā)長(zhǎng)晶新技術(shù)，1 小時(shí)可制成優(yōu)質(zhì) GaN 基底
8??穩(wěn)懋投 850 億新臺(tái)幣建廠
9??比亞迪將自建 SiC 產(chǎn)線
