國宏中宇牽頭起草的團體標準《碳化硅單晶片X射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法》啟動會成功召開

中關村天合寬禁帶半導體技術創(chuàng)新聯(lián)盟團體標準《碳化硅單晶片 X 射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法》起草工作啟動會于 2020 年 11 月 11 日上午在國宏中晶集團總部會議室順利召開。

《碳化硅單晶片 X 射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法》團體標準由國宏中宇科技發(fā)展有限公司（下稱“國宏中宇”）牽頭，邀請?zhí)炜坪线_半導體股份有限公司和北京聚睿眾邦科技有限公司參與起草，聯(lián)盟副秘書長鄭紅軍女士、國宏中宇王錫銘副總工程師、聚睿眾邦總經(jīng)理閆方亮博士、國宏中宇高級技術主管劉素娟、天科合達工程師王大軍等 7 人參加了此次啟動會。會議由團體標準項目負責人國宏中宇王錫銘副總工程師主持。?

啟動會現(xiàn)場

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首先王錫銘副總工程師向大家簡單介紹了公司的基本情況，以及公司在碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化方面取得的一些進展。鄭紅軍副秘書長向大家介紹了聯(lián)盟團體標準的建設情況及意義。國宏中宇高級技術主管劉素娟向大家匯報了團體標準工作小組的情況，以及項目的實施情況。會議針對《碳化硅單晶片 X 射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法》團體標準立項項目的內容進行了討論，參加人員對這項標準的內容提出自己的想法和修改建議。通過討論，明確了標準的內容和實施細節(jié)，并制定了團體標準的實施計劃。會后，王錫銘副總工程師和鄭紅軍副秘書長與聚睿眾邦總經(jīng)理閆方亮博士就襯底和外延的產(chǎn)業(yè)驗證相關檢測技術問題進行了更深入的交流。

碳化硅材料作為新一代半導體材料，具有很廣泛的應用前景，所以，制定碳化硅材料和器件相關的標準具有重要意義，希望有更多的單位能夠參與到標準的起草工作中來。