SiP的三個(gè)新特點(diǎn)

傳統(tǒng)電子封裝電子封裝從 1947 年誕生至今，對(duì)整個(gè)電子系統(tǒng)的發(fā)展起了重要且不可或缺的作用，電子封裝的功能主要有三點(diǎn)：

① 進(jìn)行芯片保護(hù)，因?yàn)楣栊酒旧肀容^脆弱，細(xì)小的灰塵和水汽都會(huì)破壞它們的功能，因此需要進(jìn)行保護(hù)。

② 進(jìn)行尺度放大，因?yàn)樾酒旧矶己苄。ㄟ^(guò)封裝后進(jìn)行尺度放大，便于后續(xù) PCB 板級(jí)系統(tǒng)使用。

③ 進(jìn)行電氣連接，通過(guò)封裝，芯片和外界電氣連接，進(jìn)行信息交換。

SiP 系統(tǒng)級(jí)封裝也屬于電子封裝，因此電子封裝的三個(gè)功能 SiP 也都具備，此外，相對(duì)于傳統(tǒng)電子封裝，SiP 具備三個(gè)新特點(diǎn)：

以 SiP 為代表的多芯片封裝

① 提升功能密度，功能密度是指單位體積內(nèi)包含的功能單位的數(shù)量（關(guān)于功能密度的詳細(xì)解釋，可參考電子工業(yè)出版社近期即將出版的新書《基于 SiP 技術(shù)的微系統(tǒng)》）。從 SiP 到先進(jìn)封裝，最主要的目的和最鮮明的特征就是系統(tǒng)功能密度的提升。

② 縮短互聯(lián)長(zhǎng)度，SiP 將系統(tǒng)電氣互聯(lián)長(zhǎng)度從毫米級(jí)（mm）縮短到了微米級(jí)（um）?；ヂ?lián)長(zhǎng)度的縮短，帶來(lái)的好處就是性能提升，功耗降低，這一點(diǎn)，通過(guò) HMB 和 DDRx 的比較大家就能看得很明白。

③ 進(jìn)行系統(tǒng)重構(gòu)，以往電子系統(tǒng)的構(gòu)建是在芯片級(jí)（SoC）或者是在板級(jí)（PCB）進(jìn)行，通過(guò) SiP 技術(shù)，在一個(gè)封裝內(nèi)構(gòu)建系統(tǒng)并進(jìn)行優(yōu)化，我們可以稱之為封裝級(jí)系統(tǒng)重構(gòu)，Chiplet 技術(shù)、異構(gòu)集成技術(shù)就是封裝級(jí)系統(tǒng)重構(gòu)的典型代表。

下面，我們用一張圖對(duì)本文的描述進(jìn)行總結(jié)。在傳統(tǒng)封裝的三個(gè)功能之上，SiP 又增加了三個(gè)新的特點(diǎn)：提升功能密度，縮短互聯(lián)長(zhǎng)度，進(jìn)行系統(tǒng)重構(gòu)。SiP 這三個(gè)新特點(diǎn)，傳統(tǒng)封裝并不具備。

傳統(tǒng)封裝和 SiP 的特點(diǎn)比較

新 書 推 介：

新書《基于 SiP 技術(shù)的微系統(tǒng)》將會(huì)在幾個(gè)月后，由電子工業(yè)出版社正式出版。

該書內(nèi)容涵蓋“概念和技術(shù)”、“設(shè)計(jì)和仿真”、“項(xiàng)目和案例”三大方面，總共 30 章。

內(nèi)容包括了功能密度定律、Si³P 和 4D 集成等原創(chuàng)概念，先進(jìn)封裝（HDAP）最新技術(shù)介紹，以及 Wire Bonding、Cavity、Chip Stack、2.5D TSV、3D TSV、RDL、Fan-In、Fan-Out、Flip Chip、分立式埋置、平面埋置、RF、Rigid-Flex、4D SiP 等詳細(xì)設(shè)計(jì)方法、電氣驗(yàn)證及物理驗(yàn)證，對(duì) SiP 及相關(guān)的技術(shù)進(jìn)行了綜合而詳盡的闡述。關(guān)注 SiP、微系統(tǒng)、先進(jìn)封裝技術(shù)的讀者可以參考。

書籍構(gòu)思圖，最終以正式出版的實(shí)體書為準(zhǔn)