1494
9月25日（當?shù)貢r間）在美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心一張幻燈片一發(fā)布，會議室里的半導體行業(yè)人士就議論紛紛。這是因為 SK 海力士披露了有關其高帶寬內存（HBM）的重要信息——“TAT 8.8 ：1。”
在半導體行業(yè)中，將硅晶圓經過整個流程并形成成品芯片所需的時間稱為 TAT（周轉時間）。業(yè)內普遍認為HBM的TAT為3~4個月。制造HBM的方法主要有兩種，即堆疊DRAM制成的芯片，“三巨頭”中，三星電子和美光使用TC-NCF工藝，SK海力士是唯一使用MR-MUF工藝的。
半導體行業(yè)相關人士解釋說：“假設SK海力士制造HBM需要1小時，那么其他公司需要8.8小時?！迸c競爭對手相比，SK海力士的HBM生產效率高出8.8倍。
另一位半導體行業(yè)人士表示，“如果這是真的，那么三星電子和美光暫時追上SK海力士并不容易?！边@一天，英偉達、英特爾、博通、谷歌等全球主要半導體公司人士出席了臺積電在硅谷主辦的論壇，并觀看了SK海力士的發(fā)布會。三星電子沒有出席本次論壇。
SK海力士通過參加全球最大晶圓代工廠（半導體代工生產）臺積電舉辦的“開放創(chuàng)新平臺（OIP）論壇”，展示了雙方的合作關系。SK海力士宣布參加9月25日（當?shù)貢r間）在美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉辦的“OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇2024”，并介紹了最新的人工智能（AI）內存解決方案。
堆疊 8 塊 DRAM 使其成為 8 層 HBM 產品，堆疊 12 塊 DRAM 使其成為 12 層 HBM 產品。SK海力士表示，假設其他條件相同，每次使用TC-NCF方法堆疊DRAM所需的時間是MR-MUF方法的1.8倍。半導體行業(yè)分析稱，SK海力士通過預先堆疊DRAM并立即在一種烤箱中烘烤來制造HBM的方法已經開始拉大差距，其程度超出了最初的預期。
最重要的是，雖然三星電子和美光因良率相對較低以及發(fā)熱導致的性能問題而仍在努力向 NVIDIA 供應第 5 代 HBM3E，但評估認為 SK 海力士再次向業(yè)界透露了對其壓倒性 HBM 的信心技術出來了。SK海力士上個月26日宣布將在全球首次量產HBM3E 12層產品，并在3月份向NVIDIA供應HBM3E 8層產品六個月后再次確認交付。
在今天的公告中，SK 海力士重申其政策，即在下一代 HBM4 12 層和 16 層產品中繼續(xù)使用現(xiàn)有的 MR-MUF 方法。另一方面，三星電子的策略是改進現(xiàn)有的 TC-NCF 方法，并迅速轉向“混合鍵合”，即下一代連接 DRAM 的方法。近日有消息稱，三星電子已就HBM3E質量測試進入最后一刻，相關團隊進駐英偉達總部。
隨著HBM這種高附加值產品的破壞力越來越強，存儲器市場的格局轉變正在如火如荼地進行。市場研究公司Trend Force預測，HBM在明年DRAM市場收入中的份額將超過30%，高于去年的8%。
還有預測稱，HBM市場的領導者SK海力士今年的營業(yè)利潤將歷史上首次超過三星半導體。該證券公司對三星電子半導體部門第三季度營業(yè)利潤的預測（共識）為5至6.5萬億韓元，低于SK海力士的（6至7萬億韓元）。SK海力士在半導體行業(yè)復蘇的背景下，在HBM市場占據(jù)領先地位，今年上半年營業(yè)利潤達到8.3545萬億韓元。這一業(yè)績接近三星半導體的營業(yè)利潤（8.3649萬億韓元），后者的銷售額是同期的近兩倍。三星電子將于8日公布第三季度臨時業(yè)績。
