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通過竊取三星電子自主開發(fā)的核心工藝技術(shù)，投資數(shù)萬億韓元在國外創(chuàng)辦半導體制造公司的前高管被捕并移交給檢察機關(guān)進行拘留。
首爾地方警察廳產(chǎn)業(yè)技術(shù)安全搜查隊9月9日宣布，逮捕并移送了半導體制造商CHJS首席執(zhí)行官崔先生(66歲)和工藝負責人吳先生(60歲)。
CHJS是由崔先生于2021年成立的公司。警方稱，崔先生涉嫌泄露和濫用三星電子存儲半導體核心技術(shù)，他招募了包括曾擔任三星電子高級研究員的吳先生在內(nèi)的大量韓國半導體專家，2020年9月在國外合資成立聯(lián)合公司后，涉嫌泄露和濫用三星電子存儲半導體核心技術(shù)，違反了《產(chǎn)業(yè)技術(shù)保護法》和《不正當競爭防止法》。
曾擔任三星電子和海力士半導體（現(xiàn)SK海力士）高管的崔先生，以制造20納米DRAM半導體為目標，竊取了三星電子獨立開發(fā)的每個工藝步驟的核心技術(shù)。
吳先生在這一過程中發(fā)揮了關(guān)鍵作用，他泄露了三星電子的核心技術(shù)，并調(diào)往成都高田，擔任工藝設計部門負責人。
警方解釋稱，三星電子泄露的18納米和20納米工藝開發(fā)技術(shù)的經(jīng)濟價值達4.3萬億韓元（227.9億元人民幣）。
警方還對從三星電子等韓國企業(yè)調(diào)到成都高田的其他高管和員工進行了立案調(diào)查，并正在調(diào)查是否存在額外的技術(shù)泄露。
一名警方人員解釋說：“這是一個動搖經(jīng)濟安全基礎(chǔ)、削弱國家競爭力的問題，因為國內(nèi)半導體公司的前高管試圖與國外合作使用國內(nèi)技術(shù)生產(chǎn)半導體。”
