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6月11日，德國紐倫堡電力電子系統(tǒng)及元器件展覽會（PCIM Europe）正式開幕，共吸引了500多家公司參展。
值得關(guān)注的是，包括三菱電機(jī)、羅姆半導(dǎo)體、英諾賽科、納微半導(dǎo)體在內(nèi)的多家SiC廠商，帶來了旗下最新產(chǎn)品及技術(shù)方案，向業(yè)界展示了第三代半導(dǎo)體在電力電子領(lǐng)域的前沿優(yōu)勢。
三菱電機(jī)：SiC模塊損耗降低91%
本次展會，三菱電機(jī)旗下3款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊集體亮相，其適用于包括鐵路和電力系統(tǒng)在內(nèi)的大型工業(yè)設(shè)備，以滿足逆變器系統(tǒng)對提高功率輸出和功率轉(zhuǎn)換效率日益增長的需求。
據(jù)悉，這3款模塊皆為Unifull?系列產(chǎn)品，在產(chǎn)品性能及應(yīng)用推廣上具有諸多優(yōu)勢：
一方面，該系列產(chǎn)品適用于不同輸出容量的低電流模塊：
三菱電機(jī)的SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊新增3.3kV/400A和3.3kV/200A兩款低電流版本，與今年3月發(fā)布的3.3kV/800A版本共同構(gòu)成Unifull?系列。
新的低電流模塊，適用于鐵路車輛的輔助電源和相對小容量的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，適用不同功率要求的大型工業(yè)設(shè)備，并提高其逆變器功率轉(zhuǎn)換效率，擴(kuò)大了應(yīng)用范圍。
另一方面，內(nèi)置SBD的SiC-MOSFET，有助于實(shí)現(xiàn)逆變器的高輸出、高效率和可靠性：
采用優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)的SBD嵌入式SiC-MOSFET，與三菱電機(jī)現(xiàn)有的全SiC功率模塊相比，開關(guān)損耗降低了約54%，與公司現(xiàn)有的Si功率模塊相比降低了91%，有助于提高功率輸出和效率。
采用雙極性模式激活（BMA）元胞結(jié)構(gòu)，提高了抗浪涌電流能力，并有助于提高逆變器的可靠性。
官網(wǎng)資料顯示，三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年，在電子元器件市場，從事開發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有68年，旗下半導(dǎo)體產(chǎn)品在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動(dòng)汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。
羅姆半導(dǎo)體：將發(fā)布第七代SiC MOSFET
羅姆半導(dǎo)體在展會現(xiàn)場舉行了新聞發(fā)布會，負(fù)責(zé)功率器件業(yè)務(wù)的董事兼常務(wù)執(zhí)行官井和秀對此次活動(dòng)進(jìn)行了說明。
據(jù)悉，羅姆半導(dǎo)體計(jì)劃在2025年發(fā)布第五代SiC MOSFET，預(yù)計(jì)導(dǎo)通電阻相比上一代減少30%，接下來，在2027年、2029年，他們將連續(xù)推出第六代及第七代產(chǎn)品，預(yù)測每一代的標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻將同比降低 30%。
官網(wǎng)透露，羅姆半導(dǎo)體成立于1958年，是全球知名的半導(dǎo)體廠商，其宮崎第二工廠正在打造8英寸SiC產(chǎn)線，預(yù)計(jì)于2025年、2026年分別供應(yīng)SiC晶圓及功率半導(dǎo)體，隨著產(chǎn)能擴(kuò)充，他們預(yù)測其2030財(cái)年SiC產(chǎn)能將擴(kuò)增至2021財(cái)年的35倍。
瑞能半導(dǎo)體：聚焦SiC高功率應(yīng)用
瑞能半導(dǎo)體透露，他們在展會上推出了采用TSPAK封裝的全新SiC MOSFET、SiC?肖特基勢壘二極管系列、全新SiC 功率模塊、全新 1700V SiC 技術(shù)& 汽車級 1200V / 750V 車規(guī) SiC MOSFET等一系列可應(yīng)用于工業(yè)，汽車，消費(fèi)電子等領(lǐng)域的先進(jìn)功率器件。
據(jù)悉，新型TSPAK MOSFET和SBD器件適用于電動(dòng)汽車充電、車載充電器 、光伏逆變器和高功率密度 PSU 應(yīng)用。其中，新型 MOSFET 有 650V、750V、1200V 和 1700V 四種型號，電阻范圍從 20mΩ 到 150mΩ，新型 SiC SBD 的電流范圍為 10 至 40A（650V、750V 和 1200V）。
另一方面，車規(guī)級SiC MOSFET提供多種封裝選項(xiàng)和產(chǎn)品配置，包括表面貼裝器件 (SMD) 分立器件和頂部冷卻，實(shí)現(xiàn)可再生能源和電動(dòng)汽車的高功率、高密度設(shè)計(jì)，是高效率功率電源方案的最佳選擇。
官網(wǎng)透露，瑞能半導(dǎo)體成立于2015年，主要產(chǎn)品主要包括碳化硅器件、可控硅整流器和晶閘管、快恢二極管、TVS、ESD、IGBT模塊等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于以家電為代表的消費(fèi)電子、以通信電源為代表的工業(yè)制造、新能源及汽車等領(lǐng)域。
基本半導(dǎo)體：發(fā)布2kv碳化硅MOSFET等新品
值得關(guān)注的是，基本半導(dǎo)體在會場上正式發(fā)布2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、車規(guī)級碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業(yè)級碳化硅功率模塊PcoreTM2 E2B等系列新品，吸引了海內(nèi)外行業(yè)人士的駐足參觀與深入交流。
據(jù)基本半導(dǎo)體透露，他們此次發(fā)布的新品主要涵蓋分立器件和功率模塊兩大單元，最新開發(fā)的2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運(yùn)行等特點(diǎn)，可滿足光伏儲能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求。
官網(wǎng)透露，基本半導(dǎo)體是中國第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動(dòng)芯片等，性能達(dá)到國際先進(jìn)水平，服務(wù)于光伏儲能、電動(dòng)汽車、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數(shù)百家客戶。
瞻芯電子：展示650V-2000V碳化硅系列產(chǎn)品
此次，瞻芯電子在會場上全面展示旗下碳化硅功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片產(chǎn)品，以及多種參考設(shè)計(jì)方案和應(yīng)用案例。
據(jù)悉，他們的展品包括650V~2000V?SiC MOSFET、650V~2000V SiC SBD、多種封裝的SiC功率模塊、驅(qū)動(dòng)與控制芯片產(chǎn)品，還帶來了多種參考設(shè)計(jì)和應(yīng)用案例。其中，SiC MOSFET具備業(yè)界較低的開關(guān)損耗，且在高溫下保持較低的導(dǎo)通電阻；SiC 二極管增強(qiáng)抗浪涌設(shè)計(jì)，具有更低的正向壓降，滿足超越工業(yè)級(JEDEC)的可靠性標(biāo)準(zhǔn)。
官網(wǎng)透露，瞻芯電子成立于2017年，是中國第一家自主開發(fā)并掌握6英寸碳化硅MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺的公司，并擁有一座車規(guī)級碳化硅晶圓廠，致力于開發(fā)碳化硅功率器件和模塊、驅(qū)動(dòng)和控制芯片產(chǎn)品，并圍繞碳化硅應(yīng)用，為客戶提供一站式解決方案。
賽晶科技：碳化硅芯片首次亮相
賽晶科技透露，他們的SiC芯片首次亮相PCIM Europe，成為展出中的亮點(diǎn)，引發(fā)熱烈反響。
據(jù)悉，該產(chǎn)品采用頂部金屬化，以便進(jìn)行鍵合或者DTS，靜態(tài)性能匹配先進(jìn)的汽車MOSFET產(chǎn)品性能需求，動(dòng)態(tài)開關(guān)性能適用于EVD和HEEV模塊的應(yīng)用，具有高可靠性、高魯棒性，綜合性能超越第三代SiC MOSFET技術(shù)。
官網(wǎng)介紹，賽晶科技集團(tuán)有限公司是業(yè)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先并深具影響力的電力電子器件供應(yīng)商和系統(tǒng)集成商，聚焦功率半導(dǎo)體及配套器件技術(shù)及前沿性電力電子技術(shù)兩大領(lǐng)域，他們于2019年啟動(dòng)了IGBT自主技術(shù)研發(fā)，首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，2023年正式發(fā)布車規(guī)級HEEV封裝SiC模塊，EVD封裝SiC模塊也宣布研發(fā)成功。
利普思半導(dǎo)體：發(fā)布新一代SiC塑封模塊
在展會現(xiàn)場，利普思半導(dǎo)體發(fā)布了新一代主驅(qū)用塑封半橋SiC模塊（LPS-Pack系列），據(jù)悉，該系列模塊是為滿足某海外知名車企差異化需求而開發(fā)的新品。
據(jù)透露，該產(chǎn)品基于Pressfit Pin方式進(jìn)行信號和電流傳輸，實(shí)現(xiàn)了SiC on PCB，電流直接過PCB，大大減少了模塊和系統(tǒng)的寄生電感，也縮小了控制器的體積，更降低了控制器銅排、電容的成本，此外，由于采用全新塑封封裝等工藝，它還具有功率密度高、適合規(guī)?；a(chǎn)等優(yōu)勢。
官網(wǎng)透露，無錫利普思半導(dǎo)體有限公司致力于碳化硅等功率半導(dǎo)體的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，提供完整的模塊應(yīng)用解決方案，主要產(chǎn)品包括新能源汽車和工業(yè)用的高可靠性SiC和IGBT模塊，可應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、醫(yī)療器械、電源等高性能、高可靠性的場景。
納微半導(dǎo)體：推出SiC&GaN最新技術(shù)
在PCIM 2024上，納微半導(dǎo)體帶來了第三代快速GeneSiC功率FETs、GaNSafe?寬禁帶平臺、第四代GaNSense? 半橋氮化鎵功率芯片三項(xiàng)最新技術(shù)。
其中，納微開發(fā)的第三代快速GeneSiC功率FETs，具有650V和1200V兩款產(chǎn)品，基于“溝槽輔助平面柵”技術(shù)，可低溫運(yùn)行和快速開關(guān)，為AI數(shù)據(jù)中心提升三倍功率并加速電動(dòng)汽車充電。
官微透露，納微半導(dǎo)體成立于2014年，是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司，擁有GaNFast?氮化鎵功率芯片、GeneSiC?碳化硅功率器件等系列產(chǎn)品，截止至2023年8月，氮化鎵功率芯片已發(fā)貨超過1.25億顆，碳化硅功率器件發(fā)貨超1200萬顆。
安世半導(dǎo)體：SiC二極管可滿足車規(guī)需求
展會現(xiàn)場，安世半導(dǎo)體帶來了SiC、GaN功率 FET 等一系列產(chǎn)品，展示其最新的電源應(yīng)用和電源技術(shù)。
值得注意的是，他們透露旗下的650 V、10 A SiC 肖特基二極管現(xiàn)已符合汽車標(biāo)準(zhǔn)(PSC1065H-Q)，并采用真雙引腳(R2P) DPAK (TO-252-2)封裝，適用于電動(dòng)汽車和其他汽車中的多種應(yīng)用。
此外，SiC 二極管還提供采用 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK-2 封裝的額定電流為 6 A、16 A 和 20 A 的工業(yè)級器件，解決了要求高電壓和高電流的應(yīng)用的挑戰(zhàn)，包括開關(guān)電源、 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電基礎(chǔ)設(shè)施、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源以及用于可持續(xù)能源生產(chǎn)的光伏逆變器。
官微顯示，安世半導(dǎo)體總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司，旗下產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動(dòng)和消費(fèi)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域，每年的產(chǎn)品出貨量超過1000億件。
威世科技：公布1200V?SiC?Mosfet
值得注意的是，為了解決電動(dòng)汽車和儲能應(yīng)用，Vishay（威世科技）在會場上展示其最新推出的1200 V MaxSiC??系列SiC MOSFET。
據(jù)悉，該系列器件提供 55 mΩ、95 mΩ 和 280 mΩ 的導(dǎo)通電阻，采用專為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)封裝，也可提供定制產(chǎn)品。此外，威世科技將提供650 V至1700 V SiC MOSFET的路線圖，導(dǎo)通電阻范圍為10 mΩ至1 Ω。
威世科技的SiC平臺基于專有的MOSFET技術(shù)，旨在滿足牽引逆變器、光伏能量轉(zhuǎn)換和存儲、車載充電器和充電站等應(yīng)用的市場需求，未來他們還將發(fā)布MaxSiC平臺，其中包括AEC-Q101汽車級產(chǎn)品。
官網(wǎng)介紹，威世科技是全球最大的分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、MOSFET、光電子和精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電感器和電容器）制造商之一，目前已推出650 V 碳化硅肖特基二極管等產(chǎn)品。
萬國半導(dǎo)體：新增SiC Mosfet?封裝產(chǎn)品
大會現(xiàn)場，AoS（萬國半導(dǎo)體）帶來了旗下SiC MOSFET表面貼裝和模塊封裝的最新產(chǎn)品。
據(jù)悉，他們的新型 1200V αSiC MOSFET，一方面可采用標(biāo)準(zhǔn) D2PAK-7L 表面貼裝封裝，符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，旨在取代傳統(tǒng)的通孔封裝，實(shí)現(xiàn)高效冷卻，更加適合車載充電器等應(yīng)用，另一方面，也可采用具有頂部冷卻功能的GTPAK?表面貼裝，能滿足滿足高效太陽能逆變器和工業(yè)電源應(yīng)用要求。
此外，萬國半導(dǎo)體還公布了AlphaModule?高功率無底板模塊系列的第一款產(chǎn)品，這款 1200V 半橋 αSiC 模塊具有壓接引腳和集成熱敏電阻，單個(gè)模塊適用于住宅太陽能逆變器，多個(gè)并聯(lián)模塊可滿足快速直流充電站的大功率需求。
官網(wǎng)透露，萬國半導(dǎo)體是集設(shè)計(jì)、開發(fā)生產(chǎn)與全球銷售一體的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，可提供廣泛的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線，包括完整的 Power MOSFET、SiC、IGBT等產(chǎn)品系列，其產(chǎn)品組合廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類和工業(yè)類電機(jī)控制、智能手機(jī)、電池組等領(lǐng)域。
SemiQ：新增1700V SiC二極管
SemiQ在官網(wǎng)透露，他們在會場上展示了最新的1700V SiC二極管產(chǎn)品。
據(jù)悉，他們在QSiC? 產(chǎn)品線中增加 了1700V SiC 肖特基分立二極管和雙二極管封裝，該產(chǎn)品具有零反向恢復(fù)電流和接近零的開關(guān)損耗，可滿足各種苛刻應(yīng)用的尺寸和功率需求，包括開關(guān)電源、不間斷電源 （UPS）、感應(yīng)加熱器、焊接設(shè)備、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、太陽能逆變器和電動(dòng)汽車 （EV） 充電站。
官網(wǎng)介紹，SemiQ成立于2012年，總部位于美國，致力于為超高效、高性能和高電壓應(yīng)用提供卓越的碳化硅解決方案，產(chǎn)品組合包括?MOSFET?和二極管，提供分立、模塊和裸片，合作客戶已覆蓋太陽能、電動(dòng)汽車充電、汽車、醫(yī)療和儲能等領(lǐng)域。
PCIM Asia 2024：已有120+企業(yè)參展，100+報(bào)告發(fā)布
值得關(guān)注是，2024年8月28至30日，作為PCIM Europe的姐妹展，PCIM Asia 2024將在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦，為行業(yè)搭建一個(gè)高效的交流平臺，共同分享電力電子領(lǐng)域的最新科技成果和產(chǎn)業(yè)趨勢。
據(jù)悉，本次PCIM Asia 已經(jīng)吸引了三菱電機(jī)、賽米控丹佛斯、富士電機(jī)、英飛凌、羅姆半導(dǎo)體、博世集團(tuán)、安森美、尼得科、合盛硅業(yè)、芯干線、中國中車、南砂晶圓、國基南方、安世半導(dǎo)體等累計(jì)120多家企業(yè)的贊助或參展，他們將在展會現(xiàn)場展示行業(yè)技術(shù)的前沿應(yīng)用。
除產(chǎn)品技術(shù)展示，展會現(xiàn)場還將舉辦國際研討會、工業(yè)論壇等一系列會議活動(dòng)，會議主題涵蓋：寬禁帶半導(dǎo)體論壇、高功率器件論壇、電動(dòng)汽車論壇、清潔能源及儲能技術(shù)論壇等，并邀請到來自英飛凌、日立電源、禾望電氣、清華大學(xué)等企業(yè)及機(jī)構(gòu)的專家進(jìn)行現(xiàn)場研討，同時(shí)分享100+電力電子行業(yè)學(xué)術(shù)報(bào)告。
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