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1月12日，臺(tái)積電公布了2022年第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告，總營(yíng)收折合人民幣約1379億元，同比增長(zhǎng)42.8%，與第三季度相比增長(zhǎng)2%；純利潤(rùn)約655.8億元，同比增長(zhǎng)78%，比第三季度增長(zhǎng)5.4%。2022年第四季毛利率達(dá)到62.2%，5納米與7納米制程芯片銷(xiāo)售金額分別占到臺(tái)積電當(dāng)季銷(xiāo)售總額的32%和22%，先進(jìn)制程銷(xiāo)售額超過(guò)臺(tái)積電當(dāng)季總營(yíng)收的一半。
2023半導(dǎo)體市場(chǎng)下滑4%，臺(tái)積電下調(diào)一季度預(yù)期
12日的法說(shuō)會(huì)上，臺(tái)積電總裁魏哲家預(yù)測(cè)，2023年上半年，全球半導(dǎo)體庫(kù)存水位將大幅降低，并逐漸平衡到健康水平。他預(yù)計(jì)，2023年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)產(chǎn)出將下滑4%，晶圓代工產(chǎn)業(yè)則減少3%。臺(tái)積電2023年上半年收入也將同比出現(xiàn)個(gè)位數(shù)的下降，但仍將會(huì)繼續(xù)擴(kuò)大其產(chǎn)品組合種類(lèi)及目標(biāo)市場(chǎng)。至于庫(kù)存調(diào)整何時(shí)結(jié)束，魏哲家預(yù)測(cè)稱(chēng)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在2023年下半年實(shí)現(xiàn)復(fù)蘇，屆時(shí)臺(tái)積電應(yīng)收也將有所增長(zhǎng)。
關(guān)于臺(tái)積電2023年第一季度的業(yè)務(wù)，臺(tái)積電CFO黃仁昭下調(diào)了其預(yù)期，預(yù)計(jì)第一季度收入將在167億美元至175億美元之間，毛利率約為53.5%至55.5%。黃仁昭表示，調(diào)整預(yù)期的原因主要是當(dāng)前工廠(chǎng)產(chǎn)能利用率較低、客戶(hù)進(jìn)一步調(diào)整庫(kù)存水平和不利的匯率。此外，研發(fā)費(fèi)用占到臺(tái)積電2022年凈收入的7.2%，而隨著公司持續(xù)加大技術(shù)投入，2023年研發(fā)費(fèi)用將同比增長(zhǎng)約20%，約占2023年總營(yíng)收的8%至8.5%。
關(guān)于2023年庫(kù)存水位的調(diào)整，當(dāng)前業(yè)界的聲音基本一致，認(rèn)為當(dāng)前正處于各廠(chǎng)商去庫(kù)存階段，晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能利用率不足。芯謀研究企業(yè)服務(wù)部總監(jiān)王笑龍?jiān)诮邮苡浾卟稍L(fǎng)時(shí)表達(dá)了相似的觀點(diǎn)：“2023年下半年市場(chǎng)將會(huì)回溫，雖然很難判斷明確的拐點(diǎn)，但能夠確定明年半導(dǎo)體市場(chǎng)走勢(shì)將相對(duì)平緩?！?/p>
2nm工藝首次更換晶體管架構(gòu)
關(guān)于臺(tái)積電先進(jìn)制程情況，魏哲家表示，臺(tái)積電7納米、6納米制程的產(chǎn)能利用率低于3個(gè)月前的預(yù)期。他認(rèn)為7納米、6納米的低產(chǎn)能利用率將持續(xù)到2023年上半年，因?yàn)?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E4%BE%9B%E5%BA%94%E9%93%BE/">半導(dǎo)體供應(yīng)鏈庫(kù)存需要幾個(gè)季度才能重新回歸正常水平。魏哲家表示，當(dāng)前臺(tái)積電正在與客戶(hù)密切合作，開(kāi)發(fā)差異化技術(shù)，以推動(dòng)來(lái)自消費(fèi)射頻連接等領(lǐng)域的消費(fèi)。針對(duì)投資者提出的許多模擬產(chǎn)品并不需要先進(jìn)工藝制程的疑問(wèn)，魏哲家表示，越來(lái)越多的計(jì)算功能將被應(yīng)用到產(chǎn)品中，包括WiFi、射頻芯片等，都需要非常高的計(jì)算性能，同時(shí)要求更低的功耗，而只有領(lǐng)先的工藝節(jié)點(diǎn)才能滿(mǎn)足這些要求。
臺(tái)積電3納米產(chǎn)品于2022年第四季度投產(chǎn)，魏哲家預(yù)計(jì)，在高性能計(jì)算和智能手機(jī)等應(yīng)用的推動(dòng)下，3納米產(chǎn)品將在2023年實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)平穩(wěn)增長(zhǎng)，并表示客戶(hù)將在2024年、2025年及之后對(duì)3納米產(chǎn)品有強(qiáng)勁的需求。結(jié)合臺(tái)積電在7納米、6納米等制程產(chǎn)品出現(xiàn)的產(chǎn)能利用率降低的現(xiàn)狀，有投資者對(duì)臺(tái)積電如何避免類(lèi)似現(xiàn)象出現(xiàn)在3納米節(jié)點(diǎn)上提出了疑問(wèn)。針對(duì)這一問(wèn)題，魏哲家回應(yīng)稱(chēng)，他認(rèn)為當(dāng)前芯片需求減弱主要是受到新冠病毒感染的影響，而這種情況很大程度上不會(huì)再發(fā)生。
在此次法說(shuō)會(huì)上，臺(tái)積電透露，2nm工藝也正在積極研發(fā)中，預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)。與此同時(shí)，臺(tái)積電將在2nm工藝中首次更換晶體管架構(gòu)，從FinFET轉(zhuǎn)至GAA。雖然這項(xiàng)變動(dòng)臺(tái)積電“落后”了三星整整三年，但也不難看出，臺(tái)積電為了保證芯片良率，在更換晶體管架構(gòu)方面比較保守。據(jù)了解，三星首批搭載GAA晶體管架構(gòu)的3nm芯片良率只有10%～20%，過(guò)低的良率導(dǎo)致三星2023年的大部分訂單都被臺(tái)積電搶走，競(jìng)爭(zhēng)相當(dāng)激烈。而臺(tái)積電計(jì)劃在2025年的2nm制程工藝上用上GAA晶體管架構(gòu)，也有較大的機(jī)率遭遇這樣的瓶頸期。
擬在日歐建廠(chǎng)
關(guān)于此前備受關(guān)注的臺(tái)積電資本預(yù)算情況，黃仁昭介紹稱(chēng)，鑒于近期市場(chǎng)的不確定性，臺(tái)積電將適當(dāng)收緊資本支出。2022年，臺(tái)積電的資本支出在363億美元；而2023年，臺(tái)積電資本預(yù)算預(yù)計(jì)在320億至360億美元之間，其中約有70%分配給先進(jìn)工藝技術(shù)，20%用于專(zhuān)業(yè)技術(shù)，10%用于封裝、掩膜等方面。而在資本支出方面，黃仁昭重點(diǎn)介紹了對(duì)先進(jìn)制程的投資，他表示，用于3納米、2納米的研發(fā)支出將是先進(jìn)工藝技術(shù)方面投資的重點(diǎn)，設(shè)計(jì)新的晶體管架構(gòu)、購(gòu)買(mǎi)新的設(shè)備等都將是投資的主要目標(biāo)。
關(guān)于臺(tái)積電未來(lái)的全球擴(kuò)張進(jìn)程，魏哲家表示，臺(tái)積電在美國(guó)的產(chǎn)能將實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。臺(tái)積電正在推進(jìn)建設(shè)亞利桑那州的的半導(dǎo)體工廠(chǎng)，F(xiàn)ab 1計(jì)劃在2024年進(jìn)行N4制程生產(chǎn)，F(xiàn)ab2計(jì)劃在2026年生產(chǎn)N3制程。臺(tái)積電也在考慮在日本建立新工廠(chǎng)，發(fā)展12納米/16納米和20納米/28納米工藝，預(yù)計(jì)在2024年底實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)則將布局臺(tái)積電最先進(jìn)的產(chǎn)能，N3產(chǎn)品已經(jīng)在臺(tái)南實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，計(jì)劃2025年在新竹和臺(tái)中量產(chǎn)N2制程產(chǎn)品。黃仁昭表示，28納米及以下制程的海外產(chǎn)能占比將在未來(lái)5年或更長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)會(huì)占到臺(tái)積電總體產(chǎn)能的20%或更多。除此之外，臺(tái)積電稱(chēng)正在與歐洲客戶(hù)合作，評(píng)估建廠(chǎng)的可能性，將聚焦在汽車(chē)特殊工藝，重點(diǎn)關(guān)注客戶(hù)需求、政府支持水平。
至于在不同地區(qū)建廠(chǎng)的成本，黃仁昭表示，在美建廠(chǎng)的建設(shè)成本約比在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)建廠(chǎng)高出4~5倍。高昂的成本包括根據(jù)職業(yè)安全和健康法規(guī)獲得許可的人工成本、近年來(lái)的通貨膨脹成本以及人員和學(xué)習(xí)成本。
