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動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō),周期性地充電是一個(gè)無(wú)可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性,因此被稱(chēng)為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來(lái)說(shuō),靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō),周期性地充電是一個(gè)無(wú)可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性,因此被稱(chēng)為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來(lái)說(shuō),靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。收起
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