NMOS

• 用4200A和矩陣開關(guān)搭建自動(dòng)智能的可靠性評(píng)估平臺(tái)
  

  在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到達(dá)漏極時(shí)，熱載流子（動(dòng)能非常高的載流子）由于原子能級(jí)碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對(duì)。其他的可以注入柵極通道界面，打破Si-H鍵，增加界面態(tài)密度。CHC的影響是器件參數(shù)的時(shí)間相關(guān)的退化，如VT、IDLIN和IDSAT。這種通道熱載流子

  與非網(wǎng)編輯

  628

  12/11 08:38

  編輯器 NMOS
• 大功率電路負(fù)載電流驅(qū)動(dòng)中，為什么都是用NMOS并聯(lián)，而不是PMOS呢？
  

  我們都知道，MOSFET按工作模式可以分為PMOS（P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體）和NMOS（N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管，這些晶體管由四個(gè)部分組成：源極 (S) 、漏極 (D) 、柵極 (G)和襯底（體），PMOS和NMOS 晶體管用作壓控開關(guān)或放大，根據(jù)柵極電壓控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。主要區(qū)別在于負(fù)責(zé)電流流動(dòng)的電荷載流子的類型：PMOS中的空穴（正電荷）和NMOS中的電子（負(fù)電荷） 。

  硬件那點(diǎn)事兒

  1814

  12/11 14:28

  NMOS 負(fù)載電流

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