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ALD

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  • ALD,ALE與傳統(tǒng)技術(shù)相比的優(yōu)勢？
    學(xué)員問：ALD（原子層沉積），ALE（原子層刻蝕）與傳統(tǒng)的沉積，刻蝕技術(shù)相比，有什么優(yōu)勢？如上圖，先說第一行，第一行是傳統(tǒng)鍍膜與ALD效果的對比，傳統(tǒng)薄膜沉積方法如 PECVD 或 PVD等，在高深寬比結(jié)構(gòu)中，由于氣體進(jìn)出受到了物理限制，側(cè)壁和底部區(qū)域的沉積速率不同。
  • 先進(jìn)邏輯和3D存儲的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
    先進(jìn)邏輯和3D存儲的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
    隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò)大， 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來越多，對絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納
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    12/10 09:18
  • 越制裁，越強(qiáng)大！重要性比肩光刻機(jī)的刻蝕設(shè)備——北方華創(chuàng)
    越制裁，越強(qiáng)大！重要性比肩光刻機(jī)的刻蝕設(shè)備——北方華創(chuàng)
    美日荷相繼加大對華半導(dǎo)體設(shè)備出口限制，國產(chǎn)替代迫在眉睫。盡管中國是全球最大半導(dǎo)體消費(fèi)市場，但本土化缺口明顯，2023 年芯片自產(chǎn)率僅 20%、半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率為 35%、高端刻蝕機(jī)等關(guān)鍵領(lǐng)域國產(chǎn)化率不足 10%。隨著國產(chǎn)晶圓廠的逆勢擴(kuò)張、海外制裁趨緊，本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商有望擴(kuò)大份額，預(yù)計(jì)2025年國產(chǎn)化率將達(dá)50%。 前面文章我們分析了國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭之一的中微公司，今天我們繼續(xù)深入研究半導(dǎo)體
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    11/26 12:10
  • 5nm已量產(chǎn)，3nm還會遠(yuǎn)嗎？重要性比肩光刻機(jī)的刻蝕設(shè)備——中微公司
    5nm已量產(chǎn)，3nm還會遠(yuǎn)嗎？重要性比肩光刻機(jī)的刻蝕設(shè)備——中微公司
    晶圓制造設(shè)備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計(jì)投資總額通常占整個(gè)晶圓廠投資總額的 75%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。 根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，2013年至2023年，半導(dǎo)體前道設(shè)備中，干法刻蝕設(shè)備市場年均增速超過15%，化學(xué)薄膜設(shè)備市場年均增速超過14%，這兩類設(shè)備增速遠(yuǎn)高于其他種類的設(shè)備。 圖|20
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    11/12 10:37
  • 一項(xiàng)多尺度模擬技術(shù)，打通ALD的材料—過程—裝備？
    一項(xiàng)多尺度模擬技術(shù)，打通ALD的材料—過程—裝備？
    今天我們對話的這位專家是來自華東理工大學(xué)化工學(xué)院的莊黎偉教授，他在原子層沉積工藝中進(jìn)行了非常多的探索，今天我們就請莊教授和我們一起來聊聊他所從事的事情，請莊教授和大家打個(gè)招呼。
  • 在使用ALD工藝沉積氧化物時(shí)，如何確保反應(yīng)完全且薄膜厚度可控
    原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）是一種精密的薄膜沉積技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子和納米技術(shù)領(lǐng)域。在沉積氧化物薄膜時(shí)，確保反應(yīng)完全并控制薄膜厚度是至關(guān)重要的，這直接影響到薄膜的質(zhì)量和性能。本文將探討如何在使用ALD工藝沉積氧化物時(shí)，確保反應(yīng)完全并控制薄膜厚度。
  • ALD（原子層沉積）與CVD的異同點(diǎn)有哪些
    ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）和CVD（Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積）是常用的薄膜沉積技術(shù)，在材料科學(xué)、納米技術(shù)和半導(dǎo)體工業(yè)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。雖然它們都用于沉積薄膜，但在原理、工作機(jī)制和特點(diǎn)上存在著一些顯著的不同。
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    08/16 13:37

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