碳化硅外延片

• 國內(nèi)第一！廣東半導(dǎo)體獨(dú)角獸沖刺IPO，華為比亞迪都投了
  

  12月24日報(bào)道，昨日，廣東第三代半導(dǎo)體企業(yè)天域半導(dǎo)體的港交所主板IPO申請獲受理。華為哈勃科技、比亞迪、上汽集團(tuán)均是其股東。外延片是生產(chǎn)功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵原材料，從最初的硅發(fā)展到以碳化硅及氮化鎵為代表的新一代材料。碳化硅外延片通?？捎糜谛履茉葱袠I(yè)、軌道交通、智能電網(wǎng)、通用航空等領(lǐng)域。

  芯東西

  556

  12/25 16:05

  碳化硅外延片 外延片
• 速度快10倍！這項(xiàng)SiC技術(shù)提供降本新思路
  

  在第1-3期內(nèi)容中，“行家說三代半“介紹了日本電裝（Denso）的SiC長晶核心技術(shù)（鏈接），今天這期內(nèi)容我們給大家剖一下他們和昭和電工（Resonac）的超快速SiC外延生長技術(shù)。

  行家說三代半

  943

  10/18 09:20

  SiC技術(shù) 碳化硅外延片
• 超結(jié)SiC新技術(shù)出爐，規(guī)?；慨a(chǎn)又進(jìn)一步
  

  近日，華威大學(xué)工程學(xué)院的一項(xiàng)突破性的研究提供了一種新的溝槽外延方法，該研究團(tuán)隊(duì)在1550°C的較低生長溫度下，使用過飽和氯化化學(xué)方法重新填充4H-SiC的外延溝槽。這種方法帶來了2大好處：

  行家說三代半

  1483

  07/02 08:44

  SiC 碳化硅外延片
• 第三代半導(dǎo)體SiC動態(tài)涌現(xiàn)！
  

  近日，化合物半導(dǎo)體動態(tài)頻頻，國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》正式對外發(fā)布，并將于今年年末開始實(shí)施。另外晶升股份研發(fā)出液相法碳化硅晶體生長設(shè)備，多家碳化硅企業(yè)完成新一輪融資，多個碳化硅項(xiàng)目迎來最新進(jìn)展。

  全球半導(dǎo)體觀察

  1864

  05/16 15:40

  SiC 第三代半導(dǎo)體
• 8英寸碳化硅外延玩家+1！
  

  4月24日，據(jù)投中資本官微消息，南京百識電子科技有限公司（以下簡稱百識電子）近期宣布正式具備國產(chǎn)8英寸SiC外延片量產(chǎn)能力。至此，國內(nèi)8英寸SiC外延賽道又多了一個新玩家。

  化合物半導(dǎo)體市場

  2006

  04/26 09:41

  碳化硅外延片
• 國內(nèi)碳化硅外延片市場簡析
  

  隨著電動汽車和新能源需求的持續(xù)擴(kuò)大，碳化硅功率半導(dǎo)體元件在各領(lǐng)域的滲透率呈現(xiàn)持續(xù)攀升之勢。對于碳化硅外延片環(huán)節(jié)，過去市場長期由Resonac、Wolfspeed等國際大廠主導(dǎo)，中國廠商瀚天天成與天域半導(dǎo)體歷經(jīng)10余年積累，終隨新能源浪潮迎來業(yè)務(wù)高速增長期，近年來全球市場份額得以迅速上升。

  化合物半導(dǎo)體市場

  3092

  04/15 20:36

  碳化硅外延片
• 這4家SiC企業(yè)獲車規(guī)認(rèn)證，它們是？
  

  2024年以來，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)已有4家SiC企業(yè)順利通過車規(guī)認(rèn)證，拿下“汽車供應(yīng)鏈”的入場券： 蓉矽半導(dǎo)體：SiC MOSFET通過AEC-Q101、HV-H3TRB測試；●?鈞聯(lián)電子：SiC功率模塊通過AQG-324測試；● 海乾半導(dǎo)體：SiC外延獲得IATF16949、ISO9001認(rèn)證；● 希科半導(dǎo)體：SiC外延通過IATF16949認(rèn)證。

  行家說三代半

  4757

  03/29 08:58

  SiC 碳化硅
• 中國SiC外延片市場，繁榮與挑戰(zhàn)并存
  

  隨著電動汽車和新能源需求的持續(xù)擴(kuò)大，碳化硅功率半導(dǎo)體元件在各領(lǐng)域的滲透率呈現(xiàn)持續(xù)攀升之勢。對于碳化硅外延片環(huán)節(jié)，過去市場長期由Resonac、Wolfspeed等國際大廠主導(dǎo)，中國廠商瀚天天成與天域半導(dǎo)體歷經(jīng)10余年積累，終隨新能源浪潮迎來業(yè)務(wù)高速增長期，近年來全球市場份額得以迅速上升。

  化合物半導(dǎo)體市場

  2523

  03/22 10:20

  SiC 碳化硅
• 14.7億！這一年產(chǎn)30萬片SiC外延項(xiàng)目啟動
  

  近日，賽達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱賽達(dá)半導(dǎo)體）碳化硅（SiC）外延項(xiàng)目環(huán)評消息公示。公告顯示，該項(xiàng)目總投資約14.7億元，占地面積11979m2，總建筑面積7887m2，將租賃長城汽車徐水分公司原有廠房和空地（華訊廠房），形成公司生產(chǎn)和研發(fā)廠房。項(xiàng)目擬購置外延設(shè)備、測試設(shè)備、清洗設(shè)備等主要生產(chǎn)、研發(fā)和附屬設(shè)備，先期產(chǎn)能1.5萬片/年，2027年規(guī)劃產(chǎn)能為30萬片/年。

  化合物半導(dǎo)體市場

  2663

  02/29 09:00

  SiC 碳化硅
• 普興電子：SiC營收/出貨均增500%，60%用于主驅(qū)
  

  回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步？出現(xiàn)了哪些變化？2024將迎來哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)？本期嘉賓是普興電子總經(jīng)理 薛宏偉，薛總在訪談中分享了很多干貨：碳化硅外延出貨片超10萬片，同比增長5倍，60%產(chǎn)品用于新能源汽車主驅(qū)逆變。2024年6英寸碳化硅產(chǎn)能約30萬片，主驅(qū)應(yīng)用占比預(yù)計(jì)超80%；2024年，8英寸產(chǎn)能達(dá)1萬片左右；碳化硅企業(yè)已超100多家，競爭激烈。襯底可以進(jìn)一步降低成本，主要原材料價格在2023年同比降低30%。

  行家說三代半

  4130

  02/07 10:10

  SiC 碳化硅
• 2個項(xiàng)目，近40萬片！這家SiC企業(yè)沖刺投產(chǎn)
  

  近日，天域半導(dǎo)體2個SiC外延項(xiàng)目迎來封頂/擴(kuò)建，進(jìn)一步加速產(chǎn)能擴(kuò)充：東莞生態(tài)園廠區(qū)：項(xiàng)目一期預(yù)計(jì)今年5月試產(chǎn)，規(guī)劃年產(chǎn)能為17萬片；東莞松山湖廠區(qū)：第七次擴(kuò)產(chǎn)，項(xiàng)目將新增20萬片/年產(chǎn)能。

  行家說三代半

  2956

  02/06 08:20

  SiC 碳化硅
• 瀚天天成IPO進(jìn)展更新！SiC企業(yè)爭上市
  

  上交所科創(chuàng)板官網(wǎng)顯示，1月24日，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司（以下簡稱：瀚天天成）申請上交所科創(chuàng)板上市審核狀態(tài)變更為“已問詢”。瀚天天成主要從事碳化硅外延晶片的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，產(chǎn)品用于制備碳化硅功率器件，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)及航空航天等領(lǐng)域。

  化合物半導(dǎo)體市場

  3296

  01/26 11:00

  SiC 碳化硅
• 超23億！80萬片SiC項(xiàng)目即將建成
  

  2023年12月，廈門市生態(tài)環(huán)境局公布了瀚天天成《6-8 英寸 SiC 外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目（一期）的環(huán)境影響報(bào)告表》。文件透露，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)新增216條SiC外延產(chǎn)線，產(chǎn)能高達(dá)80萬片。

  行家說三代半

  3363

  01/15 08:35

  SiC 碳化硅
• 這家SiC外延設(shè)備廠商開啟上市輔導(dǎo)
  

  1月9日，證監(jiān)會披露了關(guān)于深圳市納設(shè)智能裝備股份有限公司(以下簡稱納設(shè)智能)首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報(bào)告（以下簡稱報(bào)告）。報(bào)告顯示，12月27日，納設(shè)智能與中信證券簽署了上市輔導(dǎo)協(xié)議。

  化合物半導(dǎo)體市場

  2072

  01/11 09:12

  SiC 碳化硅
• SiC器件，中外現(xiàn)況
  

  近年來，以碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料備受關(guān)注，在禁帶寬度、擊穿電場、熱導(dǎo)率、電子飽和速率、抗輻射能力等關(guān)鍵參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢，滿足了現(xiàn)代工業(yè)對高功率、高電壓、高頻率的需求。 碳化硅器件按照電阻性能的不同，可以分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅基射頻器件。 ①導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成，品種包括SBD（肖

  史德志

  4960

  2023/12/08

  與非研究院 MOS
• 今日要聞 | 中國半導(dǎo)體初創(chuàng)投資過于偏重?zé)o廠企業(yè)；華為大量削減芯片采購量
  消費(fèi)電子訂單需求疲弱，IC設(shè)計(jì)業(yè)慘淡 2月7日消息，據(jù)中國臺灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，面對半導(dǎo)體庫存修正潮，PC、手機(jī)等消費(fèi)電子應(yīng)用目前都沒有看到明顯回暖跡象。 媒體指出，綜合多家 IC 設(shè)計(jì)廠商的看法，從供應(yīng)鏈的角度來看，今年筆記本電腦市場可能繼續(xù)衰退，手機(jī)客戶提供的市場預(yù)估也偏保守，消費(fèi)電子訂單需求依然疲弱，有廠商直言“現(xiàn)在幾乎沒有訂單能見度可言”。 ? 碳化硅外延片企業(yè)天域半導(dǎo)體獲12億

  與非網(wǎng)記者

  837

  2023/02/07

  華為 半導(dǎo)體企業(yè)
• 碳化硅外延技術(shù)突破或改變產(chǎn)業(yè)格局
  第一代半導(dǎo)體材料主要是硅(Si)、鍺元素(Ge);第二代主要是化合物半導(dǎo)體材料;而第三代半導(dǎo)體，主要是二十一世紀(jì)以來以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石四種為代表的半導(dǎo)體材料，即高溫半導(dǎo)體材料。

  與非網(wǎng)編輯

  593

  2021/07/07

  SiC 碳化硅

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