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600KHZ固定頻率24V/800mA同步降壓轉(zhuǎn)換器具有輕載PFM節(jié)能模式

PCD2203 是一款 3.8V-24V 的寬輸入電壓范圍同步降壓轉(zhuǎn)換器，擁有 30V 輸入過(guò)壓保護(hù)，能夠驅(qū)動(dòng) 0.8A 的負(fù)載。內(nèi)部集成兩個(gè)低 RDSON 功率管，可減小導(dǎo)通損耗，提高效率。該芯片采用峰值電流模式控制，可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀動(dòng)態(tài)性能，也使得外圍補(bǔ)償電路簡(jiǎn)單，由于開(kāi)關(guān)頻率固定為 600K，可以選用小尺寸電感、電容，以及小尺寸的 SOT23- 6L 封裝，可以實(shí)現(xiàn)小尺寸的電源解決方案。具有15uA 靜態(tài)工作電流與 2uA 關(guān)斷電流，適用于低功耗要求的供電系統(tǒng)。PCD2203 具有逐周期限流打嗝的 OCP 保護(hù)，輸入 OVP 以及熱關(guān)斷功能。

集芯微電科技

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04/25 07:35

同步降壓轉(zhuǎn)換器功率MOSFET

40V/1A高性能小體積同步降壓轉(zhuǎn)換器外部只需極少元器件

PC2201是一款采用電流模式的降壓開(kāi)關(guān)電源芯片。在輸入電壓范圍為4.7V~40V的情況下， PC2201可提供高達(dá)1A的輸出電流。PC2201內(nèi)部集成了兩個(gè)N溝道MOSFET和同步功率開(kāi)關(guān)，可以在不使用外部肖特基二極管的情況下提高電源轉(zhuǎn)換效率。 PC2201還采用了專(zhuān)利的控制方案，在輕載時(shí)將芯片切換到節(jié)能模式，從而擴(kuò)展了高效率運(yùn)行的范圍。

集芯微電科技

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04/25 07:35

開(kāi)關(guān)電源芯片同步降壓轉(zhuǎn)換器

AMEYA360 | MOSFET器件選型考慮哪些因素？4大法則搞定MOSFET器件選型

功率MOSFET恐怕是工程師們最常用的器件之一了，但你知道嗎?關(guān)于MOSFET的器件選型要考慮方方面面的因素，小到選N型還是P型、封裝類(lèi)型，大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等，不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化，下面這篇文章總結(jié)了MOSFET器件相關(guān)選型法則，相信看完你會(huì)大有收獲。

AMEYA360

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03/26 08:24

MOSFET 功率MOSFET

功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？

選擇一個(gè)工作點(diǎn)而不是另一個(gè)工作點(diǎn)作為數(shù)據(jù)表“最大”額定值的一些原因包括：選擇工作點(diǎn)作為在生產(chǎn)線(xiàn)末端測(cè)試時(shí)用于篩選器件的相同工作點(diǎn)，或者出于營(yíng)銷(xiāo)或客戶(hù)目的以指示某些所需的能量水平。將一個(gè)器件的UIS能力與另一個(gè)器件進(jìn)行比較時(shí)，關(guān)鍵點(diǎn)是比較相同Tj(initial)溫度下的Ipk vs tav繪圖數(shù)據(jù)，而不是比較單個(gè)UIS額定值。

安森美半導(dǎo)體

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02/27 11:20

功率MOSFET 雪崩擊穿

英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

數(shù)據(jù)中心和計(jì)算應(yīng)用對(duì)電源的需求日益增長(zhǎng)，需要提高電源的效率并設(shè)計(jì)緊湊的電源。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì)，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率。

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2140

2023/12/07

數(shù)據(jù)中心功率MOSFET

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導(dǎo)通電阻比前代器件降低48.2%，同時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數(shù)是650 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)

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2023/09/04

轉(zhuǎn)換器 MOSFET

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET

小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡(jiǎn)化應(yīng)用設(shè)計(jì)方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實(shí)現(xiàn)靈活的布線(xiàn)并縮小系統(tǒng)的整體尺寸。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣泛適用于各種應(yīng)用，如服務(wù)器、通信、便攜式充電器和無(wú)線(xiàn)充電器中開(kāi)關(guān)電源（SMPS）里的同步整流等。此外，新產(chǎn)品在無(wú)人機(jī)中還可應(yīng)用于小型無(wú)刷電機(jī)的電子速度控制器等。

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2023/08/03

半導(dǎo)體行業(yè) MOSFET

英飛凌推出PQFN 封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET

未來(lái)電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢(shì)，英飛凌科技有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱（BSC）和雙面散熱（DSC）兩種不同的結(jié)構(gòu)。該新產(chǎn)品系列在半導(dǎo)體器件級(jí)層面做出了重要的性能改進(jìn)，為DC-DC功率轉(zhuǎn)

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2023/01/13

英飛凌 pcb

電動(dòng)汽車(chē)充電逼近加油速度，要靠功率半導(dǎo)體了

從目前的發(fā)展勢(shì)頭看，電車(chē)充電速度追上加油速度，不再是鏡花水月。