介紹
本文件涉及晶閘管的硅結(jié)構(gòu)和電行為。還列出了使用該設(shè)備的最常見應(yīng)用程序。有關(guān)晶閘管的更多信息以及如何根據(jù)目標(biāo)應(yīng)用要求選擇正確的零件號(hào),請(qǐng)參閱AN4608。
1? 晶閘管基礎(chǔ)
1.1? 硅結(jié)構(gòu)及等效圖
圖1.晶閘管(SCR)符號(hào)(a)、硅結(jié)構(gòu)(b)和簡化等效圖(c)顯示了晶閘管符號(hào)及其硅結(jié)構(gòu)的簡化截面圖。晶閘管具有四個(gè)交替摻雜層(P-N-P-N)。該特定實(shí)施例解釋了設(shè)備的操作模式和電特性。
首先,兩個(gè)P-N結(jié)的存在允許雙少數(shù)載流子注入(從P2到N的空穴和從N1到P1的電子)。低摻雜區(qū)域N和P1隨后被容易地調(diào)制,導(dǎo)致導(dǎo)通狀態(tài)下的非常低的電壓降。然而,所有這些少數(shù)載流子都必須被消除才能正常關(guān)閉。恢復(fù)時(shí)間在10到50μs之間。晶閘管專用于低頻應(yīng)用(低于1kHz)。