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需要先交代下這里提到的AMSL公司的背景。ASML (全稱： Advanced Semiconductor Material Lithography,公司的注冊(cè)標(biāo)識(shí)為ASML Holding N.V)，中文名稱為阿斯麥（中國大陸）、艾司摩爾（中國臺(tái)灣）。是總部設(shè)在荷蘭Veldhoven的全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商之一，向全球復(fù)雜集成電路生產(chǎn)企業(yè)提供領(lǐng)先的綜合性關(guān)鍵設(shè)備。這么一說大家應(yīng)該明白，為什么從ASML那里得到的消息可靠，因?yàn)樗麄円?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E5%8F%B0%E7%A7%AF%E7%94%B5/">臺(tái)積電、Global Foundries這類晶圓廠提供可用于更先進(jìn)工藝制程的生產(chǎn)設(shè)備，可以第一時(shí)間知道各工藝廠商在新的工藝節(jié)點(diǎn)的開發(fā)進(jìn)展。
“14nm/16nm工藝的量產(chǎn)將在明年實(shí)現(xiàn)”ASML CEO Peter Wennink如是說。此前業(yè)界一直認(rèn)為這一量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)將是2016年。
“從我們目前看到的需求，用戶都計(jì)劃在2015年實(shí)現(xiàn)14nm/16nm工藝產(chǎn)品的量產(chǎn)”Wennink表示。
可以用“萬事俱備”來形容10nm工藝的生態(tài)，但7nm的成熟還需要一個(gè)過程。
“一些10nm工藝上至關(guān)重要的客戶正在敦促我們開發(fā)和采用EUV技術(shù)”Wennink補(bǔ)充，可以推斷，沒有EUV，10nm工藝的實(shí)施將非常困難。
針對(duì)EUV，ASML的客戶目前每次EUV光刻每天可實(shí)現(xiàn)500片晶圓的產(chǎn)量，ASML相信到2016年，EUV設(shè)備可實(shí)現(xiàn)1500wpm的產(chǎn)能，到那時(shí)，最先進(jìn)的EUV設(shè)備的成本可達(dá)到9000萬美元。
Wennink透露，ASML正在和一個(gè)客戶合作，計(jì)劃在2016年下半年進(jìn)入10nm邏輯節(jié)點(diǎn)，這是14nm和7nm的一個(gè)中間節(jié)點(diǎn)。
目前ASML已經(jīng)具備了80W的光源能力，理論上可以實(shí)現(xiàn)1000wpm的產(chǎn)能，但Wennink指出，出于設(shè)備維護(hù)需求的考慮，這一理論吞吐量降到500wpm。
關(guān)于EUV光刻技術(shù)
此前，EUV技術(shù)曾經(jīng)在65nm節(jié)點(diǎn)被寄予厚望，但由于光源不足、光刻膠和掩膜版等相關(guān)技術(shù)不到位等原因，其進(jìn)入量產(chǎn)的時(shí)間不斷被推遲。同時(shí)，常規(guī)光刻技術(shù)仍在進(jìn)步，目前尚未真的需要EUV光刻。不過，隨著芯片產(chǎn)商們開始關(guān)注20nm以及更先進(jìn)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，人們對(duì)關(guān)鍵層可采用哪些技術(shù)存在疑惑，包括對(duì)雙重圖形的成本、高折射率浸入式光刻缺乏支撐以及EUV量產(chǎn)的準(zhǔn)備程度等問題仍存疑慮。有觀點(diǎn)認(rèn)為20nm可能是EUV大展拳腳的時(shí)間點(diǎn)，也有較為悲觀的人認(rèn)為至少要到2016年EUV才會(huì)為量產(chǎn)所用。至少到2013年，ArF雙重圖形技術(shù)和EUV都是熱門的候選方案。
相較而言，EUV更具有延展性，極有希望支持小于10nm的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。
現(xiàn)在看來，EUV的春天來了。
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