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10月26日，據(jù)“證券時(shí)報(bào)”消息，晶升股份已成功研發(fā)了可視化的8英寸電阻法SiC單晶爐，晶體良率可提升20%以上，目前該設(shè)備已在客戶端通過(guò)驗(yàn)證。
據(jù)悉，晶升股份研發(fā)的8英寸電阻法碳化硅單晶爐能夠使碳化硅晶體生長(zhǎng)過(guò)程變得“可視”，從而降低了研發(fā)成本，并為8英寸襯底的量產(chǎn)提供了設(shè)備基礎(chǔ)。
據(jù)晶升股份董秘吳春生介紹，碳化硅單晶的生長(zhǎng)以前在一個(gè)完全密閉的‘黑匣子’里進(jìn)行，生長(zhǎng)過(guò)程不可視導(dǎo)致每次看晶體就像開(kāi)“盲盒”，只有打開(kāi)爐體時(shí)才知曉晶體的生長(zhǎng)狀況。由于對(duì)晶體生長(zhǎng)狀態(tài)缺乏有效的觀測(cè)手段，晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的異常無(wú)法及時(shí)調(diào)整，工藝開(kāi)發(fā)需要大量實(shí)驗(yàn)去試錯(cuò)并迭代優(yōu)化，這就導(dǎo)致開(kāi)發(fā)周期長(zhǎng)、費(fèi)用高、良率低等問(wèn)題。
而晶升股份向市場(chǎng)推出的8英寸電阻法碳化硅單晶爐，引入可視化檢測(cè)系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)晶過(guò)程看得見(jiàn)。吳春生進(jìn)一步介紹道，基于實(shí)時(shí)觀測(cè)生長(zhǎng)速度和粉料演變狀態(tài)，該單晶爐可通過(guò)干預(yù)調(diào)節(jié)功率、壓力等條件，讓晶體生長(zhǎng)處于可控狀態(tài)。
此外，該設(shè)備針對(duì)溫度梯度控制的難題，采用多加熱器布局，每個(gè)加熱器可以單獨(dú)控制，有效解決了溫度梯度可控性差的問(wèn)題，提高了晶體生長(zhǎng)的品質(zhì)；晶升股份團(tuán)隊(duì)從模擬、結(jié)構(gòu)、材料選擇等方面經(jīng)過(guò)數(shù)十次的實(shí)驗(yàn)，最終找到二者的平衡點(diǎn)，將最低的長(zhǎng)晶功率由30kW~40kW降低到25kW以下。
資料顯示，晶升股份成立于2012年2月，從事8-12英寸半導(dǎo)體級(jí)單晶硅爐、6-8英寸碳化硅、砷化鎵等半導(dǎo)體材料長(zhǎng)晶設(shè)備及工藝開(kāi)發(fā)；2023年4月，晶升股份正式登陸科創(chuàng)板，通過(guò)IPO，晶升股份擬募資4.76億元，將用于總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目、半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)設(shè)備總裝測(cè)試廠區(qū)建設(shè)項(xiàng)目，項(xiàng)目計(jì)劃包括6英寸至8英寸碳化硅單晶爐研發(fā)。
2024年H1，晶升股份營(yíng)收1.99億元，同比增長(zhǎng)73.76%；凈利潤(rùn)0.35億元，同比大幅增長(zhǎng)131.99%，實(shí)現(xiàn)了營(yíng)收凈利雙增長(zhǎng)；而在本次業(yè)績(jī)報(bào)喜前不久，晶升股份還宣布實(shí)現(xiàn)了8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備批量交付，其第一批8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備已于2024年7月在重慶完成交付，開(kāi)啟了批量交付進(jìn)程。
晶升股份8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備相關(guān)業(yè)務(wù)已進(jìn)入了新的發(fā)展階段，未來(lái)將貢獻(xiàn)新的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)點(diǎn)。
