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上次，我們總結(jié)了光刻工序部分的術(shù)語(yǔ)，見文章：《光刻工序常見術(shù)語(yǔ)中英文對(duì)照（1）》這次，我們把剩下的又總結(jié)了一些，供大家參閱。
1，Developer Mist：顯影液回濺產(chǎn)生的水霧，是顯影過(guò)程引入的一種缺陷。
3，Swelling：膨脹，在曝光前光刻膠表面存在水滴，水滴在光刻膠頂部膠層（ Top Coating ）中的滲透造成頂部膠層膨脹。
4，Contact Angle：接觸角，通過(guò)測(cè)量接觸角可以得出光刻膠的潤(rùn)濕性。
5，diffraction：衍射，當(dāng)掩膜板開口尺寸接近或小于入射光波長(zhǎng)時(shí)，衍射效應(yīng)很明顯，這會(huì)導(dǎo)致在晶圓表面無(wú)法得到理想的銳利邊緣，而形成模糊的圖形。
6，interference：干涉。干涉在光刻中會(huì)產(chǎn)生駐波效應(yīng)。當(dāng)入射光和從晶圓表面反射的光相遇時(shí)，會(huì)在光刻膠內(nèi)形成駐波，顯影后得到的結(jié)構(gòu)就是周期性的鋸齒狀結(jié)構(gòu)。
7，Mercury lamp：汞燈。用于產(chǎn)生G線（436 nm）和i線（365 nm）的光線。
8，Excimer laser：準(zhǔn)分子激光燈。用于產(chǎn)生KrF（248 nm）和ArF（193 nm）光線。
9，solvent：溶劑。光刻膠中含有溶劑。
10，novolak：酚醛樹脂，光刻膠的主體支撐結(jié)構(gòu)
11，DNQ：二（重）氮萘醌，感光劑的一種。
12，TMAH：四甲基氫氧化銨,顯影液的主要成分。
13，dose：劑量，比如曝光的劑量
14，OPC：光學(xué)鄰近校正，作用是彌補(bǔ)衍射造成的圖像錯(cuò)誤。
15，positive resist：正性光刻膠
16，negative resist:負(fù)性光刻膠
17，Immersion lithography machine：浸沒式光刻機(jī)，一般為ArF+浸沒式，其他波長(zhǎng)的光線不配備浸沒式技術(shù)。
18，coat：勻膠19，uniformity：非均勻性，主要是用來(lái)衡量膠厚是否一致。
20，cp：光刻膠粘度單位，如光刻膠AZ4620的粘度為440cp
21，rpm：轉(zhuǎn)速單位，比如勻膠時(shí)設(shè)定轉(zhuǎn)速為2000rpm，即每分鐘兩千轉(zhuǎn)。
22，PGMEA：一種溶劑
23，hole：光刻膠上的針孔
24，resist residue：光刻膠殘留25：fence：細(xì)小的光刻膠殘留
26，Lens：光刻機(jī)的透鏡，蔡司公司的透鏡全球第一。
27，?：長(zhǎng)度單位，0.1nm
由于篇幅有限，今天先總結(jié)到這里，后面會(huì)對(duì)其他工序再進(jìn)行總結(jié)。
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