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在半導(dǎo)體制造中會(huì)使用很多英文詞匯，而英文詞匯在翻譯為漢語(yǔ)的過(guò)程中，意思往往會(huì)出現(xiàn)偏差，后面的幾期，Tom會(huì)針對(duì)幾大工序中常見(jiàn)的半導(dǎo)體術(shù)語(yǔ)做一個(gè)歸納總結(jié)，有些術(shù)語(yǔ)會(huì)做必要的解釋。
1，alignment：對(duì)準(zhǔn)
2，ARC：抗反射層，其中BARC是底部抗反射層，TARC是頂部抗反射層，見(jiàn)文章：芯片制造中的抗反射層（TRAC&BRAC）
3，bake，oven：烘烤，soft bake是軟烘，勻膠之后，hard bake是后烘，顯影之后，PEB是曝光后烘烤
4，CCD：charge coupled device，電荷耦合陣列成像探測(cè)器
5，CD：critical dimension，特征尺寸，即線寬，芯片上最小尺寸
6，contrast：對(duì)比度
7，developer dispense：噴淋式顯影
8，DI water：去離子水
9，DOF：Depth of Focus，焦深
10，DUV：deep ultraviolet，深紫外線
11，EBR：edge bead removal，邊緣膠去除
12，EUV：extremely ultra-violet，極紫外
13，Exposure：曝光
14，gap：間隙
15，G/H/i line：G線，H線，i線，波長(zhǎng)分別為436nm，405nm，365nm
16，HMDS：六甲基二硅氮烷，見(jiàn)文章：氣相 HMDS工序介紹
17，hydrophobicity：疏水性
18，LWR：線寬粗糙度
19，leveling：找平
20，MEF：mask error factor，掩膜板誤差因子，在硅片上曝出的線寬對(duì)掩膜板線寬的偏導(dǎo)數(shù)
21，metrology：量測(cè)
22，NA：Numerical Aperture，數(shù)值孔徑，
23，Overlay Accuracy：套刻精度
24，PAG：光酸產(chǎn)生劑
25，pellicle：掩膜板保護(hù)膜
26，Photolithography：光刻
27，photoresist，resist：光刻膠
28，puddle：顯影液在晶圓表面停留
29，reticle，mask，photomask：掩膜版，光罩
30，resolution：光刻的分辨率
31，rinse：清洗
32，shot：曝光區(qū)域
33，sidewall angle：側(cè)墻傾斜度
34，slit：狹縫
35，standing wave：駐波
36，step-and-repeat：步進(jìn)分塊曝光
37，step-and-scan：步進(jìn)分塊掃描曝光
38，spin dry：甩干
39，thickness：厚度
40，undercut：內(nèi)切
41，UV：紫外線（光）
42，wave length：波長(zhǎng)
由于篇幅有限，今天先總結(jié)到這里，下期繼續(xù)總結(jié)。
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