進(jìn)入夏季,可靠且節(jié)能的暖通空調(diào)系統(tǒng)和家用電器非常重要,作為消費(fèi)者,我們希望我們的冰箱能夠安靜地運(yùn)行,空調(diào)能夠可靠且高效地運(yùn)行,我們也希望成為自己能源足跡的好管家。
事實(shí)上,家電、暖通空調(diào)系統(tǒng)和工業(yè)驅(qū)動(dòng)器是全球能源消耗的大戶,隨著全球范圍內(nèi)能效標(biāo)準(zhǔn)的逐漸嚴(yán)格,家電和暖通空調(diào)的設(shè)計(jì)人員正在努力滿足這些標(biāo)準(zhǔn)(如 SEER、MEPS、Energy Star 和 Top Runner 標(biāo)準(zhǔn)),以支持全球環(huán)境的可持續(xù)發(fā)展目標(biāo),同時(shí)滿足消費(fèi)者對(duì)高效、可靠、靜音、小巧且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的系統(tǒng)的需求。
對(duì)此,德州儀器系統(tǒng)工程師張宏亮表示:“當(dāng)前工程師所面臨的難題是在如何不增加系統(tǒng)成本的前提下,設(shè)計(jì)出更高效、更節(jié)能的小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,并權(quán)衡消費(fèi)者的多種需求?!?/p>
TI推出GaN IPM,應(yīng)對(duì)高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)所需
為了協(xié)助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員 以上難題,今日TI推出了適用于 250W 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM產(chǎn)品DRV7308,來(lái)滿足大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)設(shè)計(jì)中常見(jiàn)的挑戰(zhàn),以及性能折衷問(wèn)題。
圖 | 集成式三相 GaN IPM工作原理,來(lái)源:TI
據(jù)悉,DRV7308內(nèi)部集成了6個(gè)GaN功率器件,采用 12mm x 12mm 封裝,主要面向 150W 至 250W 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用市場(chǎng),通過(guò)GaN技術(shù),工程師可以實(shí)現(xiàn) 99%以上的驅(qū)動(dòng)器效率,并同步改善電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的發(fā)熱問(wèn)題。
圖 | TI GaN IPM 與 IGBT 效率性能比較,來(lái)源:TI
對(duì)此,德州儀器銷售與市場(chǎng)應(yīng)用經(jīng)理 Charlie Munoz表示:“與現(xiàn)有的 IGBT 和 MOSFET 解決方案相比,基于GaN技術(shù)的IPM產(chǎn)品DRV7308的功率損耗減少了50%。此外,正因?yàn)椴捎昧薌aN器件,該模塊實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)較低的死區(qū)時(shí)間和較低的傳播延遲(均小于 200ns),同時(shí)支持更高的脈寬調(diào)整開(kāi)關(guān)頻率,從而減少聽(tīng)覺(jué)噪音和系統(tǒng)振動(dòng)?!?/p>
圖 | 與 250W IGBT 解決方案相比,DRV7308 可減小 PCB 面積,來(lái)源:TI
“此外,同樣得益于GaN技術(shù)的使用,DRV7308 可以提高系統(tǒng)的功率密度,而且效率出色,最重要是它不再需要外部散熱體。與基于 IGBT 和 MOSFET 的解決方案相比,電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器的印刷電路板尺寸,可以縮減高達(dá) 55%。” Charlie Munoz補(bǔ)充道。
250W GaN IPM只是一個(gè)起點(diǎn)
過(guò)去幾年中,IPM 通常是由基于IGBT 或 MOSFET 來(lái)做的,由于受到散熱問(wèn)題的影響,功率一直做不高,所以針對(duì)高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域,逆變器設(shè)計(jì)人員通常會(huì)采用集成兩個(gè)功率管的半橋集成驅(qū)動(dòng)方案,其功率可做到250W-300W區(qū)間內(nèi)。
而今天TI推出的GaN IPM將功率提升到了250W,可以覆蓋一部分原來(lái)半橋集成驅(qū)動(dòng)方案的應(yīng)用場(chǎng)景,且整體逆變效率還是相當(dāng)高的。
對(duì)此,Charlie Munoz表示:“250W GaN IPM只是一個(gè)起點(diǎn),高功率和高能效一直是TI投資的重點(diǎn)領(lǐng)域,未來(lái)TI將不斷完善GaN IPM產(chǎn)品譜系,在應(yīng)用側(cè)向上和向下拓展到更高和更低功率級(jí)別的市場(chǎng)?!?/p>