5億元、1400萬只！安徽新增1個IGBT項目

前幾日，安徽再次簽約1個IGBT項目！

6月18日，據(jù)“黟縣發(fā)布?”消息，黟縣舉行2024年二季度工業(yè)招商重點項目集中簽約儀式。本次儀式現(xiàn)場集中簽約5個項目，其中億元以上項目3個，總投資7.6億元，涉及電子信息、綠色食品等領域。其中包括一個IGBT項目——旺榮IGBT封裝和模組生產(chǎn)基地項目。

據(jù)了解，該項目由浙江旺榮半導體有限公司投資建設，項目總投資5億元，擬在黟新建封裝、模組生產(chǎn)線，建設集生產(chǎn)、測試、銷售于一體的年產(chǎn)1400萬只IGBT封裝和模組生產(chǎn)基地。項目達產(chǎn)后可實現(xiàn)年營收1.5億元，年繳納稅收400萬元。

公開資料顯示，浙江旺榮半導體成立于2021年，是一家以“芯片設計、晶圓制造、器件封裝測試、產(chǎn)品應用”為一體的垂直整合制造模式運營的公司，主要聚焦于被海外巨頭壟斷的中高壓IGBT、MOSFET、FRD等功率芯片和功率模塊產(chǎn)品。

早在2023年，旺榮半導體就已布局半導體領域：

據(jù)“行家說動力總成”此前報道，2023年12月，旺榮半導體有限公司旗下《年產(chǎn)24萬片8英寸晶圓項目》正式宣布竣工投產(chǎn)。該項目位于麗水南城七百秧D-30-5工業(yè)地塊，總用地面積102畝，由浙江旺榮半導體有限公司投建。項目總投資50億元，一期計劃投資24億元，主要建設兩條年產(chǎn)24萬片的8英寸功率器件生產(chǎn)線，其中FRD芯片2.4萬片/年、MOSFET芯片10.8萬片/年、IGBT芯片10.8萬片/年。

該項目將聚焦于被海外巨頭壟斷的中高壓IGBT、MOSFET、FRD等功率芯片和功率模塊產(chǎn)品，專注于0.18μm～0.35μm功率分立器件研發(fā)與制造，有力打破國外芯片廠商在該領域的壟斷，有效填補國內(nèi)8英寸功率器件芯片產(chǎn)能缺口，進一步加快國產(chǎn)替代，為我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來新的機遇。