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中科漢韻:車規(guī)SiC MOS成功交付,致力成為一流IDM廠商

01/23 09:05
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回首2023,碳化硅氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步?出現(xiàn)了哪些變化?2024將迎來哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)?為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局,探索未來的前進(jìn)方向,行家說三代半、行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024,火力全開》專題報(bào)道。本期嘉賓是中科漢韻副總經(jīng)理 陳剛。接下來還將有更多的領(lǐng)軍企業(yè)參與《行家瞭望》,敬請(qǐng)期待。

車規(guī)SiC晶圓出貨超1000片?6大戰(zhàn)略助力營業(yè)收入增長

家說三代半:過去一年,貴公司主要做了哪些關(guān)鍵性工作?

陳剛:公司專注于高可靠碳化硅器件設(shè)計(jì)、工藝研發(fā)、器件制造三方面協(xié)同研究,形成了全系列碳化硅 JBS、碳化硅 MOSFET功率器件及解決方案,已擁有完整的碳化硅功率器件4吋SiC量產(chǎn)產(chǎn)線,月綜合產(chǎn)能500片/月。

我們的產(chǎn)線制程能力優(yōu)良、質(zhì)量控制體系完善,突破了車規(guī)級(jí)電驅(qū)大電流 MOS 器件多項(xiàng)工藝制造技術(shù)難點(diǎn),已面向新能源汽車、能源、家電等領(lǐng)域開展自研產(chǎn)品銷售及代工服務(wù),已成功交付車規(guī)級(jí)SiC MOSFET晶圓超1000片,營業(yè)收入增長2426%。中科漢韻已成為國內(nèi)為數(shù)不多的從碳化硅器件研發(fā)、工藝、制造車規(guī)級(jí)MOSFET且通過用戶車規(guī)級(jí)驗(yàn)證的閉環(huán)企業(yè)之一,為后續(xù)發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

行家說三代半:2023年貴公司取得了哪些成績?

陳剛:技術(shù)水平不斷提升,功率密度、效率、可靠性等性能持續(xù)改善。應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展,涵蓋電驅(qū)逆變器、車載充電機(jī)、直流/直流變換器(DC-DC)等。

自研產(chǎn)品研發(fā)方面,中科漢韻持續(xù)在高效的模擬仿真能力、獨(dú)特的元胞架構(gòu)設(shè)計(jì)、優(yōu)勢(shì)的門柵技術(shù)等領(lǐng)域開拓研究并取得突出進(jìn)展。自研產(chǎn)品1200V 40mΩ碳化硅 MOSFET 開發(fā)項(xiàng)目芯片面積13.46mm2,有較強(qiáng)的市場競爭力。

根據(jù)測試結(jié)果,我們自研產(chǎn)品的耐壓值及導(dǎo)通電阻等核心指標(biāo)符合設(shè)計(jì)預(yù)期,比導(dǎo)通電阻3.66毫歐cm2,較有競爭力。1200V 17mΩ?碳化硅MOSFET正在研發(fā)改進(jìn)推動(dòng)良率提升過程中。1700V 40mΩ?碳化硅MOSFET正在設(shè)計(jì)中,預(yù)計(jì)2024年Q1完成。下一步,溝槽型碳化硅MOSFET產(chǎn)品正在預(yù)研中,并計(jì)劃與相關(guān)設(shè)備廠商開展聯(lián)合研發(fā)關(guān)鍵工藝。

器件制造能力方面,已成功交付車規(guī)碳化硅 MOSFET晶圓超1000片,包括1200V/17mΩ?、750V/13mΩ?等多種型號(hào)產(chǎn)品。該產(chǎn)品應(yīng)用在電動(dòng)汽車的主驅(qū)系統(tǒng),已完成了近百天的極端氣候條件測試,無任何不良反饋,持續(xù)獲得客戶追加訂單,累計(jì)合同額達(dá)數(shù)千萬元。中科漢韻已正式啟動(dòng)IATF 16949 :2016 汽車生產(chǎn)件及相關(guān)服務(wù)件組織體系認(rèn)證,計(jì)劃于2024年第一季度完成認(rèn)證,以期正式進(jìn)入汽車供應(yīng)鏈。

人才團(tuán)隊(duì)方面,我們引進(jìn)凝聚了一批具有國內(nèi)外一流半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)人員,并引進(jìn)多位具有豐富行業(yè)經(jīng)驗(yàn)的高管,目前已建設(shè)形成了研發(fā)、制造、市場營銷等130人的全建制團(tuán)隊(duì)。

行家說三代半:你們實(shí)現(xiàn)增長的戰(zhàn)略是什么?

陳剛:展望后期,公司實(shí)現(xiàn)增長戰(zhàn)略主要有以下幾個(gè)方面:

(1)繼續(xù)擴(kuò)大市場規(guī)模:隨著新能源汽車市場的快速增長,碳化硅車規(guī)級(jí)芯片的市場需求將持續(xù)增長,公司加緊繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能,降低成本,滿足市場需求。

(2)拓展應(yīng)用領(lǐng)域:碳化硅車規(guī)級(jí)芯片在電驅(qū)逆變器領(lǐng)域已得到廣泛應(yīng)用,未來還可拓展到車載充電機(jī)、直流/直流變換器(DC-DC)等領(lǐng)域,并且,在電力系統(tǒng)、光伏儲(chǔ)能、焊機(jī)、白色家電等領(lǐng)域,工業(yè)級(jí)的碳化硅芯片也有大量的應(yīng)用需求和拓展空間。

(3)提升技術(shù)水平:碳化硅芯片的性能仍有進(jìn)一步提升的空間,公司仍堅(jiān)持本位思想,持續(xù)加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新,提升芯片的功率密度、效率、可靠性等性能,優(yōu)化工藝、原材料成本,降低芯片價(jià)格,滿足未來多樣的應(yīng)用需求。

(4)加強(qiáng)與下游模塊廠的合作:深度了解客戶需求,開發(fā)針對(duì)性的碳化硅車規(guī)級(jí)芯片產(chǎn)品。

(5)積極參與國內(nèi)及國際標(biāo)準(zhǔn)制定:積極參與國內(nèi)與國際標(biāo)準(zhǔn)制定,推動(dòng)碳化硅車規(guī)級(jí)芯片的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

(6)加強(qiáng)國際交流合作:加強(qiáng)與國際先進(jìn)企業(yè)的交流合作,提升技術(shù)水平。

總而言之,碳化硅車規(guī)級(jí)芯片具有廣闊的市場前景,未來幾年將迎來快速增長。公司通過科技創(chuàng)新、降本增效、凝結(jié)團(tuán)隊(duì)、產(chǎn)業(yè)鏈上下游緊密合作等多種方式,積極應(yīng)對(duì)市場變化,采取有效措施,搶占市場先機(jī)。

擴(kuò)充SiC晶圓產(chǎn)能?致力成為一流IDM廠商

家說三代半:2024年,貴司定下來了哪些規(guī)劃和目標(biāo)?

陳剛:我們公司主要有以下幾個(gè)方面的規(guī)劃:

(1)產(chǎn)能擴(kuò)張:全球碳化硅功率器件市場需求旺盛,預(yù)計(jì)2024年將達(dá)到20億美元左右。目前我們公司已有需求與產(chǎn)線制造能力差距較大,為了滿足市場需求,公司計(jì)劃產(chǎn)線建設(shè)與成果產(chǎn)出并行,最終實(shí)現(xiàn)在5年內(nèi)建設(shè)成為國內(nèi)一流的碳化硅IDM企業(yè)。

(2)技術(shù)創(chuàng)新:碳化硅功率器件在性能、可靠性和成本等方面仍有待進(jìn)一步提升。從下面3方面進(jìn)行,①器件結(jié)構(gòu):開發(fā)新的器件結(jié)構(gòu),以提高器件的性能和可靠性;②工藝技術(shù):開發(fā)新的工藝技術(shù),進(jìn)一步進(jìn)行工藝集成設(shè)計(jì),以降低器件的成本;③封裝技術(shù):與封測伙伴聯(lián)合開發(fā)新的封裝技術(shù),以提高器件的散熱性能和可靠性,保證后期開拓的多類市場型應(yīng)用。

(3)應(yīng)用拓展:公司目前碳化硅功率器件目前主要應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域。2024年,將在更多領(lǐng)域推廣應(yīng)用,如工業(yè)電機(jī)、消費(fèi)電子等。工業(yè)電機(jī)應(yīng)用碳化硅功率器件可以提高工業(yè)電機(jī)的效率和功率密度,因此在工業(yè)電機(jī)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。消費(fèi)電子應(yīng)用中,碳化硅功率器件可以提高消費(fèi)電子產(chǎn)品的效率和續(xù)航能力,因此在消費(fèi)電子領(lǐng)域也具有一定的應(yīng)用前景。

總體而言,2024年是碳化硅功率器件行業(yè)的重要發(fā)展階段。隨著產(chǎn)能擴(kuò)張、技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用拓展的不斷推進(jìn),碳化硅功率器件將在更多領(lǐng)域得到應(yīng)用,并在電力電子領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。

SiC市場穩(wěn)步向好、技術(shù)持續(xù)進(jìn)步?中科漢韻4大策略促行業(yè)健康發(fā)展

行家說三代半:您認(rèn)為2023年整個(gè)行業(yè)取得了哪些新的進(jìn)步(包括市場、技術(shù)等)?

陳剛:在市場方面,碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值量倒掛,關(guān)鍵部分主要集中在上游端,其中襯底生產(chǎn)成本占總成本的47%,外延環(huán)節(jié)成本占23%,合計(jì)上游成本占到碳化硅生產(chǎn)鏈總成本的70%左右。其中襯底制造技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大,既決定了上游原材料制備的方式及相關(guān)參數(shù),同時(shí)也決定著下游器件的性能,是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心。

當(dāng)前碳化硅下游市場需求依舊旺盛,特別是車用級(jí)碳化硅襯底產(chǎn)能仍偏緊,國產(chǎn)碳化硅正在從產(chǎn)業(yè)化向商業(yè)化加速邁進(jìn)。與此同時(shí),今年國內(nèi)碳化硅成本將加速下降,中低端產(chǎn)品競爭激烈,尚需加速縮小與國際巨頭的技術(shù)差距。

碳化硅受汽車電動(dòng)化以及光伏產(chǎn)業(yè)拉動(dòng),行業(yè)依然持續(xù)升溫。碳化硅下游應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展,尤其是新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用取得了突破性進(jìn)展。碳化硅器件成本進(jìn)一步降低,推動(dòng)了其在更多領(lǐng)域的應(yīng)用。

在SiC功率器件方面,國產(chǎn)廠商在2023年也迎來了車規(guī)產(chǎn)品大爆發(fā),眾多廠商宣布入局或推出車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品,SiC在新能源汽車領(lǐng)域上大放異彩,800V車型開始下沉到20萬元市場,SiC模塊的滲透率迎來大幅增長。這也使得市場上對(duì)車規(guī)SiC MOSFET需求量高速膨脹,同時(shí)以往海外巨頭壟斷的車規(guī)SiC MOSFET市場,也開始有越來越多的Tier 1和整車廠接受國產(chǎn)車規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品,給國產(chǎn)SiC器件廠商帶來了新的機(jī)遇。

此外,碳化硅器件新型應(yīng)用不斷涌現(xiàn),例如在海上光伏逆變器、高可靠軌道交通、智能電網(wǎng)輸變電、艦船電力系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用得到了積極探索。

在技術(shù)方面,碳化硅襯底技術(shù)取得了重大突破,6英寸和8英寸襯底的產(chǎn)能快速提升。碳化硅襯底制造工藝難度大,研發(fā)時(shí)間長,存在較高的技術(shù)門檻和人才門檻。目前,美國在全球碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)格局中占龍頭地位。

但近幾年國內(nèi)企業(yè)在大規(guī)模擴(kuò)充碳化硅襯底產(chǎn)能,包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、露笑科技、三安光電、晶盛機(jī)電、東尼電子、科友半導(dǎo)體等眾多企業(yè),總規(guī)劃產(chǎn)能的規(guī)模龐大,擴(kuò)產(chǎn)速度快,但良率問題才是關(guān)鍵,目前這一點(diǎn),國內(nèi)外企業(yè)之間仍有較大差距,因此,國內(nèi)企業(yè)距離真正意義上的碳化硅襯底環(huán)節(jié)突破還有一段時(shí)間要走。

碳化硅器件工藝不斷優(yōu)化,器件性能和可靠性持續(xù)提升。例如,國內(nèi)企業(yè)飛锃半導(dǎo)體展出了車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品,其中包括1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ;芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在頭部OBC企業(yè)通過測試,已進(jìn)入批量導(dǎo)入階段;杰平方半導(dǎo)體發(fā)布了自主研發(fā)的SiC MOSFET產(chǎn)品JPM120020B,該產(chǎn)品規(guī)格為1200V/20mΩ;中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線;國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體電驅(qū)用1200V SiC MOSFET芯片已研發(fā)成功交客戶上車驗(yàn)證中;南瑞半導(dǎo)體宣布其自主研發(fā)的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件(NCM40S12T4K2)順利通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證;中科漢韻宣布車規(guī)級(jí)SiC MOSFET晶圓成功實(shí)現(xiàn)交付,該產(chǎn)品包括1200V/17mΩ、750V/13mΩ兩種型號(hào)產(chǎn)品,并且將應(yīng)用于電動(dòng)汽車主驅(qū)系統(tǒng)中。

目前國產(chǎn)化應(yīng)用的SiC MOSFET芯片都仍然采用平面柵型結(jié)構(gòu),一方面是技術(shù)可靠,量產(chǎn)穩(wěn)定性有優(yōu)勢(shì),另一方面,涉及知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)限制可控。但是,為了提高功率密度和降低成本,自主設(shè)計(jì)的臺(tái)面結(jié)構(gòu)芯片的開發(fā)和量產(chǎn)應(yīng)用也是必須進(jìn)行的,目前國內(nèi)都已經(jīng)在開展相關(guān)工作。

行家說三代半:在降本增效方面,2023年最值得關(guān)注和重視的新變化是什么?

陳剛:碳化硅芯片行業(yè)的低價(jià)和同質(zhì)化競爭是行業(yè)發(fā)展的必然階段,也是行業(yè)發(fā)展的挑戰(zhàn)。

規(guī)模效應(yīng):隨著碳化硅車規(guī)級(jí)芯片市場規(guī)模的擴(kuò)大,規(guī)模效應(yīng)逐漸顯現(xiàn),進(jìn)一步降低了成本。其中,襯底產(chǎn)能提升是降本增效的關(guān)鍵。襯底是碳化硅器件的基底,占據(jù)了碳化硅器件成本的大部分。隨著襯底產(chǎn)能的提升,成本將進(jìn)一步降低,有利于碳化硅車規(guī)級(jí)芯片的普及。

芯片制造方面:工藝優(yōu)化和規(guī)模效應(yīng)也為碳化硅車規(guī)級(jí)芯片的降本增效提供助力。工藝優(yōu)化可以提高器件的良率和可靠性,減少返工次數(shù),降低成本。規(guī)模效應(yīng)可以攤薄固定成本,降低單位成本。

行家說三代半:成本是把雙刃劍,行業(yè)規(guī)模化發(fā)展需要接近硅器件的低成本,但也要防止被低價(jià)所反噬,您如何看待行業(yè)的低價(jià)和同質(zhì)化競爭?貴公司有哪些好的做法和建議?

陳剛:一方面,碳化硅芯片的成本優(yōu)勢(shì)是其市場競爭力的重要體現(xiàn)。隨著碳化硅襯底產(chǎn)能和工藝的不斷提升,碳化硅芯片的成本將逐步降低,接近甚至低于硅器件的成本。這將為碳化硅芯片的普及和推廣創(chuàng)造有利條件。另一方面,低價(jià)競爭會(huì)導(dǎo)致行業(yè)利潤下降,甚至惡性競爭。此外,同質(zhì)化競爭會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品競爭力下降,不利于行業(yè)的長遠(yuǎn)發(fā)展。

公司應(yīng)對(duì)行業(yè)的低價(jià)和同質(zhì)化競爭的策略如下:

(1)聚焦差異化競爭:碳化硅芯片的優(yōu)勢(shì)在于其高功率密度、高耐熱性、高開關(guān)頻率等特性。因此,聚焦差異化競爭,在性能、可靠性、應(yīng)用領(lǐng)域等方面進(jìn)行差異化布局,避免同質(zhì)化競爭。

(2)加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新:技術(shù)創(chuàng)新是降低成本和提升競爭力的根本途徑,是碳化硅芯片行業(yè)發(fā)展的核心動(dòng)力。加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新,不斷提升產(chǎn)品性能、可靠性、良率,開發(fā)出具有差異化優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品,從而脫穎而出,為行業(yè)發(fā)展提供新動(dòng)力。

(3)加強(qiáng)行業(yè)合作,完善產(chǎn)業(yè)鏈:碳化硅芯片行業(yè)是一個(gè)新興行業(yè),需要各方的共同努力才能發(fā)展壯大。碳化硅芯片企業(yè)應(yīng)加強(qiáng)行業(yè)合作,共同制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),規(guī)范行業(yè)競爭。碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)鏈的完善有助于降低成本和提升效率。碳化硅芯片企業(yè)應(yīng)積極參與產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè),促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展。

(4)積極參與研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目:追蹤政府出臺(tái)的相關(guān)政策,通過項(xiàng)目、設(shè)備補(bǔ)貼等多種方式,技術(shù)創(chuàng)新,降低成本,促進(jìn)碳化硅芯片行業(yè)健康發(fā)展。

總體而言,碳化硅芯片行業(yè)的低價(jià)和同質(zhì)化競爭是行業(yè)發(fā)展的必然階段,也是行業(yè)發(fā)展的挑戰(zhàn)。碳化硅芯片企業(yè)應(yīng)積極應(yīng)對(duì),采取有效措施,避免被低價(jià)所反噬,以促進(jìn)行業(yè)的健康發(fā)展。

SiC市場前景廣闊? 多項(xiàng)措施開拓市場?

行家說三代半:經(jīng)過前些年的鋪墊,SiC / GaN技術(shù)目前在許多應(yīng)用場景都很活躍,展望2024年,您認(rèn)為行業(yè)最大的機(jī)會(huì)在哪里?貴公司將如何開拓這些市場?

陳剛:2024年,行業(yè)最大的機(jī)會(huì)在新能源汽車及光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域。SiC 功率器件在新能源汽車領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景,可顯著提高電動(dòng)汽車的續(xù)航里程、加速性能和效率。隨著新能源汽車市場的快速增長,SiC 功率器件的市場需求將持續(xù)增長。SiC / GaN功率器件在光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域具有明顯的優(yōu)勢(shì),可提高逆變器的效率和可靠性。隨著光伏發(fā)電市場的快速發(fā)展,SiC / GaN功率器件的市場需求也將不斷增長。

我司開拓這些市場,從以下幾個(gè)方面入手:

(1)加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新:持續(xù)提高SiC功率器件的性能、可靠性、良率,降低成本,滿足客戶需求。

(2)完善產(chǎn)業(yè)鏈:加快產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同和完善,提高上下游供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性和可靠性。

(3)加強(qiáng)市場宣傳:積極宣傳SiC 功率器件的優(yōu)勢(shì),提高客戶認(rèn)知度。

總而言之,SiC 技術(shù)具有廣闊的市場前景,未來幾年將迎來快速增長。行業(yè)應(yīng)積極應(yīng)對(duì)市場變化,加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新,完善產(chǎn)業(yè)鏈,加強(qiáng)市場宣傳,搶占市場先機(jī)。

行家說三代半:未來幾年,整個(gè)行業(yè)將面臨的挑戰(zhàn)有哪些?貴公司將如何面對(duì)并解決挑戰(zhàn)?

陳剛:未來幾年,碳化硅功率器件行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)主要有以下幾個(gè)方面:

(1)成本:碳化硅功率器件目前的成本仍然較高,這主要是由于碳化硅材料和制造工藝的成本較高

(2)可靠性:碳化硅功率器件在可靠性方面需要進(jìn)一步驗(yàn)證,尤其是在高溫和高電壓條件下的可靠性。

(3)標(biāo)準(zhǔn):碳化硅功率器件還缺乏統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn),這會(huì)影響其在市場上的推廣。

為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),公司需要采取以下措施:

(1)降低成本:通過優(yōu)化材料質(zhì)量管控和器件加工工藝,降低碳化硅器件的制造成本。

(2)提高可靠性:通過開展大量的測試和驗(yàn)證,提高碳化硅功率器件的可靠性。

(3)制定標(biāo)準(zhǔn):推動(dòng)碳化硅功率器件行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)化,促進(jìn)其在市場上的推廣。

具體來說,在成本方面,可以通過以下措施來降低:

(1)完善碳化硅材料質(zhì)量管控和器件加工工藝,提高良率和降低成本。

(2)采用先進(jìn)的封裝技術(shù),減少器件尺寸和提高良率。

(3)通過規(guī)?;a(chǎn),降低單位成本。

可靠性方面,可以通過以下措施來提高:

(1)開展大量的測試和驗(yàn)證,包括高溫、高電壓、高頻等條件下的測試。

(2)采用先進(jìn)的材料和工藝,提高器件的耐熱性、耐電壓性和耐輻射性。

標(biāo)準(zhǔn)方面,可以通過以下措施來制定:

(1)由政府部門、行業(yè)組織和企業(yè)共同參與,制定統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)。

(2)加強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)的宣傳和推廣,提高行業(yè)的認(rèn)知度。

總體而言,碳化硅功率器件行業(yè)具有廣闊的市場前景,但也面臨著一定的挑戰(zhàn)。通過采取積極的措施,可以有效應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),促進(jìn)碳化硅功率器件行業(yè)的發(fā)展。

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T835-800B-TR 1 STMicroelectronics 8A Snubberless™ Triacs in DPAK and D2PAK

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