一批半導體專利曝光，涉及中芯國際等公司

半導體行業(yè)發(fā)展愈發(fā)成熟，企業(yè)對專利的保護意識不斷增強，近日，中芯國際、長鑫存儲、三安半導體、芯華章等企業(yè)新專利曝光。

中芯國際公布兩項專利

中芯國際本月公布了兩項新的專利，分別是“承載裝置、晶圓測試設備以及晶圓測試方法”專利以及“一種晶圓測試裝置”專利。

“承載裝置、晶圓測試設備以及晶圓測試方法”專利公布

天眼查顯示，中芯國際“承載裝置、晶圓測試設備以及晶圓測試方法”專利公布，申請公布日為9月1日，申請公布號為CN116682750A。

該專利的專利權人為中芯國際集成電路制造（上海）有限公司、中芯國際集成電路制造（北京）有限公司。

專利摘要顯示，一種承載裝置、晶圓測試設備以及晶圓測試方法，承載裝置包括：主加熱平臺，用于承載待測晶圓并對所述待測晶圓進行加熱；環(huán)形的副加熱平臺，環(huán)繞所述主加熱平臺，用于與所述主加熱平臺頂面圍成放置所述待測晶圓的容納空間。

降低了所述探針因受熱不均勻而產(chǎn)生針痕偏移的風險，有利于提高晶圓測試的可靠性，并降低因晶圓表面破損而產(chǎn)生良率損失和可靠性風險的概率；同時，在對待測晶圓進行高溫測試的過程中，由于所述探針卡上的各探針受熱均勻，在測試過程中，省去了對所述探針卡進行預熱的步驟，提高了生產(chǎn)效率，降低了測試成本。

“一種晶圓測試裝置”專利獲授權

天眼查顯示，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司“一種晶圓測試裝置”專利獲授權，授權公告日為9月15日，授權公告號為CN219695349U。

專利摘要顯示，本申請?zhí)峁┮环N晶圓測試裝置，所述晶圓測試裝置包括：承載臺，用于承載晶圓；晶圓夾具，所述晶圓夾具的工作面與所述晶圓的邊緣匹配使得所述晶圓夾具工作時所述晶圓夾具的工作面和所述晶圓的邊緣貼合并且所述晶圓夾具的上表面和所述晶圓的上表面共面。本申請?zhí)峁┮环N晶圓測試裝置，利用晶圓夾具與晶圓邊緣的弧形倒角貼合，避免測試探針扎在弧形倒角上彎曲，可以避免探針卡在測試過程中損壞，并提高晶圓測試效率。

三安半導體器件專利獲授權

天眼查顯示，湖南三安半導體有限責任公司“半導體器件”專利獲授權，授權公告日為9月15日，授權公告號為CN219696448U。

專利摘要顯示，本申請公開了一種半導體器件，屬于半導體技術領域。半導體器件包括芯片；基板，基板包括安裝部和第一端子，第一端子連接在安裝部的第一端部；塑封體，安裝部包括裸露在塑封體的頂面的第一面和被塑封體包裹的第二面，芯片安裝在安裝部的第二面，第一端子從塑封體的第一側伸出并向塑封體的底面彎折；第二端子和第三端子，第二端子和第三端子與芯片電連接且從與塑封體的第一側相對的第二側的中部伸出；安裝部還包括與第一端部相對設置的第二端部，在安裝部的第二端部與第二端子和第三端子之間的塑封體上設置有凹槽，可增大基板與第二端子和第三端子之間的爬電距離，從而提高了半導體器件的安全性。

芯華章專利獲授權

天眼查顯示，芯華章科技股份有限公司“集成電路設計驗證”專利獲授權，授權公告日為9月19日，授權公告號為CN114417755B。

專利摘要顯示，本申請?zhí)峁┯糜隍炞CIC設計（諸如超大規(guī)模集成電路（VLSI）設計）的方法和設備。該方法包括：獲得IC設計的描述；基于所述描述確定所述IC設計是否包括組合回路，其中所述組合回路包括輸出和連接到所述輸出的輸入；響應于所述IC設計包括所述組合回路，展開所述組合回路為展開回路，所述展開回路包括：連接以形成所述展開回路的第一迭代和第二迭代，其中所述第一迭代包括第一輸出和第一輸入，所述第二迭代包括第二輸出和第二輸入，并且所述第二輸出連接到所述第一輸入；以及連接在所述第一輸入和所述第二輸出之間的寄存器；以及驗證具有所述展開回路的IC設計，其中所述第一迭代和所述第二迭代中的每一個包括與所述組合回路相同的組件。

長鑫存儲兩項專利曝光

長鑫存儲兩項新的專利近日也得到曝光，分別是“一種晶圓缺陷分析方法、系統(tǒng)、設備和介質(zhì)”專利、“存儲芯片的測試方法及裝置”專利。

長鑫存儲“一種晶圓缺陷分析方法、系統(tǒng)、設備和介質(zhì)”專利獲授權

天眼查顯示，長鑫存儲技術有限公司“一種晶圓缺陷分析方法、系統(tǒng)、設備和介質(zhì)”專利獲授權，授權公告日為9月15日，授權公告號為CN113837983B。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種晶圓缺陷分析方法、系統(tǒng)、設備和介質(zhì)。該晶圓缺陷分析方法包括獲取半導體制程工藝中每片晶圓的批次信息以及缺陷信息，缺陷信息包括熱點缺陷信息；設定熱點缺陷特征，從熱點缺陷信息中篩選出與熱點缺陷特征相關聯(lián)的目標熱點缺陷信息；根據(jù)批次信息，追蹤與熱點缺陷特征相關聯(lián)的目標熱點缺陷信息所對應的第一片晶圓，確定缺陷源。

據(jù)悉，在本發(fā)明實施例中，通過在半導體制程工藝中獲取晶圓的批次信息以及熱點缺陷信息，并根據(jù)熱點缺陷特征篩選出目標熱點缺陷信息，最后追蹤目標熱點缺陷信息所對應的第一片晶圓，確定缺陷源，提高了晶圓缺陷溯源的準確性。

長鑫存儲“存儲芯片的測試方法及裝置”專利公布

天眼查顯示，長鑫存儲技術有限公司“存儲芯片的測試方法及裝置”專利公布，申請公布日為9月15日，申請公布號為CN116758970A。

專利摘要顯示，本公開提出一種存儲芯片的測試方法及裝置，適用于存儲技術領域，可以解決，能夠解決人工方式生成隨機測試向量難以保證隨機性和覆蓋率，且容易發(fā)生錯誤的問題，可以提高存儲芯片的測試效率。該方案包括：根據(jù)存儲芯片的標準狀態(tài)機，獲取存儲芯片的簡化狀態(tài)機，簡化狀態(tài)機用于描述存儲芯片的主要功能；確定簡化狀態(tài)機中的狀態(tài)跳轉(zhuǎn)的重要性的指示信息；基于簡化狀態(tài)機的狀態(tài)跳轉(zhuǎn)的重要性的指示信息，生成存儲芯片的測試向量。