泰克科技(中國(guó))有限公司和矽電半導(dǎo)體設(shè)備(深圳)股份有限公司戰(zhàn)略合作發(fā)布會(huì)在深圳創(chuàng)投大廈矽電總部召開,同一時(shí)間,泰克(中國(guó))和矽電半導(dǎo)體宣布測(cè)試測(cè)量聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室正式成立。
毫無疑問,由于雙碳目標(biāo)及綠色生態(tài)的政策傾向,ESG浪潮來襲,以SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)為代表的第三代半導(dǎo)體已經(jīng)成為高性能器件廠商的優(yōu)先選擇,功率器件也成為中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的新亮點(diǎn)。市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole最新研究報(bào)告指出,全球功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)將從2020年的175億美元增長(zhǎng)至2026年的262億美元,而其中約70%來自汽車市場(chǎng)。
隨之而來的是第三代半導(dǎo)體芯片和功率器件研發(fā)、生產(chǎn)中的測(cè)試測(cè)量難點(diǎn)和挑戰(zhàn),如高壓放電、大電流測(cè)試、高溫性能測(cè)試、超薄翹曲晶圓轉(zhuǎn)運(yùn)等難題。
矽電半導(dǎo)體作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)線批量點(diǎn)測(cè)設(shè)備的頭部生產(chǎn)廠家,經(jīng)過20年的技術(shù)累積,掌握了探針測(cè)試多項(xiàng)核心關(guān)鍵技術(shù),其產(chǎn)品涵蓋集成電路、光電芯片、分立器件、第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域。泰克(中國(guó))作為國(guó)際領(lǐng)先的測(cè)試測(cè)量解決方案供應(yīng)商,可以提供全流程半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試方案。泰克(中國(guó))和矽電半導(dǎo)體的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,有助于高效解決業(yè)內(nèi)這些測(cè)試難點(diǎn),在晶圓級(jí)測(cè)試節(jié)點(diǎn)提供
WAT、CP、WLR、KGD等測(cè)試,在模塊級(jí)測(cè)試節(jié)點(diǎn)提供動(dòng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試、封測(cè)和可靠性測(cè)試,覆蓋了整個(gè)化合物半導(dǎo)體功率器件全制程。
泰克(中國(guó))和矽電半導(dǎo)體自2015年開展合作以來,在LED Wafer點(diǎn)測(cè)市場(chǎng),取得了突破和進(jìn)展。本次泰克和矽電戰(zhàn)略合作意向書的簽署,將“進(jìn)一步發(fā)展和深化在Wafer Acceptance Test(簡(jiǎn)稱WAT)市場(chǎng)的戰(zhàn)略合作,以期進(jìn)一步開拓中國(guó)市場(chǎng),為客戶在WAT測(cè)試領(lǐng)域提供整體性解決方案,并為客戶降低成本以提高競(jìng)爭(zhēng)力”。
與此同時(shí),矽電-泰克晶圓級(jí)探針測(cè)試測(cè)量聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室也宣布正式成立。此聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室旨在強(qiáng)化國(guó)產(chǎn)化合物半導(dǎo)體功率器件測(cè)試驗(yàn)證的能力,進(jìn)一步探究和優(yōu)化基于高精度和高吞吐率下的一過性解決方案。實(shí)驗(yàn)室提供了可用于12寸、8寸晶圓的全自動(dòng)探針臺(tái),具備
- 支持最高3000V/100A的高壓及大電流測(cè)試
- 探針系統(tǒng)測(cè)試漏電流<100pA@1000V
- WLR支持實(shí)現(xiàn)TDDB, NBTI, PBTI, HCI 等測(cè)試功能
- 支持高溫測(cè)試,溫度可達(dá)200°C
- 特殊絕緣設(shè)計(jì)避免擊穿和打火,靜態(tài)測(cè)試最高電壓3000V,動(dòng)態(tài)測(cè)試最高電壓2000V
- 搬運(yùn)/探針部分與測(cè)試部分分離,可擴(kuò)展性強(qiáng)
- 支持鐵環(huán),藍(lán)膜,華夫盒,Tap Reel等進(jìn)出料方式
- 支持多臺(tái)站并行測(cè)試