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IEGT

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IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達(dá)4KV以上的IGBT系列電力電子器件,通過采取增強(qiáng)注入的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了低通態(tài)電壓,使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。 IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景,具有低損耗、高速動(dòng)作、高耐壓、有源柵驅(qū)動(dòng)智能化等特點(diǎn),以及采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)而自均流的特性,使其在進(jìn)一步擴(kuò)大電流容量方面頗具潛力。

IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達(dá)4KV以上的IGBT系列電力電子器件,通過采取增強(qiáng)注入的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了低通態(tài)電壓,使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。 IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景,具有低損耗、高速動(dòng)作、高耐壓、有源柵驅(qū)動(dòng)智能化等特點(diǎn),以及采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)而自均流的特性,使其在進(jìn)一步擴(kuò)大電流容量方面頗具潛力。收起

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    日本在氫能領(lǐng)域是相對領(lǐng)先的,就汽車領(lǐng)域而言,之前豐田就推出過氫能源汽車。雖然受全球新能源戰(zhàn)略的影響,氫能源汽車未能實(shí)現(xiàn)真正意義上的普及,但我們要知道氫能的目標(biāo)市場可不止汽車這個(gè)單一賽道。
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    2022/11/15
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    1評論
    2016/04/01

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