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氧化鎵是一種無機化合物,化學式為Ga2O3。別名三氧化二鎵,是一種寬禁帶半導體,Eg=4.9eV,其導電性能和發(fā)光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料,在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ,被用作于Ga基半導體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。
氧化鎵是一種無機化合物,化學式為Ga2O3。別名三氧化二鎵,是一種寬禁帶半導體,Eg=4.9eV,其導電性能和發(fā)光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料,在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ,被用作于Ga基半導體材料的絕緣層,以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。收起
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