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NSD1624是納芯微最新推出的非隔離高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片，驅(qū)動(dòng)電流高達(dá)+4/-6A，可用于驅(qū)動(dòng)MOSFET/IGBT等各種功率器件。
可廣泛應(yīng)用于
- 光伏、儲(chǔ)能等新能源領(lǐng)域
- 空調(diào)壓縮機(jī)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
- 半橋、全橋、LLC電源拓?fù)?/li>
如下圖NSD1624功能框圖所示，納芯微創(chuàng)新地將隔離技術(shù)方案應(yīng)用于高壓半橋驅(qū)動(dòng)中，使得高壓輸出側(cè)可以承受高達(dá)1200V的直流電壓，同時(shí)SW pin可以滿足高dv/dt和耐負(fù)壓尖峰的需求?？蛇m用于各種高壓半橋、全橋、LLC電源拓?fù)渖稀?/p>
NSD1624輸入邏輯可兼容TTL/CMOS，方便控制。高壓側(cè)和低壓側(cè)均具備獨(dú)立的供電欠壓保護(hù)功能（UVLO），能在10~20V電壓范圍內(nèi)工作。此外，NSD1624可提供SOP14，SOP8，LGA 4*4mm多種封裝形式。
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NSD1624功能框圖
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NSD1624簡(jiǎn)化應(yīng)用電路
解決高壓、高頻系統(tǒng)中SW pin負(fù)壓和高dv/dt的痛點(diǎn)
圖一：半橋驅(qū)動(dòng)IC典型應(yīng)用電路圖示
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圖二：Q1、Q2管子開(kāi)關(guān)過(guò)程中，SW產(chǎn)生震蕩和負(fù)壓
上圖一所示是半橋驅(qū)動(dòng)IC非常典型的應(yīng)用電路。在Q1、Q2管子開(kāi)關(guān)過(guò)程中，SW 會(huì)產(chǎn)生一定程度的震蕩，同時(shí)會(huì)有負(fù)壓產(chǎn)生，如上圖二所示。如果驅(qū)動(dòng)IC SW pin 耐負(fù)壓能力比較低，就會(huì)導(dǎo)致IC損壞。
SW pin 產(chǎn)生震蕩和負(fù)壓的原因是：當(dāng)上管關(guān)閉時(shí)，由于負(fù)載呈感性，電流不能突變，電流便會(huì)從GND 通過(guò)下管的體二極管進(jìn)行續(xù)流，如圖一的紅色箭頭方向所示。在真實(shí)電路中，該電流路徑上許多地方會(huì)存在寄生電感，如圖一的綠色電感。?
SW 的電壓 Usw=-Lss * (di/dt)，通過(guò)公式可以看出，續(xù)流電流通過(guò)路徑中的寄生電感，會(huì)在SW上產(chǎn)生負(fù)壓。如果負(fù)載電流越大，開(kāi)關(guān)頻率越高，即di/dt 大，同時(shí)電路中寄生電感越大，即Lss 值越大，則SW產(chǎn)生的震蕩和負(fù)壓就會(huì)越大，就會(huì)越容易損壞驅(qū)動(dòng)IC。
此外，開(kāi)關(guān)頻率越大，SW產(chǎn)生的dv/dt就越大。如果選擇的驅(qū)動(dòng)IC dv/dt 抗干擾能力不足，便會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)IC內(nèi)部邏輯錯(cuò)誤，可能會(huì)使得驅(qū)動(dòng)IC的HO 和 LO同時(shí)輸出高電平，使得上下管同時(shí)打開(kāi)，造成短路，甚至燒壞管子。
納芯微創(chuàng)新地將隔離技術(shù)方案應(yīng)用于NSD1624 高壓半橋IC中，很好解決了上述問(wèn)題，即：SW pin負(fù)壓和高dv/dt的痛點(diǎn)。該創(chuàng)新技術(shù)，使得NSD1624 SW pin 電壓能夠承受高達(dá)±1200V，可以承受非常高的負(fù)壓；同時(shí)dV/dt抗干擾能力超過(guò)100kv/us。因而 NSD1624 非常適合高頻、高壓、高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景，符合電源行業(yè)發(fā)展的趨勢(shì)。
免費(fèi)送樣
NSD1624 系列產(chǎn)品均可提供樣品。
