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原子包括原子核和電子，電子繞著原子核轉(zhuǎn)。
最外層的電子，被稱為"價電子"。外層價電子是否完備決定了原子的化學性質(zhì)。
比如說：
氖， 最外層有8個電子，已經(jīng)占滿了最外層能帶，所以， 很難發(fā)生化學反應(yīng)。
鈉，最外層只有1個電子，很容易失去；氯，最外層有7個電子，則很容易接收；因此這兩種都很容易發(fā)生化學反應(yīng)。
那如果8個價電子很難發(fā)生化學反應(yīng)，1個價電子則很容易，所以就來看看如果價電子為4個呢？
而我們常用的半導體材料Si就是符合這個特性。
Si，元素周期表中第14號元素，共有14個電子，最里層2個，第二層8個，最外層4個。
所以硅原子有4個價電子，所以如果處理得當?shù)脑?，硅能形成一種晶體結(jié)構(gòu)，每一個硅原子周圍都被其他四個硅原子包圍。
這樣，每個原子和他周圍的四個鄰居共享一個價電子，這樣每個硅原子就都有了8個電子。
而這種由于共享價電子形成的連接，被稱為"共價鍵".
那這種材料特性又有什么意義呢？在說這個之前，先看一下另一個概念，就是“空穴”。
"空穴"，英文是holes，就是當共價鍵中的電子由于某種原因離開共價鍵時，留下的一個空位置。而這個空位置，則隨時準備接收自由電子。
當自由電子離開共價鍵形成空穴時，"電子-空穴"對產(chǎn)生；當自由電子進入空穴形成共價鍵時，“電子-空穴”重新結(jié)合。
分析半導體器件特性時，經(jīng)常會說空穴移動形成電流，但是，其實本質(zhì)上是因為電子的移動，形成空穴。
就像上圖所示：
假設(shè)在t1時刻，在1處形成一空穴；
但是在t2時刻，共價鍵2中的電子變成自由電子，與1結(jié)合，形成空穴；
在t3時刻，共價鍵3中的電子變成自由電子，與2結(jié)合，形成空穴。
所以從表面看，空穴從左向右移動；其實本質(zhì)上，是電子在移動。
電子不是隨隨便便就能從共價鍵中脫離出來，脫離需要一個最小能量，這個最小能量稱之為"帶隙能量"。
“帶隙能量"是材料的一個基本特性，用Eg表示。Si的Eg=1.12eV。
而在給定溫度下，自由電子的密度，可以由下面公式表示。
從上面的公式，我們可以了解到：
Eg大的則比較傾向于絕緣體，而Eg小的則比較傾向于導體；但是這兩種，又會因為溫度的變化，相互轉(zhuǎn)化。
而Si在常溫下，自由電子是很少的，大多數(shù)都在共價鍵中。純硅呈現(xiàn)高阻特性，但是這種高阻特性可以通過一種手段打破。
這種手段，就叫做“摻雜”，英文稱之為dope。可以通過摻雜，來改變Si的導電特性。
摻雜，就是用其他材料的原子來替換硅晶體中的一些原子。摻雜材料價電子的數(shù)目的不同(以4為界限)，摻雜產(chǎn)生的半導體類型也不同。
比如說，元素周期表中15號元素，磷。他的價電子數(shù)為5，比Si多一個，所以，當用它來替換Si原子的時候，會多出來一個電子無處可去，形成自由電子。
這種摻雜產(chǎn)生的是N型半導體，電子稱為多子，空穴稱為少子。
比如說，元素周期表中5號元素，硼。他的價電子數(shù)為3，比Si少一個。所以，當用它來替換Si原子的時候，會有一個共價鍵沒有填滿，形成空穴。
這種摻雜產(chǎn)生的是P型半導體，電子稱為少子，空穴稱為多子。
參考文獻：razavi-Fundamentals of Microelectronics
